【技術實現步驟摘要】
本申請涉及碲鎘汞材料分子束外延工藝領域，尤其涉及一種用于碲鋅鎘基碲鎘汞分子束外延的表面重構方法及裝置。
技術介紹
1、當前紅外焦平面探測器正在經歷第三代向更新一代探測器的發展轉變，相關領域的發展指向了超大規模、高靈敏度、寬譜段探測等技術方向，對材料量子效率、響應譜段等都有著更高的要求，而碲鎘汞材料量子效率高，能覆蓋短波到甚長波波段，因而目前是用于紅外焦平面的最廣泛的材料體系。
2、現有外延工藝無法屏蔽碲鋅鎘襯底在單晶生長及濕化學處理過程中造成的位錯以及表面缺陷，使得外延過程不穩定，無法實現穩定批量的分子束外延工藝，還需要額外增加襯底篩選的步驟，而這又大大提高了襯底的要求以及嚴重的降低了工藝效率。
3、有鑒于此，如何提供一種高兼容性的碲鋅鎘基碲鎘汞薄膜分子束外延工藝，使得襯底狀態對碲鎘汞薄膜的影響減到盡可能小，成為當前亟需解決的技術問題。
技術實現思路
1、本申請實施例提供一種用于碲鋅鎘基碲鎘汞分子束外延的表面重構方法，以及一種用于碲鋅鎘基碲鎘汞分子束外延的表面重構裝置，用于解決當前襯底狀態對碲鎘汞薄膜的影響大的問題。
2、在本申請實施例的第一方面，提供一種用于碲鋅鎘基碲鎘汞分子束外延的表面重構方法，包括：
3、對碲鋅鎘襯底進行濕化學處理，得到碲鋅鎘襯底樣品；
4、對置于分子束外延設備裝樣腔中的所述碲鋅鎘襯底樣品進行加熱處理，得到去除水氣的第一襯底樣品；
5、對置于分子束外延設備生長腔室中的所述第一襯底樣品進行加
6、進行碲鋅鎘同質緩沖層外延，在反射式電子衍射儀圖像保持不變后，將所述第二襯底樣品對應的溫度降至室溫；
7、完成碲鋅鎘同質緩沖層外延的所述第二襯底樣品在設置到外延溫度區間內進行碲鎘汞超晶格緩沖層生長，得到第三襯底樣本；
8、對置于碲鎘汞室內的所述第三襯底樣本進行碲鎘汞外延薄膜生長，在外延生長過程中對組分進行連續梯度調節，生成以碲化鎘層為先導的帶隙梯度變化緩沖。
9、在本申請實施例的第二方面，提供一種用于碲鋅鎘基碲鎘汞分子束外延的表面重構裝置，包括：
10、第一處理模塊，被配置為對碲鋅鎘襯底進行濕化學處理，得到碲鋅鎘襯底樣品；
11、第二處理模塊，被配置為對置于分子束外延設備裝樣腔中的所述碲鋅鎘襯底樣品進行加熱處理，得到去除水氣的第一襯底樣品；
12、第三處理模塊，被配置為對置于分子束外延設備生長腔室中的所述第一襯底樣品進行加熱處理，得到去除表面氧化層和損傷層的第二襯底樣品；
13、外延模塊，被配置為進行碲鋅鎘同質緩沖層外延，在反射式電子衍射儀圖像保持不變后，將所述第二襯底樣品對應的溫度降至室溫；
14、生成模塊，被配置為完成碲鋅鎘同質緩沖層外延的所述第二襯底樣品在設置到外延溫度區間內進行碲鎘汞超晶格緩沖層生長，得到第三襯底樣本；
15、調節模塊，被配置為對置于碲鎘汞室內的所述第三襯底樣本進行碲鎘汞外延薄膜生長，在外延生長過程中對組分進行連續梯度調節，生成以碲化鎘層為先導的帶隙梯度變化緩沖。
16、本申請提供了一種用于碲鋅鎘基碲鎘汞分子束外延的表面重構方法，包括：對碲鋅鎘襯底進行濕化學處理，得到碲鋅鎘襯底樣品；對置于分子束外延設備裝樣腔中的所述碲鋅鎘襯底樣品進行加熱處理，得到去除水氣的第一襯底樣品；對置于分子束外延設備生長腔室中的所述第一襯底樣品進行加熱處理，得到去除表面氧化層和損傷層的第二襯底樣品；進行碲鋅鎘同質緩沖層外延，在反射式電子衍射儀圖像保持不變后，將所述第二襯底樣品對應的溫度降至室溫；完成碲鋅鎘同質緩沖層外延的所述第二襯底樣品在設置到外延溫度區間內進行碲鎘汞超晶格緩沖層生長，得到第三襯底樣本；對置于碲鎘汞室內的所述第三襯底樣本進行碲鎘汞外延薄膜生長，在外延生長過程中對組分進行連續梯度調節，生成以碲化鎘層為先導的帶隙梯度變化緩沖。
17、應用本申請實施例提供的用于碲鋅鎘基碲鎘汞分子束外延的表面重構方法，可以對襯底本征的不利外延表面態實現最大程度規避，同時通過碲鋅鎘同質緩沖層及超晶格弛豫層的插入使得外延前表面狀態實現改性，獲得高平整度低缺陷表面，基本不會使得襯底的缺陷或者其他不利于外延的襯底狀態因素傳導到外延薄膜，極大提高外延成品率，降低對襯底自身性質的依賴，利于大規模生產和高質量碲鎘汞薄膜外延。
18、通過上述說明僅是本申請技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本申請的技術手段，而可依照說明書的內容予以實施，并且為了讓本申請的上述和其它目的、特征和優點能夠更明顯易懂，以下特舉本申請的具體實施方式。
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1.一種用于碲鋅鎘基碲鎘汞分子束外延的表面重構方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對碲鋅鎘襯底進行濕化學處理，得到碲鋅鎘襯底樣品，包括：
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對置于分子束外延設備生長腔室中的所述第一襯底樣品進行加熱處理，得到去除表面氧化層和損傷層的第二襯底樣品，包括：
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述對置于分子束外延設備生長腔室中的所述第一襯底樣品進行加熱處理，得到去除表面氧化層和損傷層的第二襯底樣品后，包括：
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述完成碲鋅鎘同質緩沖層外延的所述第二襯底樣品在設置到外延溫度區間內進行碲鎘汞超晶格緩沖層生長，得到第三襯底樣本后，包括：
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對置于碲鎘汞室內的所述第三襯底樣本進行碲鎘汞外延薄膜生長，在外延生長過程中對組分進行連續梯度調節，包括：
7.一種用于碲鋅鎘基碲鎘汞分子束外延的表面重構裝置，其特征在于，包括：
【技術特征摘要】
1.一種用于碲鋅鎘基碲鎘汞分子束外延的表面重構方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對碲鋅鎘襯底進行濕化學處理，得到碲鋅鎘襯底樣品，包括：
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對置于分子束外延設備生長腔室中的所述第一襯底樣品進行加熱處理，得到去除表面氧化層和損傷層的第二襯底樣品，包括：
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述對置于分子束外延設備生長腔室中的所述第一襯底樣品進行加熱處理，...
【專利技術屬性】
技術研發人員：管崇尚，邢偉榮，周睿，李震，姜夢佳，王丹，胡雨農，折偉林，
申請(專利權)人：中國電子科技集團公司第十一研究所，
類型：發明
國別省市：
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