【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術涉及gan系和algan系的發(fā)光元件和發(fā)光元件的制造方法。
技術介紹
1、gan系和algan系的iii族氮化物半導體用于波長200nm～280nm(uvc)、280～320nm(uvb)、320nm～400nm(uva)的紫外波長區(qū)域的發(fā)光元件。
2、例如，在專利文獻1中，記載了使發(fā)光層的端面或與發(fā)光層的端面接觸的絕緣膜的外側面中的至少任一個面以其法線和與發(fā)光層平行的面所成的角度為規(guī)定角度以上的方式相對于與發(fā)光層平行的面傾斜。這是因為，當發(fā)光元件的發(fā)光層的端面相對于與發(fā)光層平行的面傾斜時，能夠通過端面反射提取本來在光的提取面無法提取的光的反射光。
3、在現(xiàn)有的倒裝芯片型發(fā)光元件中，為了形成n型電極而進行使n型半導體層露出的蝕刻后，進行用于形成劃線(street)區(qū)域的蝕刻。
4、在專利文獻2中，記載了如下順序的工序，形成用于使n型半導體層露出的掩模，使用sicl4氣體和cl2氣體進行反應性離子蝕刻(rie：reactive?ion?etching)。接著，在去除掩模后，施加成為規(guī)定芯片尺寸的圖案的掩模，通過rie進行蝕刻直至藍寶石基板露出，形成劃線區(qū)域。
5、現(xiàn)有技術文獻
6、專利文獻
7、專利文獻1日本特開2003-347589號公報
8、專利文獻2日本特開2000-4066號公報
技術實現(xiàn)思路
1、專利技術要解決的問題
2、近年來，在進一步提高發(fā)光元件的發(fā)光效率的同時，要
3、在專利文獻1中，示出了在基板的主面上的端部具有基板的露出面并且該露出面也被保護膜覆蓋。但是，在專利文獻1中，未考慮保護膜的剝離和基板的露出面的傾斜。在專利文獻2中也沒有考慮保護膜。
4、本專利技術的目的在于，得到難以產生保護膜的剝離和裂紋等的發(fā)光元件和發(fā)光元件的制造方法。
5、用于解決問題的方案
6、本專利技術人等為了實現(xiàn)上述技術問題而反復進行了深入研究，結果發(fā)現(xiàn)，為了防止保護膜的剝離和裂紋等，在基板與半導體層接觸的面上保護膜與半導體層接觸的角度是重要的。另外，本專利技術人等發(fā)現(xiàn)，為了設置這樣的角度，在為了形成劃線區(qū)域而蝕刻至基板之后，為了形成n型電極而進行使n型半導體層露出的蝕刻是合適的。
7、即，本專利技術的主旨構成如下。
8、(1)一種發(fā)光元件，其為倒裝芯片型的發(fā)光元件，其具備：形成在基板的主面上的緩沖層；形成在所述緩沖層上的n型algan層；以及在至少一部分所述n型algan層上依次形成的發(fā)光層和p型algan層，其特征在于，在所述基板的主面上的端部具有所述基板的露出面，在所述發(fā)光元件的截面中，所述露出面具有相對于所述基板與所述緩沖層的界面的水平線以45°以下的銳角θs傾斜的傾斜部。
9、(2)根據上述(1)所述的發(fā)光元件，其中，銳角θs為2°＜θs＜30°。
10、(3)根據上述(1)或(2)所述的發(fā)光元件，其中，將所述界面與所述緩沖層的側面在所述緩沖層內所成的角度設為θb時，θs＜30°≤θb≤75°，θs+(180°-θb)為120°以上。
11、(4)根據上述(1)～(3)中任一項所述的發(fā)光元件，所述n型algan層的露出面和所述n型algan層的側面相交的端部以r面的形狀形成。
12、(5)根據上述(1)～(4)中任一項所述的發(fā)光元件，其中，所述基板包含藍寶石基板，所述緩沖層至少包含未摻雜的aln緩沖層。
13、(6)根據上述(1)～(5)中任一項所述的發(fā)光元件，其還具備保護膜，所述保護膜至少覆蓋所述p型algan層、所述發(fā)光層、所述n型algan層和所述緩沖層的各個側面，且至少覆蓋所述傾斜部。
14、(7)一種發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，包括：第1工序，其包括在基板的主面上形成緩沖層的工序、在所述緩沖層上形成n型algan層的工序、以及在所述n型algan層上依次形成發(fā)光層和p型algan層的工序；第2工序，將所述p型algan層、所述發(fā)光層、所述n型algan層和所述緩沖層的至少一部分蝕刻至所述基板，在所述基板形成劃線區(qū)域；以及第3工序，在所述第2工序后，通過對所述p型algan層和所述發(fā)光層再次進行蝕刻，從而使所述n型algan層的一部分露出，在所述第3工序后的截面中，所述基板的劃線區(qū)域具有相對于所述基板與所述緩沖層的界面的水平線以45°以下的銳角θs傾斜的傾斜部。
15、(8)根據上述(7)所述的發(fā)光元件的制造方法，其還包括第4工序，至少在通過所述第2工序和第3工序的利用蝕刻形成的所述p型algan層、所述發(fā)光層、所述n型algan層和所述緩沖層的各個側面形成保護膜，且至少在所述基板的劃線區(qū)域的所述傾斜部形成保護膜。
16、專利技術的效果
17、根據本專利技術，能夠提供難以產生保護膜的剝離和裂紋等的發(fā)光元件和發(fā)光元件的制造方法。
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1.一種發(fā)光元件，其為倒裝芯片型的發(fā)光元件，具備：
2.根據權利要求1所述的發(fā)光元件，其中，
3.根據權利要求1所述的發(fā)光元件，其中，
4.根據權利要求1所述的發(fā)光元件，其中，
5.根據權利要求1所述的發(fā)光元件，其中，
6.根據權利要求1所述的發(fā)光元件，其還具備保護膜，所述保護膜至少覆蓋所述p型AlGaN層、所述發(fā)光層、所述n型AlGaN層和所述緩沖層的各個側面，且至少覆蓋所述傾斜部。
7.一種發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，包括：
8.根據權利要求7所述的發(fā)光元件的制造方法，其還包括第4工序，至少在通過所述第2工序和第3工序的利用蝕刻形成的所述p型AlGaN層、所述發(fā)光層、所述n型AlGaN層和所述緩沖層的各個側面形成保護膜，且至少在所述基板的劃線區(qū)域的所述傾斜部形成保護膜。
【技術特征摘要】
1.一種發(fā)光元件，其為倒裝芯片型的發(fā)光元件，具備：
2.根據權利要求1所述的發(fā)光元件，其中，
3.根據權利要求1所述的發(fā)光元件，其中，
4.根據權利要求1所述的發(fā)光元件，其中，
5.根據權利要求1所述的發(fā)光元件，其中，
6.根據權利要求1所述的發(fā)光元件，其還具備保護膜，所述保護膜至少覆蓋所述p型algan層、所述發(fā)光層、所述...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：宮下雅仁，渡邊康弘，平山晴香，
申請(專利權)人：同和電子科技有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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