本發明專利技術涉及一種圖像傳感器結構的制備方法及圖像傳感器結構，涉及半導體技術領域。該圖像傳感器結構的制備方法中，將光電二極管與共射極三極管同時制備，并集成在同一個襯底上，實現了圖像傳感器結構的小型化。將光電二極管的第一摻雜區與共射極三極管的基極區通過連接結構連接，當光電二極管接收到光信號后，將光信號轉換為電信號，然后電信號通過連接結構傳輸給共射極三極管，共射極三極管會進一步將該電信號放大。電信號變大會增加圖像傳感器的成像質量，由于共射極三極管的存在，即使接收到的光信號較弱使得光電二極管產生的電信號也很弱，該圖像傳感器結構也會將電信號放大，從而提高暗環境下圖像傳感器的成像質量。
【技術實現步驟摘要】
本申請涉及半導體，特別是涉及一種圖像傳感器結構的制備方法及圖像傳感器結構。
技術介紹
1、cmos圖像傳感器是一種將光信號轉換為電信號的裝置，廣泛應用于數字攝影、視頻通信等領域。
2、cmos圖像傳感器的工作原理是將入射光匯聚進入光電二極管的光學區域，光電二極管接收到光信號后轉化為電信號，進而轉化為圖像信號。由于現有的cmos圖像傳感器的尺寸受到電子產品的內部空間限制，導致入射到光電二極管上的光信號變弱，圖像傳感器的成像質量減弱。
3、基于此，如何增加圖像傳感器的成像質量成為了本領域技術人員亟需解決的技術問題。
技術實現思路
1、基于此，有必要針對如何增加圖像傳感器的成像質量提供一種圖像傳感器結構的制備方法及圖像傳感器結構。
2、為了實現上述目的，一方面，本專利技術提供了一種圖像傳感器結構的制備方法，包括：
3、提供襯底；
4、于所述襯底內形成溝槽隔離結構，所述溝槽隔離結構的相對設置的兩側分別為第一區域以及第二區域；
5、于所述第一區域內形成光電二極管，且于所述第二區域內形成共射極三極管，所述光電二極管包括位于所述襯底內的第一摻雜區，所述共射極三極管包括位于所述襯底內的基極區，所述基極區與所述第一摻雜區具有相同的導電類型；
6、形成連接所述第一摻雜區與所述基極區的連接結構。
7、在其中一個實施例中，所述于所述第一區域內形成光電二極管，且于所述第二區域內形成共射極三極管，包括：
>8、形成覆蓋所述襯底以及所述溝槽隔離結構的第一注入阻擋層；9、基于所述第一注入阻擋層對所述襯底進行第一導電類型的離子注入，分別在所述第一區域的所述襯底內形成所述第一摻雜區，在所述第二區域的所述襯底內形成基極區；
10、去除所述第一注入阻擋層；
11、形成覆蓋所述襯底以及所述溝槽隔離結構的第二注入阻擋層；
12、基于所述第二注入阻擋層對所述襯底進行第二導電類型的離子注入，分別在所述第一區域的所述襯底內形成第二摻雜區，在所述第二區域的所述襯底內形成集電極區與發射極區；所述集電極區與所述發射極區分別位于所述基極區的兩側，且所述第二摻雜區與所述第一摻雜區連接；
13、去除所述第二注入阻擋層。
14、在其中一個實施例中，所述于所述第一區域內形成光電二極管，且于所述第二區域內形成共射極三極管，還包括：
15、于所述基極區上形成基極電極。
16、在其中一個實施例中，所述于所述第一區域內形成光電二極管，且于所述第二區域內形成共射極三極管之后，包括：
17、于所述發射極區遠離所述基極區的一側形成負載電阻。
18、在其中一個實施例中，所述于所述發射極區遠離所述基極區的一側形成負載電阻，包括：
19、在所述共射極三極管遠離所述溝槽隔離結構的一側形成凹槽；
20、在所述凹槽內形成所述負載電阻。
21、在其中一個實施例中，所述連接結構包括第一互連結構、第二互連結構以及連接部；所述形成所述連接結構，包括：
22、形成覆蓋所述襯底、所述光電二極管以及所述共射極三極管的介質層；
23、于所述介質層形成第一互連孔、第二互連孔以及第三互連孔；
24、于所述第一互連孔、所述第二互連孔以及所述第三互連孔內填充導電材料，以形成所述第一互連結構、所述第二互連結構以及第三互聯結構；所述第一互連結構與所述第一摻雜區連接、所述第二互連結構與所述基極區連接以及所述第三互聯結構與所述負載電阻連接；
25、于所述第一互連結構、所述第二互連結構以及所述介質層上形成所述連接部。
26、另一方面，本專利技術還提供了一種圖像傳感器結構，包括：
27、襯底；
28、溝槽隔離結構，所述溝槽隔離結構位于所述襯底內，所述溝槽隔離結構的相對設置的兩側分別為第一區域以及第二區域；
29、光電二極管，所述光電二極管位于所述第一區域的一側，且所述光電二極管包括位于所述襯底內的第一摻雜區；
30、共射極三極管，所述共射極三極管位于所述第二區域的一側，且所述共射極三極管包括位于所述襯底內的基極區，所述基極區與所述第一摻雜區具有相同的導電類型；
31、連接結構，所述連接結構連接所述第一摻雜區與所述基極區。
