【技術實現步驟摘要】
本公開涉及半導體，并且更具體地，涉及一種晶體管以及包括該晶體管的半導體裝置。
技術介紹
1、諸如金屬氧化物半導體場效應晶體管(metal-oxide-semiconductor?fieldeffect?transistor，mosfet)之類的各種各樣的晶體管被廣泛地應用于集成電路中。隨著半導體技術的進步，集成電路朝著高集成度和小型化的方向不斷發展。為此，晶體管的尺寸被設計得越來越小，使得晶體管中的溝道長度也隨之減小。當晶體管中的溝道長度過小時，容易出現“短溝道效應(short?channel?effect)”，其可能對晶體管的性能造成不利影響。
技術實現思路
1、在下文中給出了關于本公開的簡要概述，以便提供關于本公開的一些方面的基本理解。但是，應當理解，這個概述并不是關于本公開的窮舉性概述。它并不是意圖用來確定本公開的關鍵性部分或重要部分，也不是意圖用來限定本公開的范圍。其目的僅僅是以簡化的形式給出關于本公開的某些概念，以此作為稍后給出的更詳細描述的前序。
2、根據本公開的第一方面，提供了一種晶體管。該晶體管包括：襯底，在襯底中設置有具有第一摻雜類型的有源區；設置于有源區上的柵極結構；設置于有源區中的位于柵極結構的相對側的具有第二摻雜類型的源極區和漏極區，其中，源極區與漏極區在與襯底的厚度方向平行的第一方向上相對于彼此偏移；設置于源極區和漏極區之間的斜面，該斜面不平行于第一方向且不平行于與襯底的厚度方向垂直的第二方向延伸；以及設置于有源區中的位于源極區和漏極區之間的溝
3、在一些實施例中，該斜面與第二方向之間的夾角在45°至75°之間。
4、在一些實施例中，導電溝道還包括以下至少之一：位于源極區與第一部分之間的第二部分，該第二部分與源極區在第一方向上彼此對齊；位于漏極區與第一部分之間的第三部分，該第三部分與漏極區在第一方向上彼此對齊。
5、在一些實施例中，晶體管還包括設置于源極區和漏極區之間的凹槽，溝道區至少部分地由該凹槽限定，其中，導電溝道包括沿該凹槽的表面延伸的第四部分。
6、在一些實施例中，該凹槽包括該斜面，導電溝道的第四部分包括第一部分。
7、在一些實施例中，該凹槽與該斜面連接，導電溝道的第四部分與第一部分連接。
8、根據本公開的第二方面，提供了一種晶體管。該晶體管包括：襯底，在襯底中設置有具有第一摻雜類型的有源區；設置于有源區上的柵極結構；設置于有源區中的位于柵極結構的相對側的具有第二摻雜類型的源極區和漏極區，其中，源極區與漏極區在與襯底的厚度方向平行的第一方向上相對于彼此偏移；設置于源極區和漏極區之間的凹槽；以及設置于有源區中的位于源極區和漏極區之間的溝道區，該溝道區至少部分地由凹槽限定，其中，當該晶體管導通時，在溝道區中形成有連接源極區和漏極區的導電溝道，該導電溝道包括沿凹槽的表面延伸的第一部分。
9、在一些實施例中，凹槽的側壁沿第一方向延伸。
10、在一些實施例中，凹槽的側壁和/或底面不平行于第一方向且不平行于與襯底的厚度方向垂直的第二方向延伸。
11、在一些實施例中，導電溝道還包括以下至少之一：位于源極區與第一部分之間的第二部分，該第二部分與源極區在第一方向上彼此對齊；位于漏極區與第一部分之間的第三部分，該第三部分與漏極區在第一方向上彼此對齊。
12、在一些實施例中，該晶體管還包括設置于源極區和漏極區之間的多個凹槽，溝道區至少部分地由該多個凹槽限定，其中，導電溝道包括沿該多個凹槽的表面延伸的部分。
13、根據本公開的第三方面，提供了一種半導體裝置。該半導體裝置包括根據本公開的第一方面或第二方面的任一實施例所述的晶體管。
14、通過以下參照附圖對本公開的示例性實施例的詳細描述，本公開的其它特征及其優點會變得更為清楚。
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1.一種晶體管，其特征在于，所述晶體管包括：
2.根據權利要求1所述的晶體管，其特征在于，所述斜面與所述第二方向之間的夾角在45°至75°之間。
3.根據權利要求1所述的晶體管，其特征在于，所述導電溝道還包括以下至少之一：
4.根據權利要求1所述的晶體管，其特征在于，所述晶體管還包括設置于所述源極區和所述漏極區之間的凹槽，所述溝道區至少部分地由所述凹槽限定，其中，所述導電溝道包括沿所述凹槽的表面延伸的第四部分。
5.根據權利要求4所述的晶體管，其特征在于，所述凹槽包括所述斜面，所述導電溝道的所述第四部分包括所述第一部分。
6.根據權利要求4所述的晶體管，其特征在于，所述凹槽與所述斜面連接，所述導電溝道的所述第四部分與所述第一部分連接。
7.一種晶體管，其特征在于，所述晶體管包括：
8.根據權利要求7所述的晶體管，其特征在于，
9.根據權利要求7所述的晶體管，其特征在于，所述導電溝道還包括以下至少之一：
10.根據權利要求7所述的晶體管，其特征在于，所述晶體管還包括設置于所述
11.一種半導體裝置，其特征在于，所述半導體裝置包括根據權利要求1至10中任一項所述的晶體管。
...【技術特征摘要】
1.一種晶體管，其特征在于，所述晶體管包括：
2.根據權利要求1所述的晶體管，其特征在于，所述斜面與所述第二方向之間的夾角在45°至75°之間。
3.根據權利要求1所述的晶體管，其特征在于，所述導電溝道還包括以下至少之一：
4.根據權利要求1所述的晶體管，其特征在于，所述晶體管還包括設置于所述源極區和所述漏極區之間的凹槽，所述溝道區至少部分地由所述凹槽限定，其中，所述導電溝道包括沿所述凹槽的表面延伸的第四部分。
5.根據權利要求4所述的晶體管，其特征在于，所述凹槽包括所述斜面，所述導電溝道的所述第四部分包括所述第一部分。
6.根據權利要求4所述的晶體...
【專利技術屬性】
技術研發人員：林江山，王遠枝，葉蕾，黃永彬，
申請(專利權)人：上海積塔半導體有限公司，
類型：新型
國別省市：
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