【技術實現步驟摘要】
本申請涉及半導體封裝領域，尤其涉及一種層壓合金框架及其制作方法。
技術介紹
1、超聲波換能器用于將電能轉換為超聲波能量，或者將超聲波能量轉換為電能，其工作原理是通過壓電陶瓷的壓電效應將高頻電信號轉換為機械振動，進而產生超聲波。超聲波換能器在醫療、工業、通信等領域廣泛應用。在醫療領域，超聲波換能器常用于超聲波醫學成像設備中，產生超聲波圖像用于診斷。在工業領域，超聲波換能器用于超聲波清洗、焊接、切割等工藝。在通信領域，超聲波換能器則用于超聲波傳感器，檢測距離、液位等信息。
2、超聲波換能器在封裝過程中會應用到雙層合金框架，一般包括下層合金框架和位于下層合金框架表面上的上層合金框架，雙層合金框架不僅能滿足超聲波換能器的特定功能需求（比如較小的翹曲需求），雙層合金框架還可以為超聲波換能器提供支撐和固定，同時還能保護超聲波換能器的電路板免受機械損壞和環境影響。現有的雙層合金框架由于結構差異較大（比如下層合金框架或上層合金框架中會具有鏤空結構），進行雙層合金框架的制作時，需要將分立的下層合金框架和上層合金框架在分別成型后經由高溫壓合工藝粘接成型，但是在粘接過程中下層合金框架和上層合金框架有錯位的風險，導致下層合金框架和上層合金框架之間存在偏移，在封裝完成后，進行切割（或分割）時，有誤切到下層合金框架的主體的風險，不利于切割的進行。
技術實現思路
1、本申請要解決的技術問題是提供一種層壓合金框架及其制作方法，防止層壓合金框架的錯位風險。
2、為此，本申請一實施例提供了一種
3、提供第一合金框架，所述第一合金框架包括相對的上表面和下表面，所述第一合金框架的上表面具有至少兩個定位凸起；
4、提供第二合金框架，所述第二合金框架包括相對的上表面和下表面，所述第二合金框架的下表面具有至少兩個定位凹槽，所述定位凹槽的位置與所述定位凸起的位置對應；
5、將所述第二合金框架的下表面壓合在所述第一合金框架的上表面，進行所述壓合時所述定位凸起嵌于相應的所述定位凹槽中。
6、在可選的一實施例中，所述第一合金框架包括第一中間區域和包圍所述第一中間區域的第一邊緣區域，所述第二合金框架包括第二中間區域和包圍所述第二中間區域的第二邊緣區域，所述定位凸起位于所述第一合金框架的第一邊緣區域的上表面，所述定位凹槽位于所述第二合金框架的第二邊緣區域的下表面。
7、在可選的一實施例中，還包括：在所述第一合金框架的第一邊緣區域中形成貫穿所述第一邊緣區域上表面和下表面的第一定位孔；在所述第二合金框架的第二邊緣區域中形成貫穿所述第二邊緣區域上表面和下表面的第二定位孔，所述第二定位孔和第一定位孔的位置對應，進行所述壓合時，所述第二合金框架中的第二定位孔位于所述第一合金框架中的第一定位孔正上方。
8、在可選的一實施例中，所述第一合金框架的第一中間區域包括若干分立的第一主體區以及將相鄰的第一主體區固定連接的第一連接塊，所述第一連接塊的厚度小于所述第一主體區的厚度，且所述第一連接塊的上表面與所述第一主體區的上表面齊平，所述第一連接塊的下表面高于所述第一主體區的下表面；所述第二合金框架的第二中間區域包括若干分立的第二主體區以及將相鄰的第二主體區固定連接的第二連接塊，所述第二主體區的形狀、大小和位置與所述第一主體區的形狀、大小和位置對應，所述第二連接塊的形狀、大小和位置與所述第一連接塊的形狀、大小和位置對應，所述第二連接塊的厚度小于所述第二主體區的厚度，且所述第二連接塊的上表面低于所述第二主體區的上表面，所述第二連接塊的下表面與所述第二主體區的下表面齊平。
