【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
實(shí)施例涉及掩模組件和制造該掩模組件的方法。
技術(shù)介紹
1、隨著信息技術(shù)的發(fā)展，已經(jīng)突出作為用戶和信息之間的連接媒介的顯示裝置的重要性。相應(yīng)地，諸如液晶顯示裝置、有機(jī)發(fā)光顯示裝置等的顯示裝置的使用一直在增加。
2、顯示裝置可以包括多個(gè)像素。多個(gè)像素中的每個(gè)可以包括設(shè)置在相對(duì)電極之間的發(fā)光層。發(fā)光層可以通過(guò)各種方法形成，其中一種方法可以是使用掩模組件的沉積方法。
3、掩模組件可以通過(guò)將多個(gè)掩模附接到框架來(lái)制造。在附接多個(gè)掩模的工藝中，掩模的形狀變形，這使發(fā)光層的沉積精度和可靠性劣化。
4、應(yīng)理解，技術(shù)部分的該
技術(shù)介紹
部分地旨在為理解技術(shù)提供有用的
技術(shù)介紹
。然而，技術(shù)部分的該
技術(shù)介紹
還可以包括在本文中公開(kāi)的主題的相應(yīng)有效申請(qǐng)日之前不屬于相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員所知或理解的思想、構(gòu)思或認(rèn)知。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、實(shí)施例致力于提供具有改善的沉積精度和可靠性的掩模組件以及制造該掩模組件的方法。
2、根據(jù)一實(shí)施例，掩模組件可以包括：框架，包括框架開(kāi)口；以及開(kāi)放掩模，包括與所述框架開(kāi)口重疊的多個(gè)單元開(kāi)口，其中所述開(kāi)放掩模可以進(jìn)一步包括與所述多個(gè)單元開(kāi)口中除了第一單元開(kāi)口之外的剩余單元開(kāi)口重疊的多個(gè)支撐部分。
3、所述多個(gè)單元開(kāi)口中的每個(gè)可以具有基本上矩形的形狀。
4、所述多個(gè)單元開(kāi)口的每個(gè)的對(duì)角線長(zhǎng)度可以為約11英寸或更大。
5、所述掩模組件可以進(jìn)一步包括第一沉積掩模，所述第一沉積掩模包括與所述第一單元開(kāi)口重疊的第一沉積區(qū)
6、所述多個(gè)支撐部分中的每個(gè)可以在第一方向上延伸，并且可以在基本上垂直于所述第一方向的第二方向上設(shè)置。
7、所述多個(gè)支撐部分可以包括：多個(gè)第一子支撐部分，每個(gè)所述第一子支撐部分在第一方向上延伸并在基本上垂直于所述第一方向的第二方向上設(shè)置；以及多個(gè)第二子支撐部分，每個(gè)所述第二子支撐部分在所述第二方向上延伸并在所述第一方向上設(shè)置。
8、根據(jù)一實(shí)施例，制造掩模組件的方法可以包括：制造開(kāi)放掩模，所述開(kāi)放掩模包括n個(gè)單元開(kāi)口，以及與所述n個(gè)單元開(kāi)口中除了第一單元開(kāi)口之外的剩余單元開(kāi)口重疊的多個(gè)支撐部分，其中n為3或更大的自然數(shù)；將所述開(kāi)放掩模附接到包括框架開(kāi)口的框架，使得所述n個(gè)單元開(kāi)口與所述框架開(kāi)口重疊；以及將包括第一沉積區(qū)的第一沉積掩模附接到所述開(kāi)放掩模，使得所述第一沉積區(qū)與所述第一單元開(kāi)口重疊。
9、所述掩模組件的所述方法可以進(jìn)一步包括：移除所述多個(gè)支撐部分中的與第k單元開(kāi)口重疊的第(k-1)支撐部分；以及將其中限定第k沉積區(qū)的第k沉積掩模附接到所述開(kāi)放掩模，使得所述第k沉積區(qū)與所述第k單元開(kāi)口重疊，其中k為2以上且n以下的自然數(shù)。
10、可以重復(fù)所述第(k-1)支撐部分的所述移除和所述第k沉積掩模的所述附接，直到k的值變?yōu)閚。
11、所述第一沉積掩模的所述附接可以包括：向所述第一沉積掩模施加拉力；將拉伸的所述第一沉積掩模焊接到所述開(kāi)放掩模；以及釋放所述拉力。
12、所述第k沉積掩模的所述附接可以包括：向所述第k沉積掩模施加拉力；將拉伸的所述第k沉積掩模焊接到所述開(kāi)放掩模；以及釋放所述拉力。
13、所述n個(gè)單元開(kāi)口中的每個(gè)可以具有基本上矩形的形狀。
14、所述n個(gè)單元開(kāi)口中的每個(gè)的對(duì)角線長(zhǎng)度可以為約11英寸或更大。
15、所述多個(gè)支撐部分中的每個(gè)可以在第一方向上延伸，并且可以在基本上垂直于所述第一方向的第二方向上設(shè)置。
16、多個(gè)支撐部分可以包括：多個(gè)第一子支撐部分，每個(gè)所述第一子支撐部分在第一方向上延伸并在基本上垂直于所述第一方向的第二方向上設(shè)置；以及多個(gè)第二子支撐部分，每個(gè)所述第二子支撐部分在所述第二方向上延伸并在所述第一方向上設(shè)置。
17、根據(jù)一實(shí)施例，制造掩模組件的方法可以包括：將掩模附接到包括框架開(kāi)口的框架；在所述掩模中形成第k單元開(kāi)口；以及將包括第k沉積區(qū)的第k沉積掩模附接到所述掩模，使得所述第k沉積區(qū)與所述第k單元開(kāi)口重疊，其中k為大于或等于1且小于或等于n的自然數(shù)，并且n為大于或等于3的自然數(shù)。
