【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及真空壓力測量，尤其涉及一種真空度傳感器及其制造方法。
技術(shù)介紹
1、皮拉尼真空傳感器屬于熱傳導(dǎo)真空傳感器中的一種。其工作原理為：皮拉尼真空傳感器所包括的加熱物體被周圍氣體所傳導(dǎo)的熱量隨氣壓而變化。基于此，通過熱電耦合原理，建立電學(xué)響應(yīng)和真空度的關(guān)系，從而實現(xiàn)真空環(huán)境的壓力監(jiān)測。皮拉尼真空傳感器具有體積小、成本低、能耗低和響應(yīng)快等優(yōu)點，被廣泛應(yīng)用于各種大小真空封裝以及微型腔體的真空度監(jiān)測。
2、但是，現(xiàn)有的皮拉尼真空傳感器的測量范圍較小。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)的目的在于提供一種真空度傳感器及其制造方法，用于擴(kuò)大真空度傳感器的測量范圍。
2、為了實現(xiàn)上述目的，第一方面，本專利技術(shù)提供了一種真空度傳感器。該真空度傳感器包括基底、第一支撐層、熱敏電阻和鈍化層。基底具有絕熱空腔，基底具有相對的第一面和第二面，第一支撐層形成在基底的第一面上。熱敏電阻形成在第一支撐層遠(yuǎn)離基底的一面上，鈍化層覆蓋第一支撐層和熱敏電阻。其中，第一支撐層和鈍化層形成的疊層結(jié)構(gòu)包括與基底對應(yīng)的連接結(jié)構(gòu)，設(shè)置有熱敏電阻的換熱結(jié)構(gòu)以及用于連接換熱結(jié)構(gòu)和連接結(jié)構(gòu)的懸臂梁；懸臂梁和換熱結(jié)構(gòu)均位于絕熱空腔上方。沿第一支撐層至鈍化層的方向，懸臂梁上開設(shè)有至少一個通孔，通孔貫穿懸臂梁，通孔與絕熱空腔連通。
3、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本專利技術(shù)提供的真空度傳感器中，沿第一支撐層至鈍化層的方向，懸臂梁上開設(shè)有至少一個通孔，通孔貫穿懸臂梁，通孔與絕熱空腔連通。在實際工作時，熱量可以通過懸
4、在一種實現(xiàn)方式中，通孔的橫截面形狀為橢圓形或圓形或弧線與線段構(gòu)成的封閉圖形。
5、在一種實現(xiàn)方式中，第一支撐層具有至少一個凸起部和/或至少一個凹陷部；所述鈍化層共形的形成于所述第一支撐層和所述熱敏電阻上。
6、在一種實現(xiàn)方式中，沿所述第一支撐層至所述鈍化層的方向，所述凸起部的截面形狀為三角形或梯形或矩形或弧形與線段構(gòu)成的封閉圖形；所述凹陷部的截面形狀為三角形或梯形或矩形或弧形與線段構(gòu)成的封閉圖形。
7、在一種實現(xiàn)方式中，基底為襯底；沿所述襯底的高度方向，所述絕熱空腔貫穿所述襯底；
8、或，所述基底包括襯底和設(shè)置于所述襯底上的第二支撐層；沿所述第二支撐層至所述襯底的方向，所述絕熱空腔貫穿所述第二支撐層；所述第一支撐層形成在所述第二支撐層上。
9、在一種實現(xiàn)方式中，第一支撐層的材質(zhì)包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一種或多種；
10、所述鈍化層的材質(zhì)包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一種或多種；
11、所述熱敏電阻的材質(zhì)包括金屬合金、鎳、鎢、鉑、鈦、鈷中的一種或多種；或，所述熱敏電阻的材質(zhì)包括多晶硅、氧化釩或陶瓷。
12、第二方面，本專利技術(shù)還提供一種真空度傳感器的制造方法。該真空度傳感器的制造方法包括：
13、提供一基底；基底具有相對的第一面和第二面；
14、在基底的第一面上形成第一支撐層；
15、在第一支撐層遠(yuǎn)離基底的一面上形成熱敏電阻；
16、在第一支撐層和熱敏電阻上形成鈍化層；
17、沿第一支撐層至鈍化層的方向，在第一支撐層和鈍化層上開設(shè)至少一個通孔；通孔同時貫穿第一支撐層和鈍化層；
18、沿基底的高度方向，處理基底以使基底具有絕熱空腔；
19、其中，第一支撐層和鈍化層形成的疊層結(jié)構(gòu)包括與基底對應(yīng)的連接結(jié)構(gòu)，設(shè)置有熱敏電阻的換熱結(jié)構(gòu)以及用于連接換熱結(jié)構(gòu)和連接結(jié)構(gòu)的懸臂梁；懸臂梁和換熱結(jié)構(gòu)均位于絕熱空腔上方；通孔均位于懸臂梁上，通孔與絕熱空腔連通。
20、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本專利技術(shù)提供的真空度傳感器的制造方法的有益效果與上述技術(shù)方案所述真空度傳感器的有益效果相同，此處不做贅述。
21、在一種實現(xiàn)方式中，在所述基底的第一面上形成第一支撐層前，所述真空度傳感器的制造方法還包括：
