【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本公開的實施例總體上涉及在化學氣相沉積(cvd)腔室中用含碳材料涂覆腔室部件，以及在所述處理中用于保持腔室部件的支撐件。
技術介紹
1、形成在半導體基板的制造期間使用的處理腔室的部件可以經歷多種處理步驟以便準備好使用。在一些處理中，腔室部件(例如基座和預熱環)經過cvd處理以用所需材料涂覆部件。然而，在cvd處理中，有效地涂覆部件的每個位置可能具有挑戰性，這可能會對部件的使用壽命產生不利影響，并且還會在部件的主體上產生薄弱點。
2、因此，需要用于使用cvd處理來涂覆腔室部件的改進方法。
技術實現思路
1、在一個實施例中，提供了一種涂覆腔室部件的方法。所述方法包括將腔室部件定位在腔室主體中的部件支撐件上。一個或多個接觸桿從部件支撐件延伸以僅在一個或多個固定點處接觸腔室部件的背側，并且所述一個或多個固定點由形成在腔室部件的背側中的一個或多個槽限定。所述方法還包括在腔室部件被支撐在部件支撐件上的同時用含碳材料涂覆腔室部件。腔室部件的背側面向腔室主體的底表面。
2、在另一個實施例中，提供了一種涂覆腔室部件的方法。所述方法包括將腔室部件定位在腔室主體中的部件支撐件上。一個或多個接觸桿從部件支撐件的支撐桿延伸以在一個或多個固定點處接觸腔室部件。腔室部件包括形成環形的內部部分和圍繞內部部分的外部部分。內部部分遠離外部部分延伸以形成凸緣，使得一個或多個固定點位于腔室部件上形成的拐角(corner)上，并且所述拐角被限定為凸緣與內部部分的相交處。所述方法還包括在腔室部件被支撐
3、在又一個實施例中，提供了一種半導體處理腔室部件支撐件。半導體處理腔室部件支撐件包括底座、聯接至底座的一個或多個支腳(leg)、以及遠離底座的頂表面延伸的支腳。半導體處理腔室部件支撐件還包括聯接至底座的支撐桿，并且支撐桿遠離底座的頂表面延伸。半導體處理腔室部件支撐件還包括聯接到支腳的支撐棒以及聯接到支撐桿和支撐桿的側表面的接觸桿。每個接觸桿均包括配置為接觸腔室部件的背側的接觸點。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種涂覆腔室部件的方法，包括：
2.根據權利要求1所述的方法，還包括：將第二腔室部件定位在所述部件支撐件上并用所述含碳材料涂覆所述第二腔室部件。
3.根據權利要求1所述的方法，還包括：將第二腔室部件定位在所述腔室主體中的第二部件支撐件上并且用所述含碳材料涂覆所述第二腔室部件。
4.根據權利要求1所述的方法，其中所述腔室部件是基座。
5.根據權利要求1所述的方法，其中所述腔室部件的所述背側與所述腔室部件的被配置為支撐半導體處理腔室中的基板的前側相對。
6.根據權利要求1所述的方法，其中所述含碳材料是碳化硅(SiC)或碳化鉭(TaC)。
7.根據權利要求1所述的方法，其中所述一個或多個接觸桿相對于水平面呈一角度設置，其中所述一個或多個接觸桿的角度在約5°與約95°之間。
8.根據權利要求1所述的方法，其中所述一個或多個接觸桿中的每一者包括被配置為接觸所述腔室部件的所述背側上的所述槽的接觸點，其中所述接觸點具有圓形、矩形、三角形或正方形形狀。
9.根據權利要求1所述的方法，其中所述槽位于
10.一種涂覆腔室部件的方法，包括：
11.根據權利要求10所述的方法，還包括：將第二腔室部件定位在所述部件支撐件上并用所述含碳材料涂覆所述第二腔室部件。
12.根據權利要求10所述的方法，還包括：將第二腔室部件定位在所述腔室主體中的第二部件支撐件上并用所述含碳材料涂覆所述第二腔室部件。
13.根據權利要求10所述的方法，其中所述腔室部件是預熱環。
14.根據權利要求10所述的方法，其中所述含碳材料是碳化硅(SiC)或碳化鉭(TaC)。
15.根據權利要求10所述的方法，其中所述一個或多個接觸桿相對于垂直軸線呈一角度設置，其中所述一個或多個接觸桿的所述角度在約10°與約90°之間。
16.一種半導體處理腔室部件支撐件，包括：
17.根據權利要求16所述的半導體處理腔室部件支撐件，其中所述接觸點被配置為接觸形成在所述腔室部件的所述背側中的一個或多個槽。
18.根據權利要求17所述的半導體處理腔室部件支撐件，其中所述腔室部件的所述背側與所述腔室部件的被配置為支撐半導體處理腔室中的基板的前側相對。
19.根據權利要求16所述的半導體處理腔室部件支撐件，其中所述支撐桿從所述底座的所述頂表面沿相對于所述頂表面的垂直方向延伸。
20.根據權利要求16所述的半導體處理腔室部件支撐件，其中所述部件支撐件是涂覆有碳化硅的石墨材料。
...【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】
1.一種涂覆腔室部件的方法，包括：
2.根據權利要求1所述的方法，還包括：將第二腔室部件定位在所述部件支撐件上并用所述含碳材料涂覆所述第二腔室部件。
3.根據權利要求1所述的方法，還包括：將第二腔室部件定位在所述腔室主體中的第二部件支撐件上并且用所述含碳材料涂覆所述第二腔室部件。
4.根據權利要求1所述的方法，其中所述腔室部件是基座。
5.根據權利要求1所述的方法，其中所述腔室部件的所述背側與所述腔室部件的被配置為支撐半導體處理腔室中的基板的前側相對。
6.根據權利要求1所述的方法，其中所述含碳材料是碳化硅(sic)或碳化鉭(tac)。
7.根據權利要求1所述的方法，其中所述一個或多個接觸桿相對于水平面呈一角度設置，其中所述一個或多個接觸桿的角度在約5°與約95°之間。
8.根據權利要求1所述的方法，其中所述一個或多個接觸桿中的每一者包括被配置為接觸所述腔室部件的所述背側上的所述槽的接觸點，其中所述接觸點具有圓形、矩形、三角形或正方形形狀。
9.根據權利要求1所述的方法，其中所述槽位于支撐軸區域內，所述支撐軸區域位于所述腔室部件的所述背側上，其中所述支撐軸區域限定所述腔室部件的可操作以與支撐軸接合的區域。
10.一種涂覆腔室部件的方法，包括：
11.根據...
【專利技術屬性】
技術研發人員：柯克·艾倫·費希爾，約翰·福特，詹姆斯·M·阿莫斯，陳輝，肖恩·約瑟夫·博納姆，欒欣寧，菲利普·邁克爾·阿莫斯，艾梅·S·埃爾哈特，凱瑟琳·A·瑞安，邁克爾·R·里奧丹，
申請(專利權)人：應用材料公司，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。