【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本申請涉及終端設(shè)備硬件領(lǐng)域，具體地，涉及一種磁體、電子設(shè)備和充電設(shè)備。
技術(shù)介紹
1、隨著計算機(jī)軟硬件技術(shù)的發(fā)展和進(jìn)步，越來越多的功能被集成到手機(jī)、平板電腦等電子設(shè)備中。成百上千的電子元器件需要容納在容納空間有限的電子設(shè)備的內(nèi)部，每個電子元器件能夠占用的空間越來越小。緊密排列的多個電子元器件之間還會因電磁感應(yīng)等產(chǎn)生相互影響，不利于電子設(shè)備的正常運(yùn)行。
2、磁體是實(shí)現(xiàn)電子設(shè)備磁吸充電等功能的必要部件，如何在提供足夠強(qiáng)度的磁吸力的前提下，控制磁體的體積、減小磁體的占用空間是值得考慮的問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本申請?zhí)峁┮环N磁體，磁體內(nèi)部磁力線的方向與磁體所在平面傾斜，磁體用于與其他磁體產(chǎn)生相互作用力一側(cè)的磁力線較為稠密，較小的體積的磁體就能夠提供相當(dāng)強(qiáng)度的磁吸力，同時對磁體背部與側(cè)面的磁敏感元器件影響小。
2、第一方面，提供了一種磁體，該磁體包括：多個磁體單元，多個磁體單元呈環(huán)狀排列，磁體單元包括第一磁體子單元和第二磁體子單元，第一磁體子單元和第二磁體子單元相對固定，第一磁體子單元的第一磁極與第二磁體子單元的第二磁極相鄰，第一磁極與第二磁極相反，且第一磁極和第二磁極均靠近磁體的同一面設(shè)置；其中，第一磁體子單元內(nèi)部磁力線的方向與磁體所在平面傾斜，第二磁體子單元內(nèi)部磁力線的方向與磁體所在平面傾斜。
3、在一些場景下，第一磁體子單元內(nèi)部磁力線的方向也可以理解為第一磁體子單元內(nèi)部的充磁方向，第二磁體子單元內(nèi)部磁力線的方向也可以理解為第二磁體子單元內(nèi)部的充磁方
4、需要說明的是，磁力線的方向與磁體所在平面傾斜應(yīng)理解為：磁力線的方向既不與磁體所在平面垂直也不與磁體所在平面平行。
5、在一些場景下，磁力線的方向與磁體所在平面傾斜也可以理解為磁力線的方向與磁體所在平面的法向傾斜。
6、通過傾斜設(shè)置第一磁體子單元和第二磁體子單元內(nèi)部磁力線的方向，并將第一磁體子單元和第二磁體子單元相互靠近一面的磁極相反設(shè)置，這樣，更多的磁力線可以聚集在磁體的工作面一側(cè)。在利用磁體的工作面與其他磁體進(jìn)行吸合或排斥的情況下，相對于不傾斜設(shè)置磁力線的磁體，本技術(shù)方案中提供的磁體與其他磁體之間能夠產(chǎn)生更強(qiáng)的相互作用力。從另一個角度講，在產(chǎn)生的相互作用力相等的情況下，本技術(shù)方案中提供的磁體的體積更小，將其容置在電子設(shè)備中時占用的空間更小。
7、此外，本技術(shù)方案通過多個磁體單元組成形成環(huán)狀的磁體，不同應(yīng)用場景下，多個磁體單元可以具有不同的組裝方式，該技術(shù)方案有利于提高本申請?zhí)峁┑拇朋w的場景適用性。
8、結(jié)合第一方面，在第一方面的某些實(shí)現(xiàn)方式中，第一磁體子單元內(nèi)部磁力線的方向與磁體所在平面的夾角為α，第二磁體子單元內(nèi)部磁力線的方向與磁體所在平面的夾角為β，其中，30≤α<90°，30≤β<90°。
9、本技術(shù)方案中提供的傾斜角度范圍內(nèi)的第一磁體子單元和第二磁體子單元能夠在工作面一側(cè)產(chǎn)生的磁場強(qiáng)度更強(qiáng)，磁力線的分布更加稠密。
10、結(jié)合第一方面，在第一方面的某些實(shí)現(xiàn)方式中，α＝β。
11、通過設(shè)置第一磁體子單元內(nèi)磁力線的傾斜角度與第二磁體子單元內(nèi)磁力線的傾斜角度相同，由第一磁體子單元產(chǎn)生的磁場和第二磁體子單元產(chǎn)生的磁場疊加之后，在磁體周圍的磁力線更加稀疏，當(dāng)磁體安裝在電子設(shè)備中時，磁體對周圍的電子元器件的不利影響更小。
12、結(jié)合第一方面，在第一方面的某些實(shí)現(xiàn)方式中，第一磁體子單元包括相對設(shè)置的第一接觸面和第一暴露面，第二磁體子單元包括相對設(shè)置的第二接觸面和第二暴露面，第一接觸面與第二接觸面相鄰設(shè)置，第一暴露面遠(yuǎn)離第二接觸面，第二暴露面遠(yuǎn)離第一接觸面設(shè)置，其中，第一接觸面與第一暴露面之間的距離與第二接觸面與第二暴露面之間的距離相等。