22、刻蝕所述基底的第一面，以使所述基底具有多個間隔分布的凹槽；
23、和/或，在所述基底的第一面上沉積凸起結(jié)構(gòu)材料層，以在所述基底的第一面上形成多個間隔分布的凸起結(jié)構(gòu)。
24、在一種實現(xiàn)方式中，第一支撐層共形的形成于所述基底的第一面；所述鈍化層共形的形成于所述第一支撐層和所述熱敏電阻上。
25、在一種實現(xiàn)方式中，所述基底為襯底時，沿所述基底的高度方向，處理所述基底以使所述基底具有絕熱空腔包括：沿所述襯底的高度方向，刻蝕所述襯底以使所述襯底具有絕熱空腔，所述絕熱空腔貫穿所述襯底；
26、所述基底包括襯底和設(shè)置于所述襯底上的第二支撐層時，所述第一支撐層形成在所述第二支撐層遠(yuǎn)離所述襯底的一面上；沿所述基底的高度方向，處理所述基底以使所述基底具有絕熱空腔包括：沿所述第二支撐層至所述襯底的方向，刻蝕所述第二支撐層以使所述第二支撐層具有絕熱空腔，所述絕熱空腔貫穿所述第二支撐層。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點】
1.一種真空度傳感器，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空度傳感器，其特征在于，所述通孔的橫截面形狀為橢圓形或圓形或弧線與線段構(gòu)成的封閉圖形。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空度傳感器，其特征在于，所述第一支撐層具有至少一個凸起部和/或至少一個凹陷部；所述鈍化層共形的形成于所述第一支撐層和所述熱敏電阻上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的真空度傳感器，其特征在于，沿所述第一支撐層至所述鈍化層的方向，所述凸起部的截面形狀為三角形或梯形或矩形或弧形與線段構(gòu)成的封閉圖形；所述凹陷部的截面形狀為三角形或梯形或矩形或弧形與線段構(gòu)成的封閉圖形。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空度傳感器，其特征在于，所述基底為襯底；沿所述襯底的高度方向，所述絕熱空腔貫穿所述襯底；
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空度傳感器，其特征在于，所述第一支撐層的材質(zhì)包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一種或多種；
7.一種真空度傳感器的制造方法，其特征在于，包括：
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的真空度傳感器的制造方法，其特征在于，在所述基底的第一面上形成第
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的真空度傳感器的制造方法，其特征在于，所述第一支撐層共形的形成于所述基底的第一面；
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的真空度傳感器的制造方法，其特征在于，
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種真空度傳感器，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空度傳感器，其特征在于，所述通孔的橫截面形狀為橢圓形或圓形或弧線與線段構(gòu)成的封閉圖形。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空度傳感器，其特征在于，所述第一支撐層具有至少一個凸起部和/或至少一個凹陷部；所述鈍化層共形的形成于所述第一支撐層和所述熱敏電阻上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的真空度傳感器，其特征在于，沿所述第一支撐層至所述鈍化層的方向，所述凸起部的截面形狀為三角形或梯形或矩形或弧形與線段構(gòu)成的封閉圖形；所述凹陷部的截面形狀為三角形或梯形或矩形或弧形與線段構(gòu)成的封閉圖形。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空度...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：孫宏霖，趙成圓，吳鋼強(qiáng)，王長春，杜文麗，
申請(專利權(quán))人：蘇州容啟傳感器科技有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
還沒有人留言評論。發(fā)表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。