【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及htcc高溫陶瓷器件，特別是涉及一種htcc陶瓷管殼腔體結構。
技術介紹
1、htcc高溫陶瓷基板區別于一般pcb基板，其可作為一種封裝管殼，表現為形狀不一，且具有深空腔，盲腔和臺階等形狀特征，而這些特征使得化鍍時，容易在陶瓷腔體內壁和臺階棱角處出現滲鍍爬金等現象。
2、htcc陶瓷管殼一般表面需要做鍍鎳金處理，在采用化學鍍鎳金或者鎳鈀金時，對于一些較復雜的結構來說，由于產品存在腔體結構，在腔內拐角處易形成前期處理不充分的區域，使得墻體邊緣處電極異常生長出現溢鍍甚至跨鍍等現象，降低了絕緣電阻，甚至短路，引起產品失效。
3、需要說明的是，在上述
技術介紹
部分公開的信息僅用于對本申請的背景的理解，因此可以包括不構成對本領域普通技術人員已知的現有技術的信息。
技術實現思路
1、本專利技術的主要目的在于克服上述
技術介紹
中存在的缺陷，提供一種htcc陶瓷管殼腔體結構。
2、為實現上述目的，本專利技術采用以下技術方案：
3、一種htcc陶瓷管殼腔體結構，包括：
4、陶瓷腔體，包括陶瓷側壁和陶瓷底面，形成用于封裝電子元件的中空結構；
5、金屬圖案，設置在所述陶瓷底面上，用于形成電路連接路徑，以實現電子元件與外部電路的電連接；
6、絕緣層，設置于所述陶瓷底面與所述陶瓷側壁的連接處，將所述金屬圖案與所述陶瓷腔體的邊緣及拐角分隔，以防止在化鍍過程中在腔體邊緣及拐角處產生爬鍍。
7、進一步地，所述
8、進一步地，所述金屬圖案包括在所述陶瓷腔體內部設置的鍵合指，沿著腔壁的一圈絕緣層覆蓋所述鍵合指靠近陶瓷腔壁處的表面。
9、進一步地，沿著腔壁的一圈絕緣層設置在所述陶瓷側壁表面。
10、進一步地，所述陶瓷腔體的主要成分為氮化鋁、氧化鋁、碳化硅、氮化硅、氧化鈹中的一種或幾種。
11、進一步地，所述金屬圖案的主要成分為鎢、鉬、錳、金、鉑、鈀中的一種或幾種。
12、進一步地，所述絕緣層材料與陶瓷腔體材料相同，主要成分為氮化鋁、氧化鋁、碳化硅、氮化硅、氧化鈹中的一種。
13、進一步地，所述絕緣層的延伸寬度為10-300微米，厚度為5-30微米。
14、進一步地，所述金屬圖案表面化鍍鎳金或鎳鈀金。
15、進一步地，所述金屬圖案通過陶瓷側壁與陶瓷底面的交界線延伸至瓷體內部，并通過通孔、內部線路與管殼外部焊盤相連。
16、本專利技術具有如下有益效果：
17、本專利技術的htcc陶瓷管殼腔體結構通過在陶瓷底面與側壁的連接處設置絕緣層，有效地避免了化鍍過程中在腔體邊緣及拐角處產生的爬鍍現象，從而顯著提高了電子元件封裝的可靠性和穩定性。這種設計不僅防止了因滲鍍爬金導致的絕緣電阻降低和潛在短路風險，還增強了腔壁邊緣的結合強度，減少了金屬圖案邊緣出現裂縫的可能性。此外，絕緣層的引入使得化鍍過程更為可控，提高了產品的一致性和耐用性，尤其是在面對復雜的結構設計時，這種結構的優勢更為明顯，為htcc陶瓷管殼在高性能電子封裝領域的應用提供了一種有效的技術解決方案。
18、本專利技術實施例中的其他有益效果將在下文中進一步述及。
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1.一種HTCC陶瓷管殼腔體結構，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的HTCC陶瓷管殼腔體結構，其特征在于，所述絕緣層覆蓋住所述連接處的金屬圖案。
3.如權利要求2所述的HTCC陶瓷管殼腔體結構，其特征在于，所述金屬圖案包括在所述陶瓷腔體內部設置的鍵合指，沿著腔壁的一圈絕緣層覆蓋所述鍵合指靠近陶瓷腔壁處的表面。
4.如權利要求1所述的HTCC陶瓷管殼腔體結構，其特征在于，沿著腔壁的一圈絕緣層設置在所述陶瓷側壁表面。
5.如權利要求1至4任一項所述的HTCC陶瓷管殼腔體結構，其特征在于，所述陶瓷腔體的主要成分為氮化鋁、氧化鋁、碳化硅、氮化硅、氧化鈹中的一種或幾種。
6.如權利要求1至4任一項所述的HTCC陶瓷管殼腔體結構，其特征在于，所述金屬圖案的主要成分為鎢、鉬、錳、金、鉑、鈀中的一種或幾種。
7.如權利要求1至4任一項所述的HTCC陶瓷管殼腔體結構，其特征在于，所述絕緣層材料與陶瓷腔體材料相同，主要成分為氮化鋁、氧化鋁、碳化硅、氮化硅、氧化鈹中的一種。
8.如權利要求1至7任一項所述的HT
9.如權利要求1至7任一項所述的HTCC陶瓷管殼腔體結構，其特征在于，所述金屬圖案表面化鍍鎳金或鎳鈀金。
10.如權利要求1至7任一項所述的HTCC陶瓷管殼腔體結構，其特征在于，所述金屬圖案通過陶瓷側壁與陶瓷底面的交界線延伸至瓷體內部，并通過通孔、內部線路與管殼外部焊盤相連。
...【技術特征摘要】
1.一種htcc陶瓷管殼腔體結構，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的htcc陶瓷管殼腔體結構，其特征在于，所述絕緣層覆蓋住所述連接處的金屬圖案。
3.如權利要求2所述的htcc陶瓷管殼腔體結構，其特征在于，所述金屬圖案包括在所述陶瓷腔體內部設置的鍵合指，沿著腔壁的一圈絕緣層覆蓋所述鍵合指靠近陶瓷腔壁處的表面。
4.如權利要求1所述的htcc陶瓷管殼腔體結構，其特征在于，沿著腔壁的一圈絕緣層設置在所述陶瓷側壁表面。
5.如權利要求1至4任一項所述的htcc陶瓷管殼腔體結構，其特征在于，所述陶瓷腔體的主要成分為氮化鋁、氧化鋁、碳化硅、氮化硅、氧化鈹中的一種或幾種。
6.如權利要求1至4任一項所述的htcc陶瓷管殼腔體結構，其...
【專利技術屬性】
技術研發人員：郭海，孟繼智，黃韜，張寧寧，
申請(專利權)人：深圳順絡電子股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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