【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體，特別是涉及一種改善臺面結構削角的方法。
技術介紹
1、全耗盡sgt(溝槽柵)，中壓sgt通常是半耗盡的設計方案。業界領先水平采用全耗盡(full?sgt)方案，rsp(寄生電阻)相較可以降低30％以上，導通損耗小。
2、全耗盡(full?sgt)采用深溝槽工藝及ipo(柵極間氧化層)干法刻蝕工藝。工藝流程中mesa(臺面結構)容易被削角，影響后續源區注入結深，易發生短溝漏電。
3、為解決上述問題，需要提出一種新型的改善臺面結構削角的方法。
技術實現思路
1、鑒于以上所述現有技術的缺點，本專利技術的目的在于提供一種改善臺面結構削角的方法，用于解決現有技術中臺面結構容易被削角，影響后續源區注入結深，易發生短溝漏電的問題。
2、為實現上述目的及其他相關目的，本專利技術提供一種改善臺面結構削角的方法，包括：
3、步驟一、提供襯底，在所述襯底上形成ono層，所述ono層由自下而上依次堆疊的第一氧化層、氮化層、第二氧化層組成，在所述ono層及其下方的所述襯底上形成深溝槽，所述深溝槽間的所述襯底為臺面結構；
4、步驟二、利用熱氧化的方法在所述深溝槽表面形成第三氧化層，利用回刻蝕的方法控制所述氮化層相對于所述臺面結構的突出量為第一長度；
5、步驟三、依次在所述深溝槽中形成第四氧化層和第一多晶硅層，回刻蝕所述第一多晶硅層至所需高度；
6、步驟四、在所述第一多晶硅層上形成第五氧化層，在所述第五氧化
7、步驟五、以所述光刻膠層和所述氮化層作為刻蝕阻擋層，利用刻蝕的方法在所述臺面結構和所述深溝槽之間形成淺溝槽，去除所述光刻膠層和剩余的所述ono層；
8、步驟六、依次在所述淺溝槽中形成第六氧化層和第二多晶硅層，回刻蝕所述第二多晶硅層至所需高度。
9、優選地，步驟一中利用光刻、刻蝕的方法形成所述深溝槽。
10、優選地，步驟二中的所述回刻蝕為濕法刻蝕。
11、優選地，步驟二中的所述第一長度為500至800埃。
12、優選地，步驟三中的所述第四氧化層為無滲入雜質硅酸鹽玻璃。
13、優選地，步驟三中的所述回刻蝕的方法為干法刻蝕。
14、優選地，步驟五中的所述刻蝕的方法為干法刻蝕。
15、優選地，步驟五中利用灰化工藝和濕法清洗的方法去除所述光刻膠層。
16、優選地，步驟五中利用濕法刻蝕的方法去除剩余的所述ono層。
17、優選地，步驟六中的所述回刻蝕的方法為干法刻蝕。
18、如上所述，本專利技術的改善臺面結構削角的方法，具有以下有益效果：
19、本專利技術能夠改善臺面結構的削角問題。
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1.一種改善臺面結構削角的方法，其特征在于，至少包括：
2.根據權利要求1所述的改善臺面結構削角的方法，其特征在于：步驟一中利用光刻、刻蝕的方法形成所述深溝槽。
3.根據權利要求1所述的改善臺面結構削角的方法，其特征在于：步驟二中的所述回刻蝕為濕法刻蝕。
4.根據權利要求1所述的改善臺面結構削角的方法，其特征在于：步驟二中的所述第一長度為500至800埃。
5.根據權利要求1所述的改善臺面結構削角的方法，其特征在于：步驟三中的所述第四氧化層為無滲入雜質硅酸鹽玻璃。
6.根據權利要求1所述的改善臺面結構削角的方法，其特征在于：步驟三中的所述回刻蝕的方法為干法刻蝕。
7.根據權利要求1所述的改善臺面結構削角的方法，其特征在于：步驟五中的所述刻蝕的方法為干法刻蝕。
8.根據權利要求1所述的改善臺面結構削角的方法，其特征在于：步驟五中利用灰化工藝和濕法清洗的方法去除所述光刻膠層。
9.根據權利要求1所述的改善臺面結構削角的方法，其特征在于：步驟五中利用濕法刻蝕的方法去除剩余的所述ONO層。p>
10.根據權利要求1所述的改善臺面結構削角的方法，其特征在于：步驟六中的所述回刻蝕的方法為干法刻蝕。
...【技術特征摘要】
1.一種改善臺面結構削角的方法，其特征在于，至少包括：
2.根據權利要求1所述的改善臺面結構削角的方法，其特征在于：步驟一中利用光刻、刻蝕的方法形成所述深溝槽。
3.根據權利要求1所述的改善臺面結構削角的方法，其特征在于：步驟二中的所述回刻蝕為濕法刻蝕。
4.根據權利要求1所述的改善臺面結構削角的方法，其特征在于：步驟二中的所述第一長度為500至800埃。
5.根據權利要求1所述的改善臺面結構削角的方法，其特征在于：步驟三中的所述第四氧化層為無滲入雜質硅酸鹽玻璃。
6.根據權利要求1所述...
【專利技術屬性】
技術研發人員：蔡晨，時彬彬，李亮，
申請(專利權)人：上海華虹宏力半導體制造有限公司，
類型：發明
國別省市：
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