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    一種LED封裝結構制造技術

    技術編號:44478992 閱讀:3 留言:0更新日期:2025-03-04 17:46
    本技術提供一種LED封裝結構,包括基板,在所述基板上方依次設置有波段為440nm~442.5nm的第一LED芯片、波段為450nm~452.5nm的第二LED芯片、及波段為470nm~472.5nm的第三LED芯片,在所述第二LED芯片和所述第三LED芯片周邊設有白膠,所述第二LED芯片和所述第三LED的上方設有第一反射層,所述第一反射層的上方涂覆有黃綠熒光膠層,所述第一LED芯片上涂覆有紅色熒光膠層,本技術中的LED封裝結構,在降低藍光危害的同時,還能獲得較佳的光譜。

    【技術實現(xiàn)步驟摘要】

    本技術涉及l(fā)ed封裝,特別涉及一種led封裝結構。


    技術介紹

    1、現(xiàn)代人長時間處于室內,無法從太陽得到對健康的好處。而全光譜的意義就是再現(xiàn)太陽光,全光譜光線豐富的光譜能夠將物體真實的色彩重現(xiàn)出來,提供生動的光照,緩解人眼的視覺疲勞,從而提高用戶光環(huán)境的舒適感。由于led技術的迅猛發(fā)展,新型的led光源以其節(jié)能、環(huán)保、耐用等特點越來越被人們所使用,正逐漸取代常規(guī)照明光源。但同時,led光源對視網膜的危害以及對生物日常生活節(jié)律的影響也在提示我們要清醒地看到led照明對人體生物安全方面的風險。

    2、目前全光譜led主要使用440波段+450波段+470波段藍光芯片加藍綠粉+黃綠粉+紅粉組合使ra參數>97,r1-r15參數>90,其中,三種波段的led采用高470波段-低440波段-中450波段的順序排布,這種設計使得最終的光譜更接近太陽光譜,但是藍光輻射功率無法進行降低,對人體眼睛危害較大。


    技術實現(xiàn)思路

    1、針對現(xiàn)有技術的不足,本技術的目的在于提供一種led封裝結構,旨在解決現(xiàn)有技術中,三種波段的led采用高470波段-低440波段-中450波段的順序排布,這種設計使得最終的光譜更接近太陽光譜,但是藍光輻射功率無法進行降低,對人體眼睛危害較大的技術問題。

    2、為了實現(xiàn)上述目的,本技術是通過如下技術方案來實現(xiàn)的:

    3、一種led封裝結構,包括基板,在所述基板上方依次設置有波段為440nm~442.5nm的第一led芯片、波段為450nm~452.5nm的第二led芯片、及波段為470nm~472.5nm的第三led芯片,在所述第二led芯片和所述第三led芯片周邊設有白膠,所述第二led芯片和所述第三led的上方設有第一反射層,所述第一反射層的上方涂覆有黃綠熒光膠層,所述第一led芯片上涂覆有紅色熒光膠層。

    4、根據上述技術方案的一方面,所述第一led芯片和所述第二led芯片之間設有阻擋反射部,所述阻擋反射部用于反射光線。

    5、根據上述技術方案的一方面,所述基板上還設有第一阻擋部和第二阻擋部,所述第一阻擋部位于所述第一led芯片遠離所述第二led芯片的一端,所述第二阻擋部位于所述第三led芯片遠離所述第二led芯片的一端。

    6、根據上述技術方案的一方面,所述第一反射層位于所述阻擋反射部和所述第二阻擋部之間,且所述第一反射層向下凹陷、呈弧形設置。

    7、根據上述技術方案的一方面,所述第一阻擋部靠近所述第一led芯片的一面自上而下朝所述第一led芯片的方向傾斜設置、以形成第一斜面,所述第二阻擋部靠近所述第三led芯片的一面自上而下朝所述第三led芯片的方向傾斜設置、以形成第二斜面,所述第二斜面的頂部水平高度小于所述第一反射層的水平高度。

    8、根據上述技術方案的一方面,所述第一阻擋部和所述第二阻擋部之間還設有第二反射層,所述第二反射層呈鋸齒狀。

    9、根據上述技術方案的一方面,所述紅色熒光膠層的上表面呈弧形狀。

    10、根據上述技術方案的一方面,所述第一led芯片、所述第二led芯片和所述第三led芯片均通過焊盤與所述基板固定連接。

    11、根據上述技術方案的一方面,所述第一led芯片、所述第二led芯片和所述第三led芯片的電極與所述基板連接。

    12、與現(xiàn)有技術相比,本技術的有益效果在于:

