反應腔結構制造技術

本技術提供了一種反應腔結構，所述反應腔結構包括腔體、吸盤以及遮擋板。所述遮擋板環(huán)繞所述吸盤的側壁并嵌套設置于所述腔體內(nèi)，且所述遮擋板的外輪廓與所述腔體的側壁的輪廓相適配、并與所述腔體的側壁具有一間隙，在垂直于所述吸盤的頂面的方向上，所述遮擋板的頂面低于所述吸盤的頂面。通過所述遮擋板使得沉積工藝過程中形成的薄膜沉積于所述遮擋板的表面，從而保護所述腔體的底壁，減少刻蝕工藝過程對所述腔體的底壁的影響，減少了因刻蝕所述腔體的底壁而生成的金屬顆粒，減少了反應腔中的金屬顆粒濃度，進而減少因金屬顆粒導致的晶圓表面的白色像素問題，提高了晶圓的良率。

【技術實現(xiàn)步驟摘要】

本技術涉及半導體領域，尤其涉及一種反應腔結構。

技術介紹

1、隨著近年來的不斷發(fā)展，大多數(shù)芯片廠普遍采用等離子體增強化學氣相沉積(plasma?enhanced?chemical?vapor?deposition，簡稱pecvd)或者高密度等離子體化學氣相淀積(high-density?plasma?chemical?vapor?deposition，簡稱hdpcvd)進行絕緣介質的填充，這種工藝對于小于0.8微米的間隔具有良好的填充效果。

2、在淺槽隔離(shallow?trench?isolation，簡稱sti)工藝的溝槽的填充過程中，常采用hdpcvd工藝。hdpcvd工藝是在同一個反應腔的內(nèi)部，通過沉積-刻蝕-沉積步驟來完成的?？涛g的步驟中不僅會對硅片進行刻蝕，同時還會對整個反應腔體進行刻蝕，因此刻蝕的步驟中會在反應腔的內(nèi)部產(chǎn)生大量金屬粒子。當所述金屬粒子進入晶圓表面，則會提高晶圓表面的金屬含量，進而嚴重影響了晶圓的白色像素(white?pixel)數(shù)量。此外，在刻蝕步驟中還會產(chǎn)生大量顆粒(pa)，顆粒掉落在反應腔的底部會對反應腔環(huán)境的潔凈產(chǎn)生影響。如果反應腔的環(huán)境較差，則將嚴重影響沉積步驟中晶圓表面沉積的薄膜的性能。因此保持整個反應腔清洗潔凈程度變得尤為重要。

3、如何提供一種反應腔，能在沉積以及刻蝕工藝中減少刻蝕對晶圓的白色像素的影響以及刻蝕生成的顆粒對晶圓表面生成的薄膜質量的影響，是業(yè)界亟待解決的問題。

技術實現(xiàn)思路

1、本技術所要解決的技術問題是提供一種反應腔結構，能夠在沉積以及刻蝕工藝中，減少反應腔中的金屬顆粒，進而減少顆粒對晶圓表面的不良影響。

2、為了解決上述問題，本技術提供了一種反應腔結構，包括：腔體；吸盤，設置于所述腔體中，所述吸盤的頂面用于吸附固定晶圓；遮擋板，環(huán)繞所述吸盤的側壁并嵌套設置于所述腔體內(nèi)，且所述遮擋板的外輪廓與所述腔體的側壁的輪廓相適配、并與所述腔體的側壁具有一間隙，在垂直于所述吸盤的頂面的方向上，所述遮擋板的頂面低于所述吸盤的頂面。

3、在一些實施例中，在垂直于所述吸盤的頂面的方向上，所述遮擋板的底面高于所述吸盤的底面。

4、在一些實施例中，所述遮擋板的頂面所在的平面與所述吸盤的頂面所在的平面平行。

5、在一些實施例中，在垂直于所述吸盤的頂面的方向上，所述遮擋板底面與所述腔體的底壁相接。

6、在一些實施例中，所述腔體的形狀為圓柱形。

7、在一些實施例中，所述遮擋板的形狀為環(huán)形。

8、在一些實施例中，所述遮擋板的形狀為螺旋形。

9、在一些實施例中，所述遮擋板能夠隨所述吸盤移動。

10、在一些實施例中，所述遮擋板的材料為陶瓷。

11、在一些實施例中，所述遮擋板可拆卸組件。

12、上述技術方案，通過在反應腔的腔體增設遮擋板，所述遮擋板環(huán)繞于吸盤的側壁，所述遮擋板環(huán)繞所述吸盤的側壁并嵌套設置于所述腔體內(nèi)，且所述遮擋板的外輪廓與所述腔體的側壁的輪廓相適配、并與所述腔體的側壁具有一間隙，在垂直于所述吸盤的頂面的方向上，所述遮擋板的頂面低于所述吸盤的頂面。通過所述遮擋板使得沉積工藝過程中形成的薄膜沉積于所述遮擋板的表面，從而保護所述腔體的底壁，減少刻蝕工藝過程對所述腔體的底壁的影響，減少了因刻蝕所述腔體的底壁而生成的金屬顆粒，減少了反應腔中的金屬顆粒濃度，進而減少因金屬顆粒導致的晶圓表面的白色像素問題，提高了晶圓的良率。

13、應當理解的是，以上的一般描述和后文的細節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本技術。對于相關領域普通技術人員已知的技術、方法和設備可能不作詳細討論，但在適當情況下，所述技術、方法和設備應當被視為授權說明書的一部分。

本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術保護點】

1.一種反應腔結構，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權利要求1所述的反應腔結構，其特征在于，在垂直于所述吸盤的頂面的方向上，所述遮擋板的底面高于所述吸盤的底面。

3.根據(jù)權利要求1所述的反應腔結構，其特征在于，所述遮擋板的頂面所在的平面與所述吸盤的頂面所在的平面平行。

4.根據(jù)權利要求1所述的反應腔結構，其特征在于，所述遮擋板的底面與所述腔體的底壁相接。

5.根據(jù)權利要求1所述的反應腔結構，其特征在于，所述腔體的形狀為圓柱形。

6.根據(jù)權利要求1所述的反應腔結構，其特征在于，所述遮擋板的形狀為環(huán)形。

7.根據(jù)權利要求1所述的反應腔結構，其特征在于，所述遮擋板的形狀為螺旋形。

8.根據(jù)權利要求1所述的反應腔結構，其特征在于，所述遮擋板能夠隨所述吸盤移動。

9.根據(jù)權利要求1所述的反應腔結構，其特征在于，所述遮擋板的材料為陶瓷。

10.根據(jù)權利要求1所述的反應腔結構，其特征在于，所述遮擋板為可拆卸組件。

【技術特征摘要】

1.一種反應腔結構，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權利要求1所述的反應腔結構，其特征在于，在垂直于所述吸盤的頂面的方向上，所述遮擋板的底面高于所述吸盤的底面。

3.根據(jù)權利要求1所述的反應腔結構，其特征在于，所述遮擋板的頂面所在的平面與所述吸盤的頂面所在的平面平行。

4.根據(jù)權利要求1所述的反應腔結構，其特征在于，所述遮擋板的底面與所述腔體的底壁相接。

5.根據(jù)權利要求1所述的反應腔結構，其特征在于，所述腔體...

【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：謝婉揚，嚴翔，閆曉暉，
申請(專利權)人：上海積塔半導體有限公司，
類型：新型
國別省市：