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    一種低卷曲薄型的偏光片用PVA光學膜及其制備方法技術

    技術編號:44477725 閱讀:3 留言:0更新日期:2025-03-04 17:46
    本發明專利技術公開了一種低卷曲薄型的偏光片用PVA光學膜及其制備方法,屬于光學膜生產技術領域,本發明專利技術將PVA樹脂制備的鑄膜原液,經過脫泡流延成膜后,依次經過流延輥、干燥輥和熱處理,獲得PVA光學膜。通過嚴格控制流延輥和干燥輥的溫度,設置合適的溫度梯度,使薄型的PVA光學膜在表面不結皮的情況下,正反面均勻干燥,降低正反面結晶度和含水率差值,兩面結構均一,薄膜在水中彭潤卷曲情況得到明顯改善,整體工藝簡單,實際應用可行度高,使薄型的PVA光學膜的質量顯著提升。

    【技術實現步驟摘要】

    本專利技術屬于光學膜生產,具體涉及一種低卷曲薄型的偏光片用pva光學膜及其制備方法。


    技術介紹

    1、聚乙烯醇光學膜主要用于偏光片的生產,終端產品為各類液晶顯示器,如電視、電腦顯示器、手機、車載導航與穿戴式電子設備的顯示面板。pva偏光片是由pva光學膜經彭潤,染色、單軸拉伸、硼化物交聯后,貼合三乙酸纖維素tac膜制備而成。隨著顯示面板向更薄、更耐久、更高透方向發展,聚乙烯醇偏光片也逐漸向薄型化和高透方向發展。

    2、pva光學膜是由pva樹脂經過溶解、擠出、流延、干燥等工藝制造而成。流延干燥過程影響pva膜微觀結構的變化,從而決定了pva膜在偏光片制造過程中的加工性能。由于pva膜經流延輥筒干燥成型后,需經過多段金屬制的干燥輥進行正反面干燥,因此薄膜干燥程度的均勻性影響薄膜的內部結構均一,對于厚度小的pva膜,干燥過程的均勻性對薄膜正反面結構均一性的影響更為明顯。薄型且內部結構不均的pva光學膜在下游溶脹過程中易出現卷曲導致折邊嚴重的問題。針對這一問題,有文獻指出,通過使pva膜在流延干燥過程正反面所受熱量一致,從而達到相同的干燥效果,改善pva光學膜在溶脹過程中的卷邊情況,但由于干燥過程中,受薄膜表面結皮的影響,水分在薄膜正反面揮發速率有差異,因此,即使在正反面所受熱量一致的情況下,也無法維持薄膜正反面含水量保持一致,無法實現pva膜兩側結構均一的目標。


    技術實現思路

    1、本專利技術的目的在于提供一種低卷曲薄型的偏光片用pva光學膜及其制備方法,實現pva光學膜兩側結構均一,解決溶脹過程中的卷曲問題。

    2、本專利技術的目的可以通過以下技術方案實現:

    3、本專利技術提供一種低卷曲薄型的偏光片用pva光學膜及其制備方法,包括以下步驟:

    4、(1)將pva樹脂及添加劑溶于溶劑中制得鑄膜原液;

    5、(2)將鑄膜原液擠出脫泡后,通過模頭流延形成薄膜;

    6、(3)將薄膜依次經過流延輥和干燥輥,干燥輥對薄膜預干燥后,進入烘箱熱處理烘干定型,收卷獲得pva光學膜。

    7、進一步地,所述pva樹脂包括聚乙烯醇均聚物和聚乙烯醇共聚改性物中的至少一種;聚乙烯醇共聚改性物的改性單體包括烯烴類、丙烯酸酯類、甲基丙烯酸酯類、甲基丙烯酰胺衍生物、乙烯基酯類、鹵化乙烯類中的至少一種。

    8、進一步地,所述pva樹脂中改性基團的含量<10%,含量過高會影響pva樹脂的溶解性能和薄膜光學性能。

    9、進一步地,所述pva樹脂的聚合度為1500-3000。

    10、聚合度過低,制備的pva偏光片分子鏈纏結網絡穩定性越差,較高的拉伸比會導致交聯網絡被破壞,制備的偏光片光學性能變差;聚合度過高會引起原液粘度高,預拉伸嚴重,薄膜經流延成型后各向異性大,容易斷膜。

    11、進一步地,所述pva樹脂的醇解度為98%-99.9%。

    12、更進一步地,所述pva樹脂的醇解度為99%-99.9%。

    13、醇解度過低,pva薄膜在碘染拉伸過程中形成的聚碘離子含量少,影響偏光片的光學性能;醇解度過低,溶解性變差,導致流延生產不穩定,成品合格率降低。

    14、進一步地,所述添加劑為增塑劑、表面活性劑和抗氧化劑,增塑劑質量占pva樹脂質量的8%-15%,表面活性劑質量占pva樹脂質量的1.5%-5.0%,抗氧化劑質量占pva樹脂質量的1%-3%。

