【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及包括框架、膜片和驅動單元的低音揚聲器。
技術介紹
1、典型的常規揚聲器具有框架、膜片以及用于再現聲音的驅動單元。在使用中，驅動單元使用作活塞的膜片前后移動以生成壓力波，即聲音。
2、驅動單元通常包括附接到框架的磁體單元和附接到膜片的音圈。磁體單元限定包括氣隙的磁路，磁通量被引導跨過該氣隙，并且音圈在靜止時位于該氣隙中。通過激勵音圈，磁體單元和音圈彼此磁性地協作，即磁性地相互作用，以實現音圈和膜片的組合的位移，從而產生聲音。
3、本專利技術人已經觀察到，根據常規原理，為了在揚聲器操作時高效利用磁路，磁體單元在氣隙中生成磁通量，使得相關聯的磁通密度跨所述氣隙盡可能均勻。例如，對于小型低音揚聲器，期望磁通密度跨氣隙盡可能均勻，以便確保磁路的高效使用，因為對于這些揚聲器，音圈的質量和尺寸可以相對地保持以抑制搖擺。因此，在常規揚聲器中，跨氣隙中的音圈的磁通密度值通常將從初始的100％下降到90％，或者可能低至85％。
技術實現思路
1、本文描述了一種低音揚聲器，其可以被視為偏離了以上
技術介紹
部分中概述的常規原理。更具體地，所描述的低音揚聲器具有氣隙，其中，跨音圈的磁通密度顯著下降50％或更多。所描述的低音揚聲器還具有改進的抗搖擺能力，這允許更大范圍的音圈參數，特別是相對大/重的音圈，以實現揚聲器的期望性能。
2、根據本專利技術的第一方面，提供了一種低音揚聲器，包括：框架；膜片，其通過至少第一懸掛元件和第二懸掛元件懸掛到框架，其中，第一懸掛元件
3、通過使音圈的外周處的磁通密度為音圈的內周處的磁通密度的50％(百分比)或更少，揚聲器能夠具有更小或更輕的磁體單元，從而有助于使整個揚聲器更輕(即使線圈被制造得更重以進行補償)。通過將音圈和懸掛元件布置為使得音圈的重心位于第一著陸面與第二著陸面之間，可以抑制搖擺(例如如由具有較重的線圈以補償跨氣隙的減少的通量引起的)。更特別地，揚聲器的搖擺模式可能被推到揚聲器的工作頻率范圍之外。因此，可以選擇音圈(例如尺寸/重量)以補償磁通密度的下降，而不損害期望的性能，例如力因子。
4、如上所述的低音揚聲器可以被配置為產生具有低音頻率范圍中的頻率的聲音。低音頻率范圍可以包括60-80hz，其中，“hz”表示物理單位“赫茲”。更優選地，低音頻率范圍可以包括40-100hz。以示例的方式，低音頻率范圍可以是20hz-100?hz。
5、第一懸掛元件可以被設置為環繞件。第一懸掛元件可以直接或間接地附接到膜片。在一些示例中，第一懸掛元件可以固定到膜片的外邊緣。
6、第二懸掛元件可以被設置為彈波(其可以被稱為“定心支片”)。第二懸掛元件可以直接或間接地附接到膜片。在一些示例中，第二懸掛元件可以在相對于膜片的外邊緣向內定位的位置處固定到膜片。
7、音圈剛性地連接到膜片，使得當揚聲器被激勵時，膜片和音圈一起(例如“作為一個”)沿著移動軸線移動。音圈可以直接或間接地剛性連接到膜片。
8、如本文所引用的氣隙中的磁通密度可以是徑向磁通密度。徑向磁通密度可以是在垂直于移動軸線的方向上測量的磁通密度。
9、如果音圈是大體圓形的，音圈的內周可以被稱為音圈的內徑，音圈的外周可以被稱為音圈的外徑。
10、內周與外周之間在徑向上(即，在垂直于移動軸線的方向上)的距離可以被認為是音圈的繞組厚度。因此，如上所述，穿過音圈的磁通密度可能在音圈的繞組厚度上下降。
11、磁通密度跨音圈下降(下降50％或更多)的程度可以取決于設計考慮，其可能因揚聲器而不同。在大多數情況下，認為該下降可高達90％或甚至更高。如果下降高達90％，則在音圈外周的磁通密度可以在音圈內周的磁通密度的10％至50％的范圍內。
12、至少兩個通量引導元件可以將氣隙限定為至少兩個通量引導元件之間的空間體積。當膜片靜止使得音圈位于氣隙中時，音圈可以位于至少兩個通量引導元件之間。
13、至少兩個通量引導元件可以包括墊圈并且可以包括軛，軛可選地設置為u形軛。永磁體可以位于墊圈和軛之間。
14、軛可包括基座和從基座延伸的側壁。墊圈和軛可以被布置為在墊圈和軛的側壁之間限定氣隙。
15、軛的側壁在垂直于移動軸線的方向上的厚度可以小于音圈在垂直于移動軸線的方向上的厚度。在側壁具有均勻壁厚(在垂直于移動軸線的方向上)的情況下，音圈的厚度(在垂直于移動軸線的方向上)可以大于(均勻)壁厚。在側壁具有非均勻壁厚的情況下，(非均勻)壁厚的最大值(在垂直于移動軸線的方向上)可以小于音圈的厚度(在垂直于移動軸線的方向上)。
