【技術實現步驟摘要】
技術介紹
1、經常使用物理氣相沉積(pvd)將氮化鋁(aln)膜沉積于基板上。在某些應用中，對aln膜期望具有高晶體品質。為了達成高品質膜，aln膜的厚度通常相對地大。舉例而言，aln膜的厚度通常介于約300nm與約2微米之間。然而，當使用此厚度的膜時產生其他問題。舉例而言，厚的aln膜造成基板弓形彎曲，導致膜的破裂。基板的弓形彎曲還可影響基板的后續處理。舉例而言，基板的弓形彎曲可導致在光刻工藝期間不均勻的光分配。
2、因此，需要用來沉積膜的改善的技術。
技術實現思路
1、在一個實施方式中，提供一種用于在基板上沉積材料的方法。方法包括在基板上沉積材料層。方法還包括在沉積材料層的同時調整施加至基板的偏壓，偏壓控制基板的弓形彎曲。方法還包括在材料層上執行轟擊工藝。
2、在另一實施方式中，提供一種用于在基板上沉積材料的方法。方法順序地包括在基板上沉積材料層的同時調整施加至基板的偏壓，偏壓介于約30w與約80w之間，和在材料層上執行轟擊工藝。
3、在另一實施方式中，提供一種用于處理基板的方法。方法包括在設置于工藝腔室中的基板上沉積材料層。方法還包括在沉積材料層期間調整施加至基板的偏壓。方法還包括產生氬等離子體和以氬等離子體轟擊材料層。
【技術保護點】
1.一種用于在基板上沉積復合氮化物材料的方法，所述方法包含以下步驟：
2.如權利要求1所述的方法，其中沉積所述材料層的步驟的壓力介于2mTorr與6mTorr之間。
3.如權利要求1所述的方法，其中施加至所述基板的所述偏壓介于40瓦特與100瓦特之間。
4.如權利要求1所述的方法，其中所述材料層的所述厚度介于100納米與2500納米之間。
5.如權利要求1所述的方法，其中用于沉積所述材料層的功率介于4kW與10kW之間。
6.如權利要求1所述的方法，其中施加至所述基板的所述偏壓介于40瓦特與80瓦特之間，并且其中使用所述偏壓來減小所述基板的弓形彎曲輪廓。
7.如權利要求1所述的方法，其中調整所述偏壓的步驟包含以下步驟：
8.如權利要求1所述的方法，其中所述材料層包含氮化鋁。
9.如權利要求8所述的方法，其中所述材料層進一步包含在1原子百分比與10原子百分比之間的濃度中的鈧。
10.如權利要求8所述的方法，其中所述材料層進一步包含在10原子百分比與25原子百分比之間的濃度中的
11.一種用于在基板上沉積復合氮化物材料的方法，所述方法順序地包含以下步驟：
12.如權利要求11所述的方法，其中沉積所述材料層的步驟的壓力介于2mTorr與6mTorr之間。
13.如權利要求11所述的方法，其中施加至所述基板的所述偏壓介于40瓦特與80瓦特之間。
14.一種用于在基板上沉積復合氮化物材料的方法，所述方法包含以下步驟：獲得所測量的基板弓形彎曲；
15.如權利要求14所述的方法，進一步包含在所述材料層上執行氬轟擊工藝，其中所述氬轟擊工藝包含：產生定位在所述基板的表面上的氬等離子體；和將所述材料層暴露至所述氬等離子體以降低所述材料層的表面粗糙度，并且其中所述氬轟擊工藝的功率介于250W與1000W之間且所述氬轟擊工藝的持續時間介于10秒與400秒之間。
16.如權利要求15所述的方法，其中用于沉積所述材料層的功率介于4kW與10kW之間。
17.如權利要求14所述的方法，其中所述材料層的厚度介于100納米與2500納米之間。
18.如權利要求14所述的方法，其中所述材料層包含氮化鋁。
19.如權利要求18所述的方法，其中所述材料層進一步包含在1原子百分比與10原子百分比之間的濃度中的鈧。
20.如權利要求18所述的方法，其中所述材料層進一步包含在10原子百分比與25原子百分比之間的濃度中的鈧。
...【技術特征摘要】
1.一種用于在基板上沉積復合氮化物材料的方法，所述方法包含以下步驟：
2.如權利要求1所述的方法，其中沉積所述材料層的步驟的壓力介于2mtorr與6mtorr之間。
3.如權利要求1所述的方法，其中施加至所述基板的所述偏壓介于40瓦特與100瓦特之間。
4.如權利要求1所述的方法，其中所述材料層的所述厚度介于100納米與2500納米之間。
5.如權利要求1所述的方法，其中用于沉積所述材料層的功率介于4kw與10kw之間。
6.如權利要求1所述的方法，其中施加至所述基板的所述偏壓介于40瓦特與80瓦特之間，并且其中使用所述偏壓來減小所述基板的弓形彎曲輪廓。
7.如權利要求1所述的方法，其中調整所述偏壓的步驟包含以下步驟：
8.如權利要求1所述的方法，其中所述材料層包含氮化鋁。
9.如權利要求8所述的方法，其中所述材料層進一步包含在1原子百分比與10原子百分比之間的濃度中的鈧。
10.如權利要求8所述的方法，其中所述材料層進一步包含在10原子百分比與25原子百分比之間的濃度中的鈧。
11.一種用于在基板上沉積復合氮化物材料的方法，所述方法順序地包含以下步驟：
12.如權利要求11...
【專利技術屬性】
技術研發人員：楊子浩，朱明偉，奈格·B·帕蒂班德拉，曹勇，張書錨，陳哲擘，陸勤，丹尼爾·李·迪爾，唐先敏，
申請(專利權)人：應用材料公司，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。