13、本技術(shù)方案中通過進(jìn)一步限定第一磁體子單元和第二磁體子單元的形狀之間的關(guān)系，進(jìn)一步降低磁體在其四周的磁力線的分布密度，進(jìn)一步減小磁體對于周圍的電子元器件的不利影響。
14、結(jié)合第一方面，在第一方面的某些實(shí)現(xiàn)方式中，磁體單元為非鏡面對稱的結(jié)構(gòu)。
15、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，磁體單元包括連接壁，多個磁體單元中相鄰兩個磁體單元的兩個連接壁相鄰，連接壁包括相對設(shè)置的第一連接壁和第二連接壁，第一連接壁與第二連接壁不呈鏡面對稱。
16、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，磁體單元包括相對設(shè)置的工作面和連接面，工作面和連接面不呈鏡面對稱。
17、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，磁體單元包括相對設(shè)置的暴露面和接觸面，暴露面和連接面不呈鏡面對稱。
18、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，磁體單元的第一連接壁上涂覆第一涂層，第二連接壁上涂覆第二涂層，第一涂層和第二涂層的顏色不同。
19、將磁體單元設(shè)置成非鏡面對稱的結(jié)構(gòu)，在利用磁體單元組成形成磁體的過程中，能夠快速地通過形狀來確定磁體單元的安裝順序，有利于提高磁體單元的組裝效率。
20、結(jié)合第一方面，在第一方面的某些實(shí)現(xiàn)方式中，磁體單元包括連接壁，多個磁體單元中相鄰兩個磁體單元的兩個連接壁相鄰，連接壁包括相對設(shè)置的第一連接壁和第二連接壁，第一連接壁的第一端開設(shè)第一倒角。
21、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，第一倒角可以為倒直角或倒圓角。
22、結(jié)合第一方面，在第一方面的某些實(shí)現(xiàn)方式中，第一連接壁的第二端開設(shè)第二倒角，或者，第二連接壁的第二端開設(shè)第二倒角，其中，第一端和第二端為磁體單元相對設(shè)置的兩端。
23、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，第二倒角可以為倒直角或倒圓角。
24、本技術(shù)方案通過磁體單元的倒角來確定磁體單元的安裝順序。倒角容易通過視覺識別或圖像識別，有利于實(shí)現(xiàn)磁體單元的自動化組裝。
25、結(jié)合第一方面，在第一方面的某些實(shí)現(xiàn)方式中，磁體單元包括連接壁，多個磁體單元中相鄰兩個磁體單元的兩個連接壁相鄰，連接壁包括相對設(shè)置的第一連接壁和第二連接壁，第一連接壁所在平面與第二連接壁所在平面相交。
26、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，上述技術(shù)方案也可以理解為第一連接壁所在平面的傾斜角度與所述第二連接壁所在平面的傾斜角度不同。
27、本技術(shù)方案中提供了另一種非對稱結(jié)構(gòu)的磁體單元，相較于設(shè)置倒角的方式，本技術(shù)方案有利于在簡化磁體單元的加工工藝的同時獲得非鏡面對稱結(jié)構(gòu)的磁體單元結(jié)構(gòu)，有利于提高磁體單元的制備效率。
28、結(jié)合第一方面，在第一方面的某些實(shí)現(xiàn)方式中，多個磁體單元中至少有兩個相鄰磁體單元之間設(shè)置有間隔。
29、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，該磁體中可以包括一個或多個間隔。
30、通過在磁體單元之間設(shè)置間隔，位于磁體圍成的區(qū)域內(nèi)的電子元器件和位于磁體圍成的區(qū)域外的電子元器件之間的連接線路等可以容置在該間隔處。該技術(shù)方案的實(shí)施有利于將磁體容置在容納空間有限的電子設(shè)備中，有利于將磁體應(yīng)用到不同的電子設(shè)備中。
