【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及顯示封裝，特別是涉及一種抑制micro-led鍵合過程中翹曲的薄膜結構及其制備方法。
技術介紹
1、基于微型發光二極管(micro?led)的顯示技術具有發光亮度高，分辨率高，色域廣，功耗小的優點，被廣泛應用于近眼顯示、汽車車燈、超大顯示屏等領域，被認為是新一代現實技術。
2、在micro-led器件集成過程中，鍵合技術的選擇和實現是影響器件最終性能的關鍵環節之一。目前，倒裝鍵合技術憑借其獨特的優勢成為業界的主流選擇。倒裝鍵合技術通過直接將led芯片以“倒扣”的方式連接到驅動基板上，不僅縮短了電流路徑，提高了電性能，還促進了熱量的有效散出，有利于提升器件的整體效率與穩定性。然而，盡管倒裝鍵合技術具有諸多優點，但在實際操作過程中仍面臨諸多挑戰。特別是當涉及到藍寶石襯底與si基板的結合時，兩者截然不同的熱膨脹系數成為了制約鍵合質量的關鍵因素。倒裝鍵合中需要施加一定的溫度和壓力，當溫度較高時，這種熱膨脹系數的差異會導致界面處應力分布極不均勻，進而引發器件的翹曲變形。翹曲不僅影響了芯片與基板之間的精確對準，還可能造成電氣連接的失效，甚至損壞micro-led結構，從而顯著降低鍵合的良率和器件的可靠性。
技術實現思路
1、本專利技術的目的是提供一種抑制micro-led鍵合過程中翹曲的薄膜結構及其制備方法，能夠緩解在倒裝鍵合的過程中由于藍寶石和si的熱膨脹系數不匹配引起的翹曲。
2、為實現上述目的，本專利技術提供了如下方案：
3、一種抑制mi
4、可選地，所述所述目標材料薄膜采用aln薄膜。
5、本專利技術還提供了一種抑制micro-led鍵合過程中翹曲的薄膜結構的制備方法，包括：
6、步驟101：將芯片放置在peald設備的真空腔室，通入al源和n源，并控制生長的溫度，溫度區間為50℃～220℃；
7、步驟102：將si基板放在hf中清洗，去掉表面的sio2層，在去離子水清洗后，用n2吹干；
8、步驟103：將清洗干凈的基板放置在peald設備中，通入al源和n源，并設定生長溫度區間；
9、步驟104：冷卻后的芯片和基板用乙醇清洗，吹干后進行倒裝鍵合；
10、步驟105：通過激光或化學溶液的方式剝離micro-led芯片的藍寶石襯底和表面的aln薄膜；
11、步驟106：將去除藍寶石襯底和表面的aln薄膜后的器件放在koh溶液中，浸泡5min～60min，去除si基板上的aln薄膜。
12、可選地，所述al源采用三甲基。
13、可選地，所述n源采用等離子化的n2/h2混合氣。
14、可選地，所述步驟103中的生長溫度區間為150℃-200℃。
15、可選地，所述步驟104中倒裝鍵合的鍵合溫度為150℃～250℃。
16、可選地，所述步驟104中倒裝鍵合的鍵合壓力為1n～30kn。
17、可選地，所述步驟104中倒裝鍵合的鍵合時間為10s～60min。
18、根據本專利技術提供的具體實施例，本專利技術公開了以下技術效果：
19、本專利技術公開了一種抑制micro-led鍵合過程中翹曲的薄膜結構及其制備方法，所述薄膜結構包括所述薄膜結構包括：在芯片和基板的鍵合過程中，將目標材料薄膜沉積在藍寶石襯底和si基板的背面；所述目標材料薄膜的熱膨脹系數介于藍寶石和si之間。本專利技術通過引入目標熱膨脹系數的緩沖層，緩解了因熱膨脹系數不匹配導致的應力集中與器件翹曲問題，并提升了micro-led倒裝鍵合的精度與良率。不僅增強了器件的電氣連接穩定性，還優化了熱管理性能，為micro-led的高性能集成與應用奠定了堅實基礎。
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1.一種抑制Micro-LED鍵合過程中翹曲的薄膜結構，其特征在于，包括：在芯片和基板的鍵合過程中，將目標材料薄膜沉積在藍寶石襯底和Si基板的背面；所述目標材料薄膜的熱膨脹系數介于藍寶石和Si之間。
2.根據權利要求1所述的抑制Micro-LED鍵合過程中翹曲的薄膜結構，其特征在于，所述所述目標材料薄膜采用AlN薄膜。
3.一種抑制Micro-LED鍵合過程中翹曲的薄膜結構的制備方法，其特征在于，包括：
4.根據權利要求3所述的抑制Micro-LED鍵合過程中翹曲的薄膜結構的制備方法，其特征在于，所述Al源采用三甲基。
5.根據權利要求3所述的抑制Micro-LED鍵合過程中翹曲的薄膜結構的制備方法，其特征在于，所述N源采用等離子化的N2/H2混合氣。
6.根據權利要求3所述的抑制Micro-LED鍵合過程中翹曲的薄膜結構的制備方法，其特征在于，所述步驟103中的生長溫度區間為150℃-200℃。
7.根據權利要求3所述的抑制Micro-LED鍵合過程中翹曲的薄膜結構的制備方法，其特征在于，所述步驟104中倒
8.根據權利要求3所述的抑制Micro-LED鍵合過程中翹曲的薄膜結構的制備方法，其特征在于，所述步驟104中倒裝鍵合的鍵合壓力為1N～30KN。
9.根據權利要求3所述的抑制Micro-LED鍵合過程中翹曲的薄膜結構的制備方法，其特征在于，所述步驟104中倒裝鍵合的鍵合時間為10s～60min。
...【技術特征摘要】
1.一種抑制micro-led鍵合過程中翹曲的薄膜結構，其特征在于，包括：在芯片和基板的鍵合過程中，將目標材料薄膜沉積在藍寶石襯底和si基板的背面；所述目標材料薄膜的熱膨脹系數介于藍寶石和si之間。
2.根據權利要求1所述的抑制micro-led鍵合過程中翹曲的薄膜結構，其特征在于，所述所述目標材料薄膜采用aln薄膜。
3.一種抑制micro-led鍵合過程中翹曲的薄膜結構的制備方法，其特征在于，包括：
4.根據權利要求3所述的抑制micro-led鍵合過程中翹曲的薄膜結構的制備方法，其特征在于，所述al源采用三甲基。
5.根據權利要求3所述的抑制micro-led鍵合過程中翹曲的薄膜結構的制備方法，其特征在于，所述n源采...
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