【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本申請涉及半導(dǎo)體工藝的，具體涉及一種提高器件柵極高度均一性的方法。
技術(shù)介紹
1、目前，在一種半導(dǎo)體器件中，多晶硅的膜層結(jié)構(gòu)通常采用多晶硅-氮化硅-氧化層，并采用化學(xué)機械研磨工藝和回刻工藝使得多晶硅達到需求高度。然而，由于芯片內(nèi)圖形的密度不同，在膜層結(jié)構(gòu)沉積后會存在負載問題，在經(jīng)過了化學(xué)機械研磨工藝和回刻工藝之后，負載問題會進一步增大，從而影響器件柵極高度的一致性，導(dǎo)致器件均一性波動很大。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、為了解決上述問題，本申請?zhí)峁┝艘环N提高器件柵極高度均一性的方法。
2、本申請實施例提供了一種提高器件柵極高度均一性的方法，包括：s1：提供一基底，所述基底表面形成有氧化層，所述基底上形成有間隔設(shè)置的多個凸起結(jié)構(gòu)，所述凸起結(jié)構(gòu)貫穿所述氧化層且高出所述氧化層；
3、s2：在所述氧化層上沉積柵極多晶硅層，所述柵極多晶硅層高于所述凸起結(jié)構(gòu)，所述柵極多晶硅層表層形成有第一低洼區(qū)域；
4、s3：在所述柵極多晶硅層表面沉積氮化硅層，所述氮化硅層表層形成有第二低洼區(qū)域，所述第二低洼區(qū)域位于所述第一低洼區(qū)域上方；
5、s4：在所述氮化硅層上形成保護多晶硅層，所述保護多晶硅層表層形成有第三低洼區(qū)域，所述第三低洼區(qū)域位于所述第二低洼區(qū)域上方；
6、s5：對所述保護多晶硅層進行化學(xué)機械研磨工藝，并停止在所述氮化硅層表面，所述化學(xué)機械研磨工藝所使用的研磨液中含有抑制劑，所述抑制劑減緩對所述第三低洼區(qū)域的研磨速率；
7、s6：進行回刻
8、在一些實施例中，在所述s2中，采用化學(xué)氣相沉積工藝在所述氧化層上沉積柵極多晶硅層。
9、在一些實施例中，在所述s3中，采用化學(xué)氣相沉積工藝在所述柵極多晶硅層表面沉積氮化硅層。
10、在一些實施例中，在所述對所述保護多晶硅層進行化學(xué)機械研磨工藝，并停止在所述氮化硅層表面之后，所述氮化硅層表層的所述第二低洼區(qū)域內(nèi)殘留有保護多晶硅層，殘留的所述保護多晶硅層在所述回刻工藝中被去除。
11、在一些實施例中，沉積的所述保護多晶硅層的厚度大于所述柵極多晶硅層的厚度。
12、本申請技術(shù)方案，至少包括如下優(yōu)點：
13、1.?通過使用柵極多晶硅層-氮化硅層-保護多晶硅層的膜層結(jié)構(gòu)，取代現(xiàn)有技術(shù)中柵極多晶硅層-氮化硅層-保護氧化層的膜層結(jié)構(gòu)，在進行化學(xué)機械研磨工藝時，研磨液中的抑制劑會減緩低洼區(qū)域下的保護多晶硅層的研磨速率，使得在后續(xù)回刻工藝完成后，留存的柵極多晶硅層上的低洼區(qū)域的深度降低，使得留存的柵極多晶硅層的表面更為平緩，提高了最終形成器件的柵極高度均一性。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護點】
1.一種提高器件柵極高度均一性的方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高器件柵極高度均一性的方法，其特征在于，在所述S2中，采用化學(xué)氣相沉積工藝在所述氧化層上沉積柵極多晶硅層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高器件柵極高度均一性的方法，其特征在于，在所述S3中，采用化學(xué)氣相沉積工藝在所述柵極多晶硅層表面沉積氮化硅層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高器件柵極高度均一性的方法，其特征在于，在所述對所述保護多晶硅層進行化學(xué)機械研磨工藝，并停止在所述氮化硅層表面之后，所述氮化硅層表層的所述第二低洼區(qū)域內(nèi)殘留有保護多晶硅層，殘留的所述保護多晶硅層在所述回刻工藝中被去除。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高器件柵極高度均一性的方法，其特征在于，沉積的所述保護多晶硅層的厚度大于所述柵極多晶硅層的厚度。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種提高器件柵極高度均一性的方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高器件柵極高度均一性的方法，其特征在于，在所述s2中，采用化學(xué)氣相沉積工藝在所述氧化層上沉積柵極多晶硅層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高器件柵極高度均一性的方法，其特征在于，在所述s3中，采用化學(xué)氣相沉積工藝在所述柵極多晶硅層表面沉積氮化硅層。
4.根據(jù)...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：張冠軍，
申請(專利權(quán))人：上海華力集成電路制造有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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