【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及微波光子芯片高頻封裝，具體涉及一種提高直調激光器封裝帶寬的過渡傳輸載體結構。
技術介紹
1、激光光場調制的方式有外調制和直接調制兩種：利用外部調制器件如電吸收調制器或馬赫-曾德爾調制器進行的調制是外調制，與外調制相比，直接調制具有結構簡單、成本低、線性度高、可靠性高和穩定性高的優點，進而被廣泛應用于光通信系統中。
2、當前，對于大帶寬的激光器芯片而言，封裝成為限制器件整體帶寬的主要因素。在進行封裝設計時，主要從如何完整的傳輸微波信號，如何控制芯片工作時的溫度狀態，如何高效的進行光電轉換這幾個方面進行考慮，從而來確定其傳輸載體結構。射頻信號從管殼饋入一直傳輸至芯片射頻輸入端，由于芯片需要熱電制冷器tec進行溫度控制，則過渡匹配載體至少需要獨立的兩段過渡傳輸線，一段是管殼射頻饋入到載體一，然后再過渡到載體二，通過載體二傳輸至芯片射頻輸入端，為芯片與載體共同接地，載體二與芯片下面放置熱沉，熱沉下面放置溫度制冷器tec。為考慮光電轉換效率，載體二的信號傳輸一側不能太寬。一般的射頻饋入，通常采用微帶、共面波導以及接地共面波導，中間傳輸結構存在特征阻抗轉換和微波模式匹配問題，而電極間的連接，通常采用金絲鍵合的方式，但是金絲鍵合會帶來電寄生效應，存在傳輸損耗大、封裝帶寬窄等不足。
3、因此，需要實現一種提高直調激光器芯片封裝帶寬的過度傳輸載體結構。
技術實現思路
1、本專利技術的目的在于提供一種提高直調激光器芯片封裝帶寬的過渡傳輸載體結構，該提高直調激光器芯
2、為實現上述目的，本專利技術采用了以下技術方案：
3、一種提高直調激光器封裝帶寬的過渡傳輸載體結構，包括過渡傳輸載體結構一、過渡傳輸載體結構二以及鍵合金絲；所述過渡傳輸載體結構一與所述過渡傳輸載體結構二通過鍵合金絲實現金絲級聯。
4、所述過渡傳輸載體結構一包括第一基板；所述第一基板上設置有第一地電極和第一信號傳輸線；所述第一基板上還設置有若干分布在所述第一信號傳輸線兩側的第一伴地孔。
5、所述過渡傳輸載體結構二包括第二基板；所述第二基板上設置有第二地電極和第二信號傳輸線；所述第二基板上還設置有若干分布在所述第二信號傳輸線兩側的第二伴地孔。
6、根據本專利技術優選的，所述過渡傳輸載體結構一采用接地共面波導gsg的傳輸結構。過渡傳輸結構一做成的gsg，其左側gs間距會比過渡傳輸結構一右側的要寬，這樣設計不僅能補償高頻金絲及焊接引入的參數，還能在高頻絕緣子與過渡傳輸結構一進行焊接時有效的仿真焊接短路。
7、根據本專利技術優選的，所述過渡傳輸載體結構二的一端采用接地共面波導gsg結構，另一端采用單根微帶線結構；所述單根微帶線結構的端面與直調激光器芯片射頻偏置通過金絲進行連接，且與高頻電感焊接相連。
8、根據本專利技術優選的，所述過渡傳輸載體結構一與所述過渡傳輸載體結構二的基板邊緣間距在0.1mm以內。
9、根據本專利技術優選的，所述鍵合金絲的兩鍵合點間距在0.2mm以內；所述金絲鍵合的長度在0.25mm以內。
10、根據本專利技術優選的，所述過渡傳輸載體結構一與所述過渡傳輸載體結構二的基板所采用的板材為氧化鋁或者氮化鋁或者玻璃，厚度不大于0.254mm。
11、根據本專利技術優選的，所述過渡傳輸載體結構一與管殼的射頻引線級聯。
12、根據本專利技術優選的，所述過渡傳輸載體結構一與所述過渡傳輸載體結構二采用hfss仿真設計實現。由于直調激光器芯片的實際模型非常復雜，很難將其最真實模型的帶入到hfss模型中，但高頻處的金絲影響又不能忽略，因此，本專利技術在hfss仿真設計時，采用50歐姆微帶來模擬直調激光器芯片的方法，帶入到全鏈路級聯仿真系統中，進行仿真優化設計。
13、和現有技術相比，本專利技術的優點為：
14、本專利技術通過過渡傳輸載體結構一、過渡傳輸載體結構二以及鍵合金絲，將射頻寬帶信號從管殼過渡傳輸至直調激光器芯片射頻偏置端口，補償信號傳輸過程中因傳輸模式轉換及焊接等不連續處的阻抗匹配補償，降低了信號傳輸過程的反射，因此降低了信號傳輸過程中的插損。本專利技術可實現直調激光器芯片封裝后帶寬達32ghz以上，達到了較好的提高直調激光器芯片的封裝帶寬的效果。過渡傳輸結構一及過渡傳輸結構二是本專利技術的專利技術創新點，尤其是其表面圖形結構，這兩款過渡傳輸結構不是按照傳統的50歐姆傳輸線來設計的，用以彌補鍵合金絲引入的寄生參數，采用的技術手段是hfss仿真設計手段。
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1.一種提高直調激光器封裝帶寬的過渡傳輸載體結構，其特征在于，包括過渡傳輸載體結構一(1)、過渡傳輸載體結構二(2)以及鍵合金絲(3)；所述過渡傳輸載體結構一(1)與所述過渡傳輸載體結構二(2)通過鍵合金絲(3)實現金絲級聯；
2.根據權利要求1所述的提高直調激光器封裝帶寬的過渡傳輸載體結構，其特征在于，
3.根據權利要求1所述的提高直調激光器封裝帶寬的過渡傳輸載體結構，其特征在于，
4.根據權利要求1所述的提高直調激光器封裝帶寬的過渡傳輸載體結構，其特征在于，
5.根據權利要求1所述的提高直調激光器封裝帶寬的過渡傳輸載體結構，其特征在于，
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7.根據權利要求1所述的提高直調激光器封裝帶寬的過渡傳輸載體結構，其特征在于，
【技術特征摘要】
1.一種提高直調激光器封裝帶寬的過渡傳輸載體結構，其特征在于，包括過渡傳輸載體結構一(1)、過渡傳輸載體結構二(2)以及鍵合金絲(3)；所述過渡傳輸載體結構一(1)與所述過渡傳輸載體結構二(2)通過鍵合金絲(3)實現金絲級聯；
2.根據權利要求1所述的提高直調激光器封裝帶寬的過渡傳輸載體結構，其特征在于，
3.根據權利要求1所述的提高直調激光器封裝帶寬的過渡傳輸載...
【專利技術屬性】
技術研發人員：姚宗影，楊鵬毅，李子祥，左標，倪濤，
申請(專利權)人：中國電子科技集團公司第四十三研究所，
類型：發明
國別省市：
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