    15、添加劑含量過多會析出,影響薄膜表觀性能和光學性能,污染下游碘染拉伸槽。

    16、進一步地,所述增塑劑包括甘油、二聚甘油、多聚甘油、乙二醇和丙二醇中的至少一種。

    17、進一步地,所述表面活性劑為十二烷基苯磺酸鹽、月桂酸鉀、聚氧乙烯月桂基酯和聚氧乙烯月桂酸酰胺中的至少一種。

    18、進一步地,所述抗氧化劑為亞硫酸氫鈉。

    19、進一步地,所述流延輥的溫度為75℃-85℃。

    20、由于膜厚度較低,表面水分蒸發速率快,若流延輥筒溫度過高,薄膜水分蒸發速率快,體系粘度增加,表面結皮會導致薄膜流延干燥過程中的干燥不均和結構差異;流延輥筒溫度過低則導致薄膜剝離不均,易受外界擾動產生水波紋,初始的pva鑄膜原液含水高,薄膜在流延干燥輥上不結晶,其結晶過程主要發生在后續的干燥過程。

    21、進一步地,所述流延輥后第一個干燥輥為第一干燥輥,后續干燥輥按順序排列,其中奇數輥干燥薄膜的正面,偶數輥干燥薄膜的反面;

    22、所述干燥輥的溫度區間分為兩段干燥過程,前段干燥過程的干燥輥溫度為55℃-75℃,后段干燥過程的干燥輥溫度為35℃-50℃。

    23、前段干燥過程是通過設置高溫下的溫度梯度,改變薄膜正反兩面的結晶速率,從而達到pva薄膜兩側結晶度差異較小的技術效果;后段干燥過程是通過設置低溫下的溫度梯度,滿足薄膜正反兩面含水差異小的要求。

    24、進一步地,所述前段干燥過程的干燥輥中奇數輥的溫度從第一干燥輥依次往后按照差值逐漸遞減,差值范圍為4℃-10℃。

    25、進一步地,所述后段干燥過程的干燥輥中奇數輥的溫度從前往后按照差值逐漸遞減,差值范圍為4℃-10℃。

    26、進一步地,所述前段干燥過程的干燥輥中偶數輥的溫度從第二干燥輥依次往后按照差值逐漸遞減,差值范圍為0℃-10℃。

    27、進一步地,所述后段干燥過程的干燥輥中偶數輥的溫度從前往后按照差值逐漸遞減,差值范圍為4℃-10℃。

    28、進一步地,所述前段干燥過程的干燥輥數量為6-8個,后段干燥過程的干燥輥數量為4-6個。

    29、進一步地,所述薄膜經流延輥和干燥輥后的含水率為7%-12%。

    30、更進一步地,所述薄膜經流延輥和干燥輥后的含水率為8%-11%。含水率過低導致薄膜內應力大,易導致斷膜。

    31、進一步地,所述熱處理的溫度為80℃-130℃。熱處理溫度過高,結晶度高,薄膜內應力大,制備成偏光片后,收縮性高;熱處理溫度過低,導致pva膜交聯網絡不完全,容易導致斷膜。

    32、本專利技術還提供一種低卷曲薄型的偏光片用pva光學膜,所述pva光學薄膜采用上述的制備方法制備得到。

    33、進一步地,所述pva光學膜的正反面結晶度差值≤5%;綜合結晶度差異值可達到薄膜不卷曲或薄膜卷曲程度不影響偏光片的加工過程的技術效果。

    34、進一步地,所述pva光學薄膜的正反面含水率差值≤2%。

    35、為了提高薄膜正面和背面的結晶一致性和干燥均勻性,需嚴格控制薄膜在流延干燥過程中薄膜正面和反面的結晶度和含水率。薄膜單面的結晶程度可以通過atr反射紅外光譜測試得到。由于薄膜表面的含水不同,對光線的透射強度不同,基于此原理,可在線采集薄膜表面含水的變化。

    36、本專利技術的有益效果:

    37、(1)本專利技術根據薄膜在流延干燥過程中結構的變化情況和水分的蒸發速率,通過調節流延輥和干燥輥溫度,使薄膜在表面不結皮的情況下,薄膜正反面在干本文檔來自技高網...

