【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及射頻微電子，更具體的說是涉及一種k波段限幅低噪聲放大器。
技術介紹
1、目前，在射頻接收系統中，低噪聲放大器(lna)位于接收鏈路的前端，是信號鏈路中不可或缺的組成部分。它的主要作用是對微弱的射頻信號進行放大，增強那些微弱的射頻信號，以便后續的信號處理能夠有效進行。
2、然而，在復雜的電磁環境中，可能會出現意外的高功率信號尖峰或雜散信號，例如在雷達、衛星通信等系統中，接收信號的功率水平可能會有較大波動，這種突發的強信號不僅會對接收系統造成挑戰，甚至可能導致低噪聲放大器的損壞。
3、由于傳統低噪聲放大器設計的局限性，它們通常缺乏對輸入信號的自動限制能力，功率容量低，導致在面對超出其承受范圍的強信號時，無法進行有效的保護。一旦高功率信號的出現超出其設計能力，低噪聲放大器可能會失效或故障，進而影響整個系統的信號處理穩定性和可靠性，影響系統的正常運行。
4、因此，如何解決這種高功率信號的自適應處理能力的缺乏，就成為了當前射頻接收系統設計中的一個重要技術挑戰。
技術實現思路
1、有鑒于此，本專利技術提供了一種k波段限幅低噪聲放大器，可至少部分解決上述現有技術中低噪聲放大器的缺乏自動限制能力、功率容量低、信號處理不穩定的問題。本專利技術通過級聯限幅器來限制輸入信號的幅度，使其保持在低噪聲放大電路可承受的范圍內，確保了整個系統的穩定性和可靠性。
2、為了實現上述目的，本專利技術采用如下技術方案：
3、本專利技術實施例提供的
4、其中，所述輸入匹配模塊用于實現射頻信號輸入端與二極管限幅模塊之間的阻抗匹配，并將接收的射頻信號傳輸至所述二極管限幅模塊；
5、所述二極管限幅模塊用于對射頻信號進行限幅，并將限幅后的射頻信號傳輸至所述級間匹配模塊；
6、所述級間匹配模塊用于實現二極管限幅模塊與低噪聲放大模塊之間的阻抗匹配，并將限幅后的射頻信號傳輸至所述低噪聲放大模塊；
7、所述低噪聲放大模塊用于對限幅后的射頻信號進行放大處理后傳輸至所述輸出匹配模塊；
8、所述輸出匹配模塊用于實現低噪聲放大模塊與射頻信號輸出端之間的阻抗匹配，并將放大后的射頻信號從所述射頻信號輸出端輸出。
9、經由上述的技術方案可知，與現有技術相比，本專利技術具有如下優勢：
10、1、功率容量大：本專利技術中，通過增加二極管限幅模塊中第一級限幅電路的并聯二極管分支，在確保pin二極管不會因為功率過大而損壞的同時有效地增加了散熱面積，使得該低噪聲放大器在功率容量方面有顯著提升。
11、2、噪聲系數小：本專利技術中，通過將電感l1、l2分別與兩個pin二極管分支并聯，使第一級限幅電路在小信號輸入時相當于一個理想開路，這可以在保持第一級限幅電路高功率容量的同時降低其插入損耗，從而進一步減小整體電路噪聲。
12、3、增益高：本專利技術中，通過采用共源共柵結構設計低噪聲放大模塊的第一級放大電路，減小了晶體管輸入和輸出之間的電容反饋，增加了該級放大器的輸出阻抗，有效提高了整個低噪聲放大器的高頻增益。
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1.一種K波段限幅低噪聲放大器，其特征在于，包括：依次級聯的輸入匹配模塊(1)、二極管限幅模塊(2)、級間匹配模塊(3)、低噪聲放大模塊(4)和輸出匹配模塊(5)；
2.根據權利要求1所述的一種K波段限幅低噪聲放大器，其特征在于，所述輸入匹配模塊(1)包括：電容(C1)，傳輸線(TL1)和傳輸線(TL2)；
3.根據權利要求2所述的一種K波段限幅低噪聲放大器，其特征在于，所述二極管限幅模塊(2)包括：第一級限幅電路、第二級限幅電路、電感(L1)、(L2)，傳輸線(TL3)、(TL4)、(TL5)；
4.根據權利要求1所述的一種K波段限幅低噪聲放大器，其特征在于，所述級間匹配模塊(3)包括：傳輸線(TL6)、(TL7)、(TL8)；
5.根據權利要求1所述的一種K波段限幅低噪聲放大器，其特征在于，所述低噪聲放大模塊(4)包括：第一級放大電路(A1)和第二放大電路(A2)；
6.根據權利要求5所述的一種K波段限幅低噪聲放大器，其特征在于，所述第一級放大電路(A1)包括：晶體管(M1、M2)、電阻(R1-R7)、電容(C2-C
7.根據權利要求6所述的一種K波段限幅低噪聲放大器，其特征在于，所述第二級放大電路(A2)包括：晶體管(M3)、電阻(R8-R12)、電容(C8-C12)、傳輸線(TL13-TL17)；
8.根據權利要求7所述的一種K波段限幅低噪聲放大器，其特征在于，所述晶體管(M1、M2、M3)均為共面波導晶體管。
9.根據權利要求7所述的一種K波段限幅低噪聲放大器，其特征在于，所述輸出匹配模塊(5)包含傳輸線(TL18)以及所述第二級放大電路(A2)的傳輸線(TL16)、電阻(R12)、電容(C12)、(C13)；
...【技術特征摘要】
1.一種k波段限幅低噪聲放大器，其特征在于，包括：依次級聯的輸入匹配模塊(1)、二極管限幅模塊(2)、級間匹配模塊(3)、低噪聲放大模塊(4)和輸出匹配模塊(5)；
2.根據權利要求1所述的一種k波段限幅低噪聲放大器，其特征在于，所述輸入匹配模塊(1)包括：電容(c1)，傳輸線(tl1)和傳輸線(tl2)；
3.根據權利要求2所述的一種k波段限幅低噪聲放大器，其特征在于，所述二極管限幅模塊(2)包括：第一級限幅電路、第二級限幅電路、電感(l1)、(l2)，傳輸線(tl3)、(tl4)、(tl5)；
4.根據權利要求1所述的一種k波段限幅低噪聲放大器，其特征在于，所述級間匹配模塊(3)包括：傳輸線(tl6)、(tl7)、(tl8)；
5.根據權利要求1所述的一種k波段限幅低噪聲放大器，其特征在于，所述低噪聲放大模塊(4)包括：第一級放大電路(...
【專利技術屬性】
技術研發人員：樂夢楠，林雨茹，劉學利，徐軍，
申請(專利權)人：電子科技大學，
類型：發明
國別省市：
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