9、在可選的一實施例中，還包括：在所述第二合金框架的第二邊緣區域的上表面形成若干對位孔，所述對位孔的深度小于所述第二合金框架的厚度，所述對位孔用于在對所述層壓合金框架進行切割時定位第二主體區的位置。
10、在可選的一實施例中，所述對位孔，所述定位凸起，所述定位凹槽，所述第一連接塊和所述第二連接塊通過模具沖壓工藝和/或刻蝕工藝形成。
11、在可選的一實施例中，所述第二合金框架的第二主體區具有鏤空圖案，所述第一合金框架的第一主體區不具有鏤空圖案；還包括：在所述第一主體區的下表面貼裝半導體芯片。
12、在可選的一實施例中，在貼裝所述半導體芯片后，進行所述切割，切斷相鄰所述第二主體區之間的第二連接塊和所述相鄰所述第一主體區之間的第一連接塊，形成若干分立的封裝結構。
13、在可選的一實施例中，所述定位凸起的形狀、大小和位置與所述定位凹槽的形狀、大小和位置對應。
14、在可選的一實施例中，進行所述壓合時，通過粘合膠將所述第二合金框架的下表面壓合在所述第一合金框架的上表面，且進行所述壓合時的溫度為80攝氏度-180攝氏度。
15、本申請另一實施例還提供了一種層壓合金框架，包括：
16、第一合金框架，所述第一合金框架包括相對的上表面和下表面，所述第一合金框架的上表面具有至少兩個定位凸起；
17、第二合金框架，所述第二合金框架包括相對的上表面和下表面，所述第二合金框架的下表面具有至少兩個定位凹槽，所述定位凹槽的位置與所述定位凸起的位置對應；
18、所述第二合金框架的下表面壓合在所述第一合金框架的上表面，且所述壓合時所述定位凸起嵌于相應的定位凹槽中。
19、在可選的一實施例中，所述第一合金框架包括第一中間區域和包圍所述第一中間區域的第一邊緣區域，所述第二合金框架包括第二中間區域和包圍所述第二中間區域的第二邊緣區域，所述定位凸起位于所述第一合金框架的第一邊緣區域的上表面，所述定位凹槽位于所述第二合金框架的第二邊緣區域的下表面。
20、在可選的一實施例中，所述第一合金框架的第一邊緣區域還具有貫穿所述第一邊緣區域上表面和下表面的第一定位孔；所述第二合金框架的第二邊緣區域還具有貫穿所述第二邊緣區域上表面和下表面的第二定位孔，所述第二定位孔位于所述第一定位孔正上方。
21、在可選的一實施例中，所述第一合金框架的第一中間區域包括若干分立的第一主體區以及將相鄰的第一主體區固定連接的第一連接塊，所述第一連接塊的厚度小于所述第一主體區的厚度，且所述第一連接塊的上表面與所述第一主體區的上表面齊平，所述第一連接塊的下表面高于所述第一主體區的下表面；所述第二合金框架的第二中間區域包括若干分立的第二主體區以及將相鄰的第二主體區固定連接的第二連接塊，所述第二主體區的形狀、大小和位置與所述第一主體區的形狀、大小和位置對應，所述第二連接塊的形狀、大小和位置與所述第一連接塊的形狀、大小和位置對應，所述第二連接塊的厚度小于所述第二主體區的厚度，且所述第二連接塊的上表面低于所述第二主體區的上表面，所述第二連接塊的下表面與所述第二主體區的下表面齊平。
22、在可選的一實施例中，還包括：位于所述第二合金框架的第二邊緣區域的上表面的若干對位孔，所述對位孔的深度小于所述第二合金框架的厚度，所述對位孔用于本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種層壓合金框架的制作方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的層壓合金框架的制作方法，其特征在于，所述第一合金框架包括第一中間區域和包圍所述第一中間區域的第一邊緣區域，所述第二合金框架包括第二中間區域和包圍所述第二中間區域的第二邊緣區域，所述定位凸起位于所述第一合金框架的第一邊緣區域的上表面，所述定位凹槽位于所述第二合金框架的第二邊緣區域的下表面。