    【技術保護點】

    1.一種低卷曲薄型的偏光片用PVA光學膜的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:

    2.根據權利要求1所述的一種低卷曲薄型的偏光片用PVA光學膜的制備方法,其特征在于,所述添加劑包括增塑劑、表面活性劑和抗氧劑。

    3.根據權利要求1所述的一種低卷曲薄型的偏光片用PVA光學膜的制備方法,其特征在于,所述流延輥的溫度為75℃-85℃。

    4.根據權利要求1所述的一種低卷曲薄型的偏光片用PVA光學膜的制備方法,其特征在于,所述流延輥后第一個干燥輥為第一干燥輥,后續干燥輥按順序排列,其中奇數輥干燥薄膜的正面,偶數輥干燥薄膜的反面;

    5.根據權利要求4所述的一種低卷曲薄型的偏光片用PVA光學膜的制備方法,其特征在于,所述前段干燥過程的干燥輥中奇數輥的溫度從第一干燥輥依次往后按照差值逐漸遞減,差值范圍為4℃-10℃。

    6.根據權利要求4所述的一種低卷曲薄型的偏光片用PVA光學膜的制備方法,其特征在于,所述后段干燥過程的干燥輥中奇數輥的溫度從前往后按照差值逐漸遞減,差值范圍為4℃-10℃。

    7.根據權利要求4所述的一種低卷曲薄型的偏光片用PVA光學膜的制備方法,其特征在于,所述前段干燥過程的干燥輥中偶數輥的溫度從第二干燥輥依次往后按照差值逐漸遞減,差值范圍為0℃-10℃。

    8.根據權利要求4所述的一種低卷曲薄型的偏光片用PVA光學膜的制備方法,其特征在于,所述后段干燥過程的干燥輥中偶數輥的溫度從前往后按照差值逐漸遞減,差值范圍為4℃-10℃。

    9.根據權利要求5所述的一種低卷曲薄型的偏光片用PVA光學膜的制備方法,其特征在于,所述前段干燥過程的干燥輥數量為6-8個,后段干燥過程的干燥輥數量為4-6個。

    10.根據權利要求1所述的一種低卷曲薄型的偏光片用PVA光學膜的制備方法,其特征在于,所述薄膜經流延輥和干燥輥后的含水率為8%-11%。

    11.根據權利要求1所述的一種低卷曲薄型的偏光片用PVA光學膜的制備方法,其特征在于,所述熱處理的溫度為80℃-130℃。

    12.一種低卷曲薄型的偏光片用PVA光學膜,其特征在于,所述PVA光學膜采用如權利要求1-11任一項所述的制備方法制備得到。

    13.根據權利要求12所述的一種低卷曲薄型的偏光片用PVA光學膜,其特征在于,所述PVA光學膜的正反面結晶度差值≤5%。

    14.根據權利要求12所述的一種低卷曲薄型的偏光片用PVA光學膜,其特征在于,所述PVA光學薄膜的正反面含水率差值≤2%。

    15.根據權利要求12所述的一種低卷曲薄型的偏光片用PVA光學膜,其特征在于,所述PVA光學膜的厚度為20μm-40μm。

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    【技術特征摘要】

    1.一種低卷曲薄型的偏光片用pva光學膜的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:

    2.根據權利要求1所述的一種低卷曲薄型的偏光片用pva光學膜的制備方法,其特征在于,所述添加劑包括增塑劑、表面活性劑和抗氧劑。

    3.根據權利要求1所述的一種低卷曲薄型的偏光片用pva光學膜的制備方法,其特征在于,所述流延輥的溫度為75℃-85℃。

    4.根據權利要求1所述的一種低卷曲薄型的偏光片用pva光學膜的制備方法,其特征在于,所述流延輥后第一個干燥輥為第一干燥輥,后續干燥輥按順序排列,其中奇數輥干燥薄膜的正面,偶數輥干燥薄膜的反面;

    5.根據權利要求4所述的一種低卷曲薄型的偏光片用pva光學膜的制備方法,其特征在于,所述前段干燥過程的干燥輥中奇數輥的溫度從第一干燥輥依次往后按照差值逐漸遞減,差值范圍為4℃-10℃。

    6.根據權利要求4所述的一種低卷曲薄型的偏光片用pva光學膜的制備方法,其特征在于,所述后段干燥過程的干燥輥中奇數輥的溫度從前往后按照差值逐漸遞減,差值范圍為4℃-10℃。

    7.根據權利要求4所述的一種低卷曲薄型的偏光片用pva光學膜的制備方法,其特征在于,所述前段干燥過程的干燥輥中偶數輥的溫度從第二干燥輥依次往后按照差值逐漸遞減,差值范圍為0℃-10℃。

    8.根據權利...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:張前磊劉濤唐成宏汪曉飛李家鳴王小溪王道亮許軍王方方
    申請(專利權)人:安徽皖維先進功能膜材料研究院有限公司
    類型:發明
    國別省市:

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