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    移相器制造技術

    技術編號:44478603 閱讀:4 留言:0更新日期:2025-03-04 17:46
    本技術實施例涉及一種移相器,包括移相器腔體結構,移相器腔體結構的外側壁上設置沿移相器腔體結構的長度方向延伸的線槽,線槽的開口背離移相器腔體結構的內腔,且線槽用于穿設移相器的電纜。至少部分線槽內設置有離子束真空鍍膜層,離子束真空鍍膜層用于與所述電纜焊接連接。通過在移相器腔體結構的外側壁的線槽內設置離子束真空鍍膜層,離子束真空鍍膜層可以與電纜進行焊接連接,從而避免在移相器腔體結構上額外增加焊接件與電纜進行焊接導致的增加結構復雜度、成本以及重量的問題。此外,離子束真空鍍膜層采用離子束真空鍍膜工藝形成,相比于電鍍工藝,離子束真空鍍膜工藝比較低碳、且無化學廢氣和廢物的排放,從而有利于實現環保。

    【技術實現步驟摘要】

    本技術實施例涉及通信,尤其涉及一種移相器


    技術介紹

    1、低碳環保是天線行業的技術發展方向,其中解決移相器的移相器腔體結構與電纜等的焊接問題,是各廠商的研究重點。

    2、移相器的移相器腔體結構中需要焊接的部位通常是鋁合金材質,而鋁合金焊接本身是一個棘手的難題。目前采用的解決方法主要有電鍍法,即對移相器的移相器腔體結構進行電鍍形成電鍍層,通過將電鍍層與電纜進行焊接,從而實現電纜與移相器腔體結構的連接。然而,電鍍處理工藝為電化學方法,隨著全球對環保的重視程度不斷提高,逐漸制約電鍍處理工藝的發展,這進一步提高了電鍍成本。

    3、為解決電鍍方式引起的上述技術問題,目前提出一種在移相器腔體結構上增加焊接件以與電纜進行焊接的方式,然而額外增加焊接件會導致結構復雜、移相器的整體制作成本和整體重量均較高。


    技術實現思路

    1、為了解決上述技術問題或者至少部分地解決上述技術問題,本技術實施例提供了一種移相器。

    2、本技術實施例提供了一種移相器,包括移相器腔體結構;

    3、所述移相器腔體結構的外側壁上設置有至少一個沿所述移相器腔體結構的長度方向延伸的線槽,所述線槽的開口背離所述移相器腔體結構的內腔,且所述線槽用于穿設所述移相器的電纜;

    4、至少部分所述線槽內設置有離子束真空鍍膜層,所述離子束鍍膜層用于與所述電纜焊接連接。

    5、在一些實施例中,所述離子束鍍膜層為銅離子真空鍍膜層或鎳離子真空鍍膜層。

    6、在一些實施例中,沿所述移相器腔體結構的長度方向上,所述線槽包括多個間隔交替布置的第一子線槽和第二子線槽,所述第一子線槽的長度小于所述第二子線槽的延伸長度,所述第一子線槽和所述第二子線槽中的至少一者中設置有所述離子束真空鍍膜層。

    7、在一些實施例中,所述第一子線槽和所述第二子線槽均包括線槽底壁、兩個線槽側壁以及兩個線槽頂壁;沿所述移相器腔體結構的厚度方向,兩個所述線槽側壁分設在所述線槽底壁的兩端且所述線槽側壁的一端與所述線槽底壁連接,兩個所述線槽頂壁的一端與相應的所述線槽側壁的另一端連接,且兩個所述線槽頂壁朝向遠離彼此的方向延伸;

    8、所述第一子線槽和所述第二子線槽中,至少一者的所述線槽底壁、所述線槽側壁和所述線槽頂壁上均設置有所述離子束真空鍍膜層。

    9、在一些實施例中,所述第一子線槽和/或所述第二子線槽為u形槽、梯形槽和v形槽中的任一種;

    10、所述第一子線槽和所述第二子線槽中,設置有所述離子束真空鍍膜層的一者的內輪廓與所述離子束真空鍍膜層的外輪廓相適配。

    11、在一些實施例中,在沿所述線槽的槽深方向上,設置在所述線槽頂壁上的所述離子束真空鍍膜層的厚度為5μm-12μm;

    12、和/或,在沿所述線槽的槽深方向上,設置在所述線槽底壁上的離子束真空鍍膜層的厚度為8μm-20μm。

    13、在一些實施例中,沿所述移相器腔體結構的長度方向上,所述離子束真空鍍膜層在沿所述線槽的槽深方向上的尺寸范圍為8μm-20μm。

    14、在一些實施例中,所述離子束鍍膜層包括位于所述線槽內的鍍膜層主體以及延伸至所述線槽外的鍍膜層延伸部分,所述鍍膜層延伸部分與所述鍍膜層主體相連且所述鍍膜層延伸部分沿所述線槽的外壁面延伸。

    15、在一些實施例中,在沿所述線槽的槽深方向上,所述鍍膜層延伸部分的延伸尺寸為0.5mm-3mm。

    16、在一些實施例中,所述移相器還包括移相器介質板、移相器拉桿以及網絡電路;

    17、所述移相器介質板和所述網絡電路均設置在所述移相器腔體結構的內腔中且沿所述移相器腔體結構的厚度方向依次設置,所述移相器拉桿與所述移相器介質板連接并位于所述內腔外;