18、可以重復(fù)所述第k單元開(kāi)口的所述形成和所述第k沉積掩模的所述附接，直到k的值變?yōu)閚。
19、所述第k單元開(kāi)口可以通過(guò)用激光束照射所述掩模來(lái)形成。
20、所述第k單元開(kāi)口可以具有基本上矩形的形狀。
21、所述第k單元開(kāi)口的對(duì)角線長(zhǎng)度可以為約11英寸或更大。
22、根據(jù)實(shí)施例，通過(guò)在開(kāi)放掩模中形成與多個(gè)開(kāi)口重疊的多個(gè)支撐部分以防止開(kāi)放掩模變形，可以改善沉積精度。通過(guò)依次移除多個(gè)支撐部分以確保開(kāi)口中的空間，可以改善沉積可靠性。
23、然而，本公開(kāi)的效果不限于上面描述的效果，并且可以在不脫離本公開(kāi)的精神和范圍的情況下進(jìn)行各種擴(kuò)展。
本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種掩模組件，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模組件，其中所述多個(gè)單元開(kāi)口中的每個(gè)具有矩形的形狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩模組件，其中所述多個(gè)單元開(kāi)口中的每個(gè)的對(duì)角線長(zhǎng)度為11英寸或更大。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模組件，進(jìn)一步包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模組件，其中所述多個(gè)支撐部分中的每個(gè)在第一方向上延伸，并且在垂直于所述第一方向的第二方向上設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模組件，其中所述多個(gè)支撐部分包括：
7.一種制造掩模組件的方法，所述方法包括：
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，進(jìn)一步包括：
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中重復(fù)所述第(k-1)支撐部分的所述移除和所述第k沉積掩模的所述附接，直到k的值變?yōu)閚。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述第一沉積掩模的所述附接包括：
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述第k沉積掩模的所述附接包括：
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述n個(gè)單元開(kāi)口中的每個(gè)具有矩形的形狀。<...
【技術(shù)特征摘要】
1.一種掩模組件，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模組件，其中所述多個(gè)單元開(kāi)口中的每個(gè)具有矩形的形狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩模組件，其中所述多個(gè)單元開(kāi)口中的每個(gè)的對(duì)角線長(zhǎng)度為11英寸或更大。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模組件，進(jìn)一步包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模組件，其中所述多個(gè)支撐部分中的每個(gè)在第一方向上延伸，并且在垂直于所述第一方向的第二方向上設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模組件，其中所述多個(gè)支撐部分包括：
7.一種制造掩模組件的方法，所述方法包括：
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，進(jìn)一步包括：
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中重復(fù)所述第(k-1)支撐部分的所述移除和所述第k沉積掩模的所述附接，直到k的值變?yōu)閚。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述第一沉積掩模的所述附接包括：
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述第k沉積掩模的...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：李丞賑，姜延姝，金相勳，李相信，蔣敏智，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：三星顯示有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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