3.根據權利要求2所述的層壓合金框架的制作方法，其特征在于，還包括：在所述第一合金框架的第一邊緣區域中形成貫穿所述第一邊緣區域上表面和下表面的第一定位孔；在所述第二合金框架的第二邊緣區域中形成貫穿所述第二邊緣區域上表面和下表面的第二定位孔，所述第二定位孔和第一定位孔的位置對應，進行所述壓合時，所述第二合金框架中的第二定位孔位于所述第一合金框架中的第一定位孔正上方。
4.根據權利要求2所述的層壓合金框架的制作方法，其特征在于，所述第一合金框架的第一中間區域包括若干分立的第一主體區以及將相鄰的第一主體區固定連接的第一連接塊，所述第一連接塊的厚度小于所述第一主體區的厚度，且所述第一連接塊的上
5.根據權利要求4所述的層壓合金框架的制作方法，其特征在于，還包括：在所述第二合金框架的第二邊緣區域的上表面形成若干對位孔，所述對位孔的深度小于所述第二合金框架的厚度，所述對位孔用于在對所述層壓合金框架進行切割時定位第二主體區的位置。
6.根據權利要求5所述的層壓合金框架的制作方法，其特征在于，所述對位孔、所述定位凸起、所述定位凹槽、所述第一連接塊和所述第二連接塊通過模具沖壓工藝和/或刻蝕工藝形成。
7.根據權利要求5所述的層壓合金框架的制作方法，其特征在于，所述第二合金框架的第二主體區具有鏤空圖案，所述第一合金框架的第一主體區不具有鏤空圖案；還包括：在所述第一主體區的下表面貼裝半導體芯片。
8.根據權利要求7所述的層壓合金框架的制作方法，其特征在于，在貼裝所述半導體芯片后，進行所述切割，切斷相鄰所述第二主體區之間的第二連接塊和所述相鄰所述第一主體區之間的第一連接塊，形成若干分立的封裝結構。
9.根據權利要求1所述的層壓合金框架的制作方法，其特征在于，所述定位凸起的形狀、大小和位置與所述定位凹槽的形狀、大小和位置對應。
10.根據權利要求1所述的層壓合金框架的制作方法，其特征在于，進行所述壓合時，通過粘合膠將所述第二合金框架的下表面壓合在所述第一合金框架的上表面，且進行所述壓合時的溫度低于300攝氏度。
11.一種層壓合金框架，其特征在于，包括：
12.根據權利要求11所述的層壓合金框架，其特征在于，所述第一合金框架包括第一中間區域和包圍所述第一中間區域的第一邊緣區域，所述第二合金框架包括第二中間區域和包圍所述第二中間區域的第二邊緣區域，所述定位凸起位于所述第一合金框架的第一邊緣區域的上表面，所述定位凹槽位于所述第二合金框架的第二邊緣區域的下表面。
13.根據權利要求12所述的層壓合金框架，其特征在于，所述第一合金框架的第一邊緣區域還具有貫穿所述第一邊緣區域上表面和下表面的第一定位孔；所述第二合金框架的第二邊緣區域還具有貫穿所述第二邊緣區域上表面和下表面的第二定位孔，所述第二定位孔位于所述第一定位孔正上方。
14.根據權利要求12所述的層壓合金框架，其特征在于，所述第一合金框架的第一中間區域包括若干分立的第一主體區以及將相鄰的第一主體區固定連接的第一連接塊，所述第一連接塊的厚度小于所述第一主體區的厚度，且所述第一連接塊的上表面與所述第一主體區的上表面齊平，所述第一連接塊的下表面高于所述第一主體區的下表面；所述第二合金框架的第二中間區域包括若干分立的第二主體區以及將相鄰的第二主體區固定連接的第二連接塊，所述第二主體區的形狀、大小和位置與所述第一主體區的形狀、大小和位置對應，所述第二連接塊的形狀、大小和位置與所述第一連接塊的形狀、大小和位置對應，所述第二連接塊的厚度小于所述第二主體區的厚度，且所述第二連接塊的上表面低于所述第二主體區的上表面，所述第二連接塊的下表面...