    13、原有的固晶芯片的位置是采用高470波段-低440波段-中450波段的順序排布,以獲得較佳的光譜,本申請通過將波段為440nm~442.5nm的第一led芯片、波段為450nm~452.5nm的第二led芯片、及波段為470nm~472.5nm的第三led芯片按照順序依次設置,改變固晶芯片的位置,使得中波段的第二led芯片和高波段的第三led芯片集中在一起,增加高波段藍光的聚集度,然后通過在第二led芯片和第三led芯片的周邊點上白膠,將高波段藍光輻射功率降低,使得藍光危害降低,最后通過在第二led芯片和第三led的上方設有第一反射層,第一反射層的上方涂覆有黃綠熒光膠層,因為高波段藍光led芯片對黃綠色熒光粉激發(fā)效率高,通過第一反射層的作用,使得經白膠過濾后的第二led芯片和第三led芯片上的藍光能夠充分與黃綠色熒光膠層接觸并散射出來,第一led芯片上涂覆有紅色熒光膠層,因為低波段藍光led芯片對紅色熒光粉的激發(fā)效率高,穿過紅色熒光粉的藍光和穿過黃綠色熒光膠層的藍光相互作用,以形成較佳的光譜;

    14、本技術在降低藍光危害的同時,還能獲得較佳的光譜。

    本文檔來自技高網...

    【技術保護點】

    1.一種LED封裝結構,其特征在于,包括基板,在所述基板上方依次設置有波段為440nm~442.5nm的第一LED芯片、波段為450nm~452.5nm的第二LED芯片、及波段為470nm~472.5nm的第三LED芯片,在所述第二LED芯片和所述第三LED芯片周邊設有白膠,所述第二LED芯片和所述第三LED的上方設有第一反射層,所述第一反射層的上方涂覆有黃綠熒光膠層,所述第一LED芯片上涂覆有紅色熒光膠層。

    2.根據權利要求1所述的LED封裝結構,其特征在于,所述第一LED芯片和所述第二LED芯片之間設有阻擋反射部,所述阻擋反射部用于反射光線。

    3.根據權利要求2所述的LED封裝結構,其特征在于,所述基板上還設有第一阻擋部和第二阻擋部,所述第一阻擋部位于所述第一LED芯片遠離所述第二LED芯片的一端,所述第二阻擋部位于所述第三LED芯片遠離所述第二LED芯片的一端。

    4.根據權利要求3所述的LED封裝結構,其特征在于,所述第一反射層位于所述阻擋反射部和所述第二阻擋部之間,且所述第一反射層向下凹陷、呈弧形設置。

    5.根據權利要求3所述的LED封裝結構,其特征在于,所述第一阻擋部靠近所述第一LED芯片的一面自上而下朝所述第一LED芯片的方向傾斜設置、以形成第一斜面,所述第二阻擋部靠近所述第三LED芯片的一面自上而下朝所述第三LED芯片的方向傾斜設置、以形成第二斜面,所述第二斜面的頂部水平高度小于所述第一反射層的水平高度。

    6.根據權利要求3所述的LED封裝結構,其特征在于,所述第一阻擋部和所述第二阻擋部之間還設有第二反射層,所述第二反射層呈鋸齒狀。

    7.根據權利要求1所述的LED封裝結構,其特征在于,所述紅色熒光膠層的上表面呈弧形狀。

    8.根據權利要求1所述的LED封裝結構,其特征在于,所述第一LED芯片、所述第二LED芯片和所述第三LED芯片均通過焊盤與所述基板固定連接。

    9.根據權利要求1所述的LED封裝結構,其特征在于,所述第一LED芯片、所述第二LED芯片和所述第三LED芯片的電極與所述基板連接。

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    【技術特征摘要】

    1.一種led封裝結構,其特征在于,包括基板,在所述基板上方依次設置有波段為440nm~442.5nm的第一led芯片、波段為450nm~452.5nm的第二led芯片、及波段為470nm~472.5nm的第三led芯片,在所述第二led芯片和所述第三led芯片周邊設有白膠,所述第二led芯片和所述第三led的上方設有第一反射層,所述第一反射層的上方涂覆有黃綠熒光膠層,所述第一led芯片上涂覆有紅色熒光膠層。

    2.根據權利要求1所述的led封裝結構,其特征在于,所述第一led芯片和所述第二led芯片之間設有阻擋反射部,所述阻擋反射部用于反射光線。

    3.根據權利要求2所述的led封裝結構,其特征在于,所述基板上還設有第一阻擋部和第二阻擋部,所述第一阻擋部位于所述第一led芯片遠離所述第二led芯片的一端,所述第二阻擋部位于所述第三led芯片遠離所述第二led芯片的一端。

    4.根據權利要求3所述的led封裝結構,其特征在于,所述第一反射層位于所述阻擋反射部和所述第二阻擋...

    【專利技術屬性】
    技術研發(fā)人員:郭詩文盧鵬唐其勇
    申請(專利權)人:江西省兆馳光電有限公司
    類型:新型
    國別省市:

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