【技術實現步驟摘要】
本公開涉及半導體，特別涉及一種高電子遷移率晶體管及其制備方法。
技術介紹
1、高電子遷移率晶體管(high?electron?mobility?transistor，hemt)是一種異質結場效應晶體管，廣泛應用于各種電器之中。
2、相關技術中，hemt包括襯底、溝道層、勢壘層、帽層和鈍化層。其中，襯底、溝道層、勢壘層和帽層依次層疊，鈍化層位于帽層的遠離勢壘層的表面和勢壘層的遠離溝道層的表面。
3、然而，由于溝道層、勢壘層和帽層依次層疊，因此在形成帽層的過程中，帽層中的元素容易滲透至勢壘層和溝道層中而對hemt的性能產生影響。此外，在刻蝕形成帽層的過程中，容易對勢壘層造成刻蝕損傷，從而導致hemt的質量較差。
技術實現思路
1、本公開實施例提供了一種高電子遷移率晶體管及其制備方法，能保證hemt的性能較好，提高hemt的質量。所述技術方案如下：
2、一方面，提供了一種高電子遷移率晶體管，包括襯底、溝道層、勢壘層、鈍化層和帽層，所述襯底、所述溝道層、所述勢壘層和所述鈍化層依次層疊，所述鈍化層具有露出所述勢壘層的通孔；所述帽層位于所述鈍化層的遠離所述勢壘層的表面，且通過所述通孔與所述勢壘層連接。
3、可選地，所述通孔的靠近所述勢壘層的開口在所述勢壘層上的正投影，位于所述通孔的遠離所述勢壘層的開口在所述勢壘層上的正投影的內部。
4、可選地，所述鈍化層的厚度為100nm至200nm。
5、可選地，所述帽層的厚度為150n
6、可選地，所述高電子遷移率晶體管還包括柵電極層，所述柵電極層位于所述帽層的遠離所述勢壘層的表面。
7、可選地，所述高電子遷移率晶體管還包括源電極層和漏電極層，所述源電極層和所述漏電極層位于所述鈍化層的遠離所述勢壘層的表面，所述源電極層貫穿所述鈍化層和所述勢壘層與所述溝道層連接，所述漏電極層貫穿所述鈍化層和所述勢壘層與所述溝道層連接。
8、另一方面，提供了一種高電子遷移率晶體管的制備方法，包括：在襯底上依次形成溝道層和勢壘層；在所述勢壘層上形成鈍化層，所述鈍化層具有露出所述勢壘層的通孔；在所述鈍化層上形成帽層，所述帽層通過所述通孔與所述勢壘層連接。
9、可選地，所述在所述勢壘層上形成鈍化層，包括：在所述勢壘層上形成鈍化材料層；對所述鈍化材料層進行濕法刻蝕，以形成露出所述勢壘層的所述通孔，得到所述鈍化層。
10、可選地，所述鈍化材料層的生長壓力為25torr至100torr。
11、可選地，所述在所述鈍化層上形成帽層，包括：在所述鈍化層上依次形成gan材料層和柵電極材料層；對所述gan材料層和所述柵電極材料層進行刻蝕，得到所述帽層和柵電極層。
12、本公開實施例提供的技術方案帶來的有益效果是：
13、本公開實施例中，鈍化層設置在勢壘層和帽層之間，鈍化層具有露出勢壘層的通孔，帽層位于鈍化層的遠離勢壘層的表面，且通過通孔與勢壘層連接。在形成帽層的過程中，鈍化層可以減少帽層中的元素滲透至勢壘層和溝道層中而影響hemt的性能的幾率，保證hemt的性能較好。并且，鈍化層還可以保護勢壘層，減少在刻蝕形成帽層的過程中對勢壘層產生刻蝕損傷的幾率，從而提高hemt的質量。
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1.一種高電子遷移率晶體管，其特征在于，包括襯底(60)、溝道層(10)、勢壘層(20)、鈍化層(30)和帽層(40)，
2.根據權利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述通孔(31)的靠近所述勢壘層(20)的開口在所述勢壘層(20)上的正投影，位于所述通孔(31)的遠離所述勢壘層(20)的開口在所述勢壘層(20)上的正投影的內部。
3.根據權利要求1或2所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述鈍化層(30)的厚度為100nm至200nm。
4.根據權利要求1或2所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述帽層(40)的厚度為150nm至250nm。
5.根據權利要求1或2所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述高電子遷移率晶體管還包括柵電極層(50)，所述柵電極層(50)位于所述帽層(40)的遠離所述勢壘層(20)的表面。
6.根據權利要求1或2所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述高電子遷移率晶體管還包括源電極層(70)和漏電極層(80)，所述源電極層(70)和所述漏電極層(80)位于所述鈍化層(30
7.一種高電子遷移率晶體管的制備方法，其特征在于，包括：
8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述在所述勢壘層(20)上形成鈍化層(30)，包括：
9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述鈍化材料層的生長壓力為25Torr至100Torr。
10.根據權利要求7至9任一項所述的制備方法，其特征在于，所述在所述鈍化層(30)上形成帽層(40)，包括：
...【技術特征摘要】
1.一種高電子遷移率晶體管，其特征在于，包括襯底(60)、溝道層(10)、勢壘層(20)、鈍化層(30)和帽層(40)，
2.根據權利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述通孔(31)的靠近所述勢壘層(20)的開口在所述勢壘層(20)上的正投影，位于所述通孔(31)的遠離所述勢壘層(20)的開口在所述勢壘層(20)上的正投影的內部。
3.根據權利要求1或2所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述鈍化層(30)的厚度為100nm至200nm。
4.根據權利要求1或2所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述帽層(40)的厚度為150nm至250nm。
5.根據權利要求1或2所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述高電子遷移率晶體管還包括柵電極層(50)，所述柵電極層(50)位于所述帽層(40)的遠離所述勢壘層(20)的表面。
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【專利技術屬性】
技術研發人員：楊清汝，田文，王珺楠，
申請(專利權)人：京東方華燦光電浙江有限公司，
類型：發明
國別省市：
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