32、在其中一個實施例中，所述光電二極管還包括第二摻雜區，所述第二摻雜區位于所述第一區域的所述襯底內；所述第二摻雜區與所述第一摻雜區連接；
33、所述共射極三極管還包括集電極區與發射極區，所述集電極區與所述發射極區位于所述第二區域的所述襯底內，且所述集電極區與所述發射極區分別位于所述基極區的兩側；
34、所述共射極三極管還包括位于所述基極區上的基極電極。
35、在其中一個實施例中，所述圖像傳感器還包括：
36、負載電阻，所述負載電阻位于所述發射極區遠離所述基極區的一側。
37、在其中一個實施例中，所述圖像傳感器還包括：
38、介質層，所述介質層覆蓋所述襯底、所述光電二極管以及所述共射極三極管；
39、位于所述介質層中的連接結構，所述連接結構包括：第一互連結構、第二互連結構以及連接部；所述第一互連結構與所述第一摻雜區連接、所述第二互連結構與所述基極區連接、所述連接部連接所述第一互連結構與所述第二互連結構；
40、位于所述介質層中的第三互聯結構，所述第三互聯結構與所述負載電阻連接。
41、與現有技術相比，上述技術方案具有以下優點：
42、在該圖像傳感器結構的制備方法中，首先提供襯底，并在襯底中形成溝槽隔離結構，溝槽隔離結構將襯底分隔為相對設置的第一區域以及第二區域。然后在第一區域中形成光電二極管，在第二區域中形成共射極三極管，光電二極管包括位于襯底內的第一摻雜區，共射極三極管包括位于襯底內的基極區，基極區與第一摻雜區具有相同的導電類型，將光電二極管與共射極三極管同時形成，并集成在同一個襯底上，實現了圖像傳感器結構的小型化。將光電二極管的第一摻雜區與共射極三極管的基極區通過連接結構連接，當光電二極管接收到光信號后，將光信號轉換為電信號，并將電信號通過連接結構傳輸給共射極三極管，共射極三極管會進一步將該電信號放大。電信號變大會增加圖像傳感器的成像質量，由于共射極三極管的存在，即使接收到的光信號較弱使得光電二極管產生的電信號也很弱，該圖像傳感器結構也會將電信號放大，從而提高暗環境下圖像傳感器的成像質量。
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【技術保護點】
1.一種圖像傳感器結構的制備方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的圖像傳感器結構的制備方法，其特征在于，所述于所述第一區域內形成光電二極管，且于所述第二區域內形成共射極三極管，包括：
3.根據權利要求2所述的圖像傳感器結構的制備方法，其特征在于，所述于所述第一區域內形成光電二極管，且于所述第二區域內形成共射極三極管，還包括：
4.根據權利要求2所述的圖像傳感器結構的制備方法，其特征在于，所述于所述第一區域內形成光電二極管，且于所述第二區域內形成共射極三極管之后，包括：
5.根據權利要求4所述的圖像傳感器結構的制備方法，其特征在于，所述于所述發射極區遠離所述基極區的一側形成負載電阻，包括：
6.根據權利要求4所述的圖像傳感器結構的制備方法，其特征在于，所述連接結構包括第一互連結構、第二互連結構以及連接部；所述形成所述連接結構，包括：
7.一種圖像傳感器結構，其特征在于，包括：
8.根據權利要求7所述的圖像傳感器結構，其特征在于，所述光電二極管還包括第二摻雜區，所述第二摻雜區位于所述第一區域的所述襯底內；所述第二摻雜區與所述第一摻雜區連接；
9.根據權利要求8所述的圖像傳感器結構，其特征在于，所述圖像傳感器結構還包括：
10.根據權利要求9所述的圖像傳感器結構，其特征在于，所述圖像傳感器結構還包括：
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【技術特征摘要】
1.一種圖像傳感器結構的制備方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的圖像傳感器結構的制備方法，其特征在于，所述于所述第一區域內形成光電二極管，且于所述第二區域內形成共射極三極管，包括：
3.根據權利要求2所述的圖像傳感器結構的制備方法，其特征在于，所述于所述第一區域內形成光電二極管，且于所述第二區域內形成共射極三極管，還包括：
4.根據權利要求2所述的圖像傳感器結構的制備方法，其特征在于，所述于所述第一區域內形成光電二極管，且于所述第二區域內形成共射極三極管之后，包括：
5.根據權利要求4所述的圖像傳感器結構的制備方法，其特征在于，所述于所述發射極區遠...
【專利技術屬性】
技術研發人員：王坤，應程，方萬一，王成宏，
申請(專利權)人：湖北江城芯片中試服務有限公司，
類型：發明
國別省市：
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