【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體，尤其涉及一種等離子體進氣結構及薄膜沉積設備。
技術介紹
1、在半導體制造過程中，特別是對于高密度等離子體化學氣相沉積(hdpcvd)設備而言，維持一個無污染的環境至關重要，因為任何微小的雜質都可能影響到最終產品的性能和可靠性。清潔工藝(clean?recipe)是保證這種環境的關鍵步驟之一，它通過使用遠程等離子源(rps)產生的活性物質來清除腔室內壁上的殘留物，確保沉積過程中的純凈度。
2、然而，在執行清潔工藝時，rps解離出的氟離子流過下方的rps管(tube)、頂部模塊(top?block)以及從陶瓷噴頭(baffle)背部進入腔室的過程中，帶來了顯著的技術挑戰。具體來說，當高溫氟離子經過rps管時，由于top?block內部設計有水冷系統，理論上可以吸收部分熱量以保護設備免受損害。但是，實際操作中發現，top?block的水冷效率不足以應對氟離子帶來的大量熱負荷，導致rps管長期處于高溫狀態。這種持續的高溫不僅加速了rps管材料的老化與腐蝕，還可能產生顆粒物污染，進而影響半導體器件的質量和生產良率。
技術實現思路
1、本專利技術的實施例提供了一種等離子體進氣結構及薄膜沉積設備，旨在解決現有的rps管由于高溫腐蝕而失效的問題。
2、第一方面，本專利技術提供了一種等離子體進氣結構，包括：用于供解離氣體進氣的進氣基座和冷卻水道，所述進氣基座包括管部和座部，所述管部設于所述座部的上方，所述進氣基座開設有所述冷卻水道，所述冷卻水道經過所述座
3、進一步地，所述管部與所述座部為一體結構。
4、進一步地，所述冷卻水道包括環形水道、下進水口和上出水口，所述環形水道沿所述進氣基座的周向開設于所述管部和所述座部的側壁內部，所述下進水口開設于所述座部的外側壁且與所述環形水道貫通，所述上出水口開設于所述管部的外側壁且與所述環形水道貫通。
5、進一步地，所述管部的外徑與所述座部的外徑相同。
6、進一步地，所述環形水道在所述管部和所述座部的側壁內部沿所述進氣基座的軸向呈上下貫通。
7、進一步地，所述座部上開設有沿其徑向延伸的第三進氣通道，所述座部的側壁內部設有用于避讓所述第三進氣通道的封閉截斷區以截斷部分所述環形水道，所述環形水道與所述第三進氣通道在同一水平截面上呈開環結構。
8、進一步地，所述第三進氣通道包括軸向段和徑向段，所述徑向段沿所述座部的徑向開設，所述軸向段沿所述座部的軸向開設，所述軸向段與所述徑向段垂直連通。
9、進一步地，所述管部的頂部設有固定部，沿所述固定部的周向側壁間隔開設有多個用于固定的凹槽。
10、進一步地，所述管部沿其軸向開設有第一進氣通道，所述座部沿其軸向開設有第二進氣通道，所述第一進氣通道與所述第二進氣通道貫通。
11、第二方面，本專利技術還提供一種薄膜沉積設備，包括上述第一方面的等離子體進氣結構。
12、本專利技術提供一種等離子體進氣結構及薄膜沉積設備，該等離子體進氣結構包括：進氣基座和冷卻水道，進氣基座用于供解離氣體進氣，進氣基座包括管部和座部，管部設置在座部的上方，冷卻水道開設在整個進氣基座上，冷卻水道不僅經過座部而且還經過管部，從而使得管部增加了水冷功能，降低管部受高溫遠程等離子帶來的高溫腐蝕影響，減少顆粒物污染，延長零部件使用壽命。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種等離子體進氣結構，其特征在于，包括：用于供解離氣體進氣的進氣基座和冷卻水道，所述進氣基座包括管部和座部，所述管部設于所述座部的上方，所述進氣基座開設有所述冷卻水道，所述冷卻水道經過所述座部和所述管部。
2.根據權利要求1所述的等離子體進氣結構，其特征在于，所述管部與所述座部為一體結構。
3.根據權利要求1所述的等離子體進氣結構，其特征在于，所述冷卻水道包括環形水道、下進水口和上出水口，所述環形水道沿所述進氣基座的周向開設于所述管部和所述座部的側壁內部，所述下進水口開設于所述座部的外側壁且與所述環形水道貫通，所述上出水口開設于所述管部的外側壁且與所述環形水道貫通。
4.根據權利要求3所述的等離子體進氣結構，其特征在于，所述管部的外徑與所述座部的外徑相同。
5.根據權利要求3所述的等離子體進氣結構，其特征在于，所述環形水道在所述管部和所述座部的側壁內部沿所述進氣基座的軸向呈上下貫通。
6.根據權利要求5所述的等離子體進氣結構，其特征在于，所述座部上開設有沿其徑向延伸的第三進氣通道，所述座部的側壁內部設有用于避讓所述第
7.根據權利要求6所述的等離子體進氣結構，其特征在于，所述第三進氣通道包括軸向段和徑向段，所述徑向段沿所述座部的徑向開設，所述軸向段沿所述座部的軸向開設，所述軸向段與所述徑向段垂直連通。
8.根據權利要求1所述的等離子體進氣結構，其特征在于，所述管部的頂部設有固定部，沿所述固定部的周向側壁間隔開設有多個用于固定的凹槽。
9.根據權利要求1-7任一項所述的等離子體進氣結構，其特征在于，所述管部沿其軸向開設有第一進氣通道，所述座部沿其軸向開設有第二進氣通道，所述第一進氣通道與所述第二進氣通道貫通。
10.一種薄膜沉積設備，其特征在于，包括如權利要求1-9任一項所述的等離子體進氣結構。
...【技術特征摘要】
1.一種等離子體進氣結構，其特征在于，包括：用于供解離氣體進氣的進氣基座和冷卻水道，所述進氣基座包括管部和座部，所述管部設于所述座部的上方，所述進氣基座開設有所述