【技術特征摘要】
1.一種層壓合金框架的制作方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的層壓合金框架的制作方法，其特征在于，所述第一合金框架包括第一中間區域和包圍所述第一中間區域的第一邊緣區域，所述第二合金框架包括第二中間區域和包圍所述第二中間區域的第二邊緣區域，所述定位凸起位于所述第一合金框架的第一邊緣區域的上表面，所述定位凹槽位于所述第二合金框架的第二邊緣區域的下表面。
3.根據權利要求2所述的層壓合金框架的制作方法，其特征在于，還包括：在所述第一合金框架的第一邊緣區域中形成貫穿所述第一邊緣區域上表面和下表面的第一定位孔；在所述第二合金框架的第二邊緣區域中形成貫穿所述第二邊緣區域上表面和下表面的第二定位孔，所述第二定位孔和第一定位孔的位置對應，進行所述壓合時，所述第二合金框架中的第二定位孔位于所述第一合金框架中的第一定位孔正上方。
4.根據權利要求2所述的層壓合金框架的制作方法，其特征在于，所述第一合金框架的第一中間區域包括若干分立的第一主體區以及將相鄰的第一主體區固定連接的第一連接塊，所述第一連接塊的厚度小于所述第一主體區的厚度，且所述第一連接塊的上表面與所述第一主體區的上表面齊平，所述第一連接塊的下表面高于所述第一主體區的下表面；所述第二合金框架的第二中間區域包括若干分立的第二主體區以及將相鄰的第二主體區固定連接的第二連接塊，所述第二主體區的形狀、大小和位置與所述第一主體區的形狀、大小和位置對應，所述第二連接塊的形狀、大小和位置與所述第一連接塊的形狀、大小和位置對應，所述第二連接塊的厚度小于所述第二主體區的厚度，且所述第二連接塊的上表面低于所述第二主體區的上表面，所述第二連接塊的下表面與所述第二主體區的下表面齊平。
5.根據權利要求4所述的層壓合金框架的制作方法，其特征在于，還包括：在所述第二合金框架的第二邊緣區域的上表面形成若干對位孔，所述對位孔的深度小于所述第二合金框架的厚度，所述對位孔用于在對所述層壓合金框架進行切割時定位第二主體區的位置。
6.根據權利要求5所述的層壓合金框架的制作方法，其特征在于，所述對位孔、所述定位凸起、所述定位凹槽、所述第一連接塊和所述第二連接塊通過模具沖壓工藝和/或刻蝕工藝形成。
7.根據權利要求5所述的層壓合金框架的制作方法，其特征在于，所述第二合金框架的第二主體區具有鏤空圖案，所述第一合金框架的第一主體區不具有鏤空圖案；還包括：在所述第一主體區的下表面貼裝半導體芯片。
8.根據權利要求7所述的層壓合金框架的制作方法，其特征在于，在貼裝所述半導體芯片后，進行所述切割，切斷相鄰所述第二主體區之間的第二連接塊和所述相鄰所述第一主體區之間的第一連接塊，形成若干分立的封裝結構。
9.根據權利要求1所述的層壓合金框架的制作方法，其特征在于，所述定位凸起的形狀、大小...
【專利技術屬性】
技術研發人員：陳暢，俞開源，張月升，濮虎，
申請(專利權)人：江蘇長電科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。