【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體，尤其涉及一種靜電卡盤及薄膜沉積設備。
技術介紹
1、在現代半導體器件制造中，通過氣體的化學反應在半導體晶圓上形成薄膜是一個關鍵步驟。這類沉積工藝稱為化學氣相沉積(chemical?vapor?deposition,cvd)。傳統的cvd工藝中，反應氣體流經晶圓表面，并在晶圓表面發生熱化學反應，從而生成所需的薄膜。另一方面，等離子體增強化學氣相沉積(plasma-enhanced?chemical?vapor?deposition,pecvd)技術通過施加射頻(radio?frequency,rf)能量到接近晶圓表面的反應區域，產生等離子體來促進反應氣體的激發或解離。與傳統的熱cvd工藝相比，等離子體中的高反應活性可以顯著降低化學反應所需的能量，從而降低這類cvd工藝所需的溫度。為進一步利用這些優勢，高密度等離子體化學氣相沉積(high-density?plasma?chemical?vapordeposition,hdp?cvd)技術應運而生。在hdp?cvd工藝中，通過在低真空壓力下形成高密度等離子體，使等離子體內更加活躍，從而進一步提高沉積速率和薄膜質量。在一些cvd應用中，靜電卡盤(electrostatic?chuck,esc)被用于將晶圓支撐在反應腔內。然而，長期以來，靜電卡盤在工藝均勻性方面存在一定的問題，影響薄膜的均勻性和整體性能。
技術實現思路
1、本專利技術的實施例提供了一種靜電卡盤及薄膜沉積設備，旨在解決現有的靜電卡盤工藝均勻性不好，影響薄
2、第一方面，本專利技術提供了一種靜電卡盤，包括：底座、圓環和卡盤本體，所述圓環固設于所述底座的上表面，所述卡盤本體安裝在所述圓環中，所述卡盤本體的上表面用于支撐晶圓，所述底座配置為等離子體的接地端；
3、其中，所述底座的上表面呈平面結構，所述圓環的外側壁與所述底座的外側壁齊平，以使晶圓邊緣等離子體遠離接地端。
4、進一步地，所述底座的上表面外邊緣設有外環定位臺階，所述圓環的下表面內邊緣設有第一內環定位臺階，所述第一內環定位臺階與所述外環定位臺階呈階梯配合。
5、進一步地，所述底座的上表面與所述圓環的下表面為相貼合臺階界面，所述第一內環定位臺階向下凸出于所述臺階界面與所述外環定位臺階配合。
6、進一步地，靜電卡盤還包括隔離板，所述隔離板安裝在所述圓環中且設于所述卡盤本體與所述底座之間，以隔離所述卡盤本體和所述底座。
7、進一步地，所述圓環的內側設有第二內環定位臺階，所述隔離板的側壁和頂壁分別與所述第二內環定位臺階貼合定位。
8、進一步地，所述圓環的內側開設有至少一層環形隔熱槽，每個所述隔熱槽中設有隔熱環。
9、進一步地，所述圓環的外側壁與其頂壁的相交過渡處設置有倒角。
10、進一步地，所述圓環的最大外徑與所述底座的最大外徑相同，所述圓環的上表面內邊緣設有用于支撐晶圓的凸臺，所述凸臺低于所述卡盤本體的上表面。
11、進一步地，所述凸臺的外側設有晶圓定位部，所述晶圓定位部的高度高于所述凸臺的高度。
12、第二方面，本專利技術還提供一種薄膜沉積設備，包括上述的靜電卡盤
13、本專利技術提供一種靜電卡盤及薄膜沉積設備，該靜電卡盤包括：底座、圓環和卡盤本體，卡盤本體的上表面用來支撐晶圓，底座作為等離子體的接地端，圓環固設于在底座的上表面，卡盤本體安裝在圓環中，相對于現有的具有圍邊結構的底座，本申請的底座的上表面呈平面結構，而且圓環的外側壁與底座的外側壁齊平，使得底座呈無圍邊的平頂結構，省去了底座包圍圓環的圍邊結構，這樣卡盤本體上表面的晶圓邊緣的等離子體距離底座更遠，增加了卡盤本體對地回路長度，使得晶圓邊緣等離子體遠離接地端，等離子體越遠離接地端其能量密度則越高，因此提高了晶圓邊緣的等離子能量密度，從而提升了薄膜的均勻性，提高薄膜沉積的質量。
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1.一種靜電卡盤，其特征在于，包括：底座、圓環和卡盤本體，所述圓環固設于所述底座的上表面，所述卡盤本體安裝在所述圓環中，所述卡盤本體的上表面用于支撐晶圓，所述底座配置為等離子體的接地端；
2.根據權利要求1所述的靜電卡盤，其特征在于，所述底座的上表面外邊緣設有外環定位臺階，所述圓環的下表面內邊緣設有第一內環定位臺階，所述第一內環定位臺階與所述外環定位臺階呈階梯配合。
3.根據權利要求2所述的靜電卡盤，其特征在于，所述底座的上表面與所述圓環的下表面為相貼合臺階界面，所述第一內環定位臺階向下凸出于所述臺階界面與所述外環定位臺階配合。
4.根據權利要求1所述的靜電卡盤，其特征在于，還包括隔離板，所述隔離板安裝在所述圓環中且設于所述卡盤本體與所述底座之間，以隔離所述卡盤本體和所述底座。
5.根據權利要求4所述的靜電卡盤，其特征在于，所述圓環的內側設有第二內環定位臺階，所述隔離板的側壁和頂壁分別與所述第二內環定位臺階貼合定位。
6.根據權利要求1所述的靜電卡盤，其特征在于，所述圓環的內側開設有至少一層環形隔熱槽，每個所述隔熱槽中設
7.根據權利要求1所述的靜電卡盤，其特征在于，所述圓環的外側壁與其頂壁的相交過渡處設置有倒角。
8.根據權利要求1-7任一項所述的靜電卡盤，其特征在于，所述圓環的最大外徑與所述底座的最大外徑相同，所述圓環的上表面內邊緣設有用于支撐晶圓的凸臺，所述凸臺低于所述卡盤本體的上表面。
9.根據權利要求8所述的靜電卡盤，其特征在于，所述凸臺的外周側設有晶圓定位部，所述晶圓定位部的高度高于所述凸臺的高度。
10.一種薄膜沉積設備，其特征在于，包括如權利要求1-9任一項所述的靜電卡盤。
...【技術特征摘要】
1.一種靜電卡盤，其特征在于，包括：底座、圓環和卡盤本體，所述圓環固設于所述底座的上表面，所述卡盤本體安裝在所述圓環中，所述卡盤本體的上表面用于支撐晶圓，所述底座配置為等離子體的接地端；
2.根據權利要求1所述的靜電卡盤，其特征在于，所述底座的上表面外邊緣設有外環定位臺階，所述圓環的下表面內邊緣設有第一內環定位臺階，所述第一內環定位臺階與所述外環定位臺階呈階梯配合。
3.根據權利要求2所述的靜電卡盤，其特征在于，所述底座的上表面與所述圓環的下表面為相貼合臺階界面，所述第一內環定位臺階向下凸出于所述臺階界面與所述外環定位臺階配合。
4.根據權利要求1所述的靜電卡盤，其特征在于，還包括隔離板，所述隔離板安裝在所述圓環中且設于所述卡盤本體與所述底座之間，以隔離所述卡盤本體和所述底座。
5.根據權利要求4所述的靜電卡...
【專利技術屬性】
技術研發人員：孫鴻智，楊曉楠，
申請(專利權)人：拓荊創益沈陽半導體設備有限公司，
類型：發明
國別省市：
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