16、側壁的厚度(例如如上所定義的)可以比音圈的厚度小至少兩倍，更優選地三倍，例如3.15倍。
17、在一些示例中，側壁的厚度(例如如上所定義的)可以比音圈的厚度小五倍或更多倍。
18、在至少兩個通量引導元件內的平均磁通密度可以在1.5t和2t之間，其中，“t”表示物理單位“特斯拉”，例如以避免/減少由通量引導元件的飽和引起的問題。
19、第一著陸面和第二著陸面之間的間距可以被定義為在平行于移動軸線的方向上測量的第一著陸面上的位置和第二著陸面上的位置之間的距離。
20、在平行于移動軸線的方向上測量的音圈的范圍(或音圈的“高度”)可以在平行于移動軸線的方向上測量的第一著陸面和第二著陸面之間的間距的85％和100％的范圍內。這種配置可以實現音圈的大的線性位移，同時有效地抑制搖擺運動。
21、磁體單元和氣隙可以形成磁路。磁路可為由永磁體生成并由至少兩個通量引導元件引導的磁通量提供大致閉合的回路(或環路)。
22、磁路可以具有相對高的磁阻。特別地，磁阻可以超過通常保持為低的常規磁體單元的磁阻。例如，磁路的磁阻可以是至少2.5×10^6[1/h]或者甚至3×10^6[1/h]，其中，“h”表示物理單位“亨利”。相反，常規磁體單元可以具有至多1.5×10^6[1/h]的磁阻。因此，根據本專利技術的磁阻對應于或超過更常規的磁性單元的磁阻的166％或甚至200％。
23、磁路的磁阻的大部分可歸因于氣隙。例如，氣隙可以具有至少2×10^6[1/h]的磁阻。
24、通過利用具有高磁阻的磁路，特別是高磁阻氣隙，可以利用相對小的通量引導元件。因此，可以減輕磁體單元的重量。磁體單元的這種重量減輕可本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種低音揚聲器，包括：
2.根據權利要求1所述的低音揚聲器，其中，在所述音圈的所述外周處的所述磁通密度在所述音圈的所述內周處的所述磁通密度的10％至50％的范圍內。
3.根據權利要求1或2所述的低音揚聲器，其中，所述磁體單元和所述氣隙形成具有至少2.5×10^6[1/H]的磁阻的磁路。
4.根據權利要求3所述的低音揚聲器，其中，所述氣隙具有至少2×10^6[1/H]的磁阻。
5.根據前述權利要求中任一項所述的低音揚聲器，
6.根據前述權利要求中任一項所述的低音揚聲器，
7.根據前述權利要求中任一項所述的低音揚聲器，
8.根據前述權利要求中任一項所述的低音揚聲器，其中，
9.根據前述權利要求中任一項所述的低音揚聲器，其中，
10.根據前述權利要求中任一項所述的低音揚聲器，其中，
11.根據前述權利要求中任一項所述的低音揚聲器，其中，
12.根據前述權利要求中任一項所述的低音揚聲器，
13.根據前述權利要求中任一項所述的低音揚聲器，>
14.根據前述權利要求中任一項所述的低音揚聲器，其中，
15.一種包括根據前述權利要求中任一項所述的低音揚聲器和外殼的組件，其中，所述低音揚聲器安裝在所述外殼中。
16.一種低音揚聲器，包括：
...【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】
1.一種低音揚聲器，包括：
2.根據權利要求1所述的低音揚聲器，其中，在所述音圈的所述外周處的所述磁通密度在所述音圈的所述內周處的所述磁通密度的10％至50％的范圍內。
3.根據權利要求1或2所述的低音揚聲器，其中，所述磁體單元和所述氣隙形成具有至少2.5×10^6[1/h]的磁阻的磁路。
4.根據權利要求3所述的低音揚聲器，其中，所述氣隙具有至少2×10^6[1/h]的磁阻。
5.根據前述權利要求中任一項所述的低音揚聲器，
6.根據前述權利要求中任一項所述的低音揚聲器，
7.根據前述權利要求中任一項所述的低音揚聲器，
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【專利技術屬性】
技術研發人員：F·維內，
申請(專利權)人：PSS比利時股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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