    18、所述線槽上設置有可供所述電纜穿設至所述內腔中并與所述網絡電路電連接的穿孔。

    19、本技術實施例提供的技術方案與現有技術相比具有如下優點:

    20、本技術實施例提供了一種移相器,包括移相器腔體結構,移相器腔體結構的外側壁上設置有至少一個沿移相器腔體結構的長度方向延伸的線槽,線槽的開口背離移相器腔體結構的內腔,且線槽用于穿設移相器的電纜。至少部分線槽內設置有離子束真空鍍膜層,離子束真空鍍膜層用于與所述電纜焊接連接。也就是說,通過在移相器腔體結構的外側壁的線槽內設置離子束真空鍍膜層,離子束真空鍍膜層可以直接與電纜進行焊接連接,從而可以避免在移相器腔體結構上額外增加焊接件與電纜進行焊接導致的增加結構復雜度、成本以及重量的問題。此外,離子束真空鍍膜層采用離子束真空鍍膜工藝形成,相比于電鍍工藝,離子束真空鍍膜工藝比較低碳、且無化學廢氣和廢物的排放,從而有利于實現環保。

    本文檔來自技高網...

    【技術保護點】

    1.一種移相器,其特征在于,包括移相器腔體結構(1);

    2.根據權利要求1所述的移相器,其特征在于,所述離子束真空鍍膜層(12)為銅離子真空鍍膜層或鎳離子真空鍍膜層。

    3.根據權利要求1所述的移相器,其特征在于,沿所述移相器腔體結構(1)的長度方向上,所述線槽(11)包括多個間隔交替布置的第一子線槽(111)和第二子線槽(112),所述第一子線槽(111)的長度小于所述第二子線槽(112)的延伸長度,所述第一子線槽(111)和所述第二子線槽(112)中的至少一者中設置有所述離子束真空鍍膜層(12)。

    4.根據權利要求3所述的移相器,其特征在于,所述第一子線槽(111)和所述第二子線槽(112)均包括線槽底壁(113)、兩個線槽側壁(114)以及兩個線槽頂壁(115);沿所述移相器腔體結構(1)的厚度方向,兩個所述線槽側壁(114)分設在所述線槽底壁(113)的兩端且所述線槽側壁(114)的一端與所述線槽底壁(113)連接,兩個所述線槽頂壁(115)的一端與相應的所述線槽側壁(114)的另一端連接,且兩個所述線槽頂壁(115)朝向遠離彼此的方向延伸;

    5.根據權利要求4所述的移相器,其特征在于,所述第一子線槽(111)和/或所述第二子線槽(112)為U形槽、梯形槽和V形槽中的任一種;

    6.根據權利要求4所述的移相器,其特征在于,在沿所述線槽(11)的槽深方向上,設置在所述線槽頂壁(115)上的所述離子束真空鍍膜層(12)的厚度為5μm-12μm;

    7.根據權利要求1至6任一項所述的移相器,其特征在于,沿所述移相器腔體結構(1)的長度方向上,所述離子束真空鍍膜層(12)在沿所述線槽(11)的槽深方向上的尺寸范圍為8μm-20μm。

    8.根據權利要求1至6任一項所述的移相器,其特征在于,所述離子束真空鍍膜層(12)包括位于所述線槽(11)內的鍍膜層主體(121)以及延伸至所述線槽(11)外的鍍膜層延伸部分(122),所述鍍膜層延伸部分(122)與所述鍍膜層主體(121)相連且所述鍍膜層延伸部分(122)沿所述線槽(11)的外壁面延伸。

    9.根據權利要求8所述的移相器,其特征在于,在沿所述線槽(11)的槽深方向上,所述鍍膜層延伸部分(122)的延伸尺寸為0.5mm-3mm。

    10.根據權利要求1至6任一項所述的移相器,其特征在于,所述移相器還包括移相器介質板(3)、移相器拉桿(4)以及網絡電路(5);

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    【技術特征摘要】

    1.一種移相器,其特征在于,包括移相器腔體結構(1);

    2.根據權利要求1所述的移相器,其特征在于,所述離子束真空鍍膜層(12)為銅離子真空鍍膜層或鎳離子真空鍍膜層。

    3.根據權利要求1所述的移相器,其特征在于,沿所述移相器腔體結構(1)的長度方向上,所述線槽(11)包括多個間隔交替布置的第一子線槽(111)和第二子線槽(112),所述第一子線槽(111)的長度小于所述第二子線槽(112)的延伸長度,所述第一子線槽(111)和所述第二子線槽(112)中的至少一者中設置有所述離子束真空鍍膜層(12)。

    4.根據權利要求3所述的移相器,其特征在于,所述第一子線槽(111)和所述第二子線槽(112)均包括線槽底壁(113)、兩個線槽側壁(114)以及兩個線槽頂壁(115);沿所述移相器腔體結構(1)的厚度方向,兩個所述線槽側壁(114)分設在所述線槽底壁(113)的兩端且所述線槽側壁(114)的一端與所述線槽底壁(113)連接,兩個所述線槽頂壁(115)的一端與相應的所述線槽側壁(114)的另一端連接,且兩個所述線槽頂壁(115)朝向遠離彼此的方向延伸;

    5.根據權利要求4所述的移相器,其特征在于,所述第一子線...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:邱建源
    申請(專利權)人:京信通信技術廣州有限公司
    類型:新型
    國別省市:

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