31、結(jié)合第一方面，在第一方面的某些實(shí)現(xiàn)方式中，磁體還包括間隔單元，間隔本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種磁體，其特征在于，包括：多個磁體單元，所述多個磁體單元呈環(huán)狀排列，所述磁體單元包括第一磁體子單元和第二磁體子單元，所述第一磁體子單元和所述第二磁體子單元相對固定，所述第一磁體子單元的第一磁極與所述第二磁體子單元的第二磁極相鄰，所述第一磁極與所述第二磁極相反，且所述第一磁極和所述第二磁極均靠近所述磁體的同一面設(shè)置；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁體，其特征在于，所述第一磁體子單元內(nèi)部磁力線的方向與所述磁體所在平面的夾角為α，所述第二磁體子單元內(nèi)部磁力線的方向與所述磁體所在平面的夾角為β，
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁體，其特征在于，α＝β。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的磁體，其特征在于，所述第一磁體子單元包括相對設(shè)置的第一接觸面和第一暴露面，所述第二磁體子單元包括相對設(shè)置的第二接觸面和第二暴露面，所述第一接觸面與所述第二接觸面相鄰設(shè)置，所述第一暴露面遠(yuǎn)離所述第二接觸面，所述第二暴露面遠(yuǎn)離所述第一接觸面設(shè)置，
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的磁體，其特征在于，所述磁體單元為非鏡面對稱結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁體，其特征在于，所述第一連接壁的第二端開設(shè)第二倒角，或者，所述第二連接壁的第二端開設(shè)第二倒角，
8.根據(jù)權(quán)利要求5至7中任一項(xiàng)所述的磁體，其特征在于，所述磁體單元包括連接壁，所述多個磁體單元中相鄰兩個磁體單元的兩個連接壁相鄰，所述連接壁包括相對設(shè)置的第一連接壁和第二連接壁，所述第一連接壁所在平面與所述第二連接壁所在平面相交。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的磁體，其特征在于，所述多個磁體單元中至少有兩個相鄰磁體單元之間設(shè)置有間隔。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的磁體，其特征在于，所述磁體還包括間隔單元，所述間隔單元位于兩個相鄰的所述磁體單元之間，所述間隔單元與所述磁體單元在所述磁體同一側(cè)的磁力線方向不同。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的磁體，其特征在于，所述磁體還包括背板，所述第一磁極和所述第二磁極靠近所述磁體的連接面設(shè)置，所述背板與所述連接面固定連接，所述背板由磁導(dǎo)率大于預(yù)設(shè)閾值的材料組成。
12.一種磁體，其特征在于，所述磁體呈環(huán)狀，所述磁體包括均呈環(huán)狀的第一子磁體和第二子磁體，所述第一子磁體套設(shè)在所述第二子磁體的外側(cè)，所述第一子磁體與所述第二子磁體相對固定，所述第一子磁體的第一磁極與所述第二子磁體的第二磁極相鄰，所述第一磁極與所述第二磁極相反，且所述第一磁極和所述第二磁極均靠近所述磁體的同一面設(shè)置；
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的磁體，其特征在于，所述第一子磁體內(nèi)部磁力線的方向與所述磁體所在平面的夾角為α，所述第二子磁體內(nèi)部磁力線的方向與所述磁體所在平面的夾角為β，
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的磁體，其特征在于，α＝β。
15.根據(jù)權(quán)利要求12至14中任一項(xiàng)所述的磁體，其特征在于，所述第一子磁體的寬度與所述第二子磁體的寬度相等。
16.根據(jù)權(quán)利要求12至15中任一項(xiàng)所述的磁體，其特征在于，所述磁體包括至少一個缺口。
17.根據(jù)權(quán)利要求12至16中任一項(xiàng)所述的磁體，其特征在于，所述磁環(huán)由多個第一磁部和多個第二磁部間隔組成，所述第一磁部與所述第二磁部在所述磁體同一側(cè)的磁力線方向不同。
18.根據(jù)權(quán)利要求12至17中任一項(xiàng)所述的磁體，其特征在于，所述磁體還包括背板，所述第一磁極與所述第二磁極靠近所述磁體的連接面設(shè)置，所述背板與所述連接面固定連接，所述背板由磁導(dǎo)率大于預(yù)設(shè)閾值的材料組成。
19.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括：充電線圈、主板和權(quán)利要求1至11或權(quán)利要求12至18中任一項(xiàng)所述的磁體，所述充電線圈位于所述磁體圍成的區(qū)域內(nèi)，所述充電線圈與所述主板電連接。
20.一種充電設(shè)備，其特征在于，包括：充電線圈、電路板和權(quán)利要求1至11或權(quán)利要求12至18中任一項(xiàng)所述的磁體，所述充電線圈位于所述磁體圍成的區(qū)域內(nèi)，所述充電線圈與所述電路板電連接。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種磁體，其特征在于，包括：多個磁體單元，所述多個磁體單元呈環(huán)狀排列，所述磁體單元包括第一磁體子單元和第二磁體子單元，所述第一磁體子單元和所述第二磁體子單元相對固定，所述第一磁體子單元的第一磁極與所述第二磁體子單元的第二磁極相鄰，所述第一磁極與所述第二磁極相反，且所述第一磁極和所述第二磁極均靠近所述磁體的同一面設(shè)置；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁體，其特征在于，所述第一磁體子單元內(nèi)部磁力線的方向與所述磁體所在平面的夾角為α，所述第二磁體子單元內(nèi)部磁力線的方向與所述磁體所在平面的夾角為β，
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁體，其特征在于，α＝β。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的磁體，其特征在于，所述第一磁體子單元包括相對設(shè)置的第一接觸面和第一暴露面，所述第二磁體子單元包括相對設(shè)置的第二接觸面和第二暴露面，所述第一接觸面與所述第二接觸面相鄰設(shè)置，所述第一暴露面遠(yuǎn)離所述第二接觸面，所述第二暴露面遠(yuǎn)離所述第一接觸面設(shè)置，
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的磁體，其特征在于，所述磁體單元為非鏡面對稱結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁體，其特征在于，所述磁體單元包括連接壁，所述多個磁體單元中相鄰兩個磁體單元的兩個連接壁相鄰，所述連接壁包括相對設(shè)置的第一連接壁和第二連接壁，所述第一連接壁的第一端開設(shè)第一倒角。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁體，其特征在于，所述第一連接壁的第二端開設(shè)第二倒角，或者，所述第二連接壁的第二端開設(shè)第二倒角，
8.根據(jù)權(quán)利要求5至7中任一項(xiàng)所述的磁體，其特征在于，所述磁體單元包括連接壁，所述多個磁體單元中相鄰兩個磁體單元的兩個連接壁相鄰，所述連接壁包括相對設(shè)置的第一連接壁和第二連接壁，所述第一連接壁所在平面與所述第二連接壁所在平面相交。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的磁體，其特征在于，所述多個磁體單元中至少有兩個相鄰磁體單元之間設(shè)置有間隔。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的磁體，其特征在于，所述磁體還包括間隔單元，所述間隔單元位于兩個相鄰的所述磁體單元之間，所述間隔單元與所述磁體...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：汪超，李躍超，王曌，
申請(專利權(quán))人：華為技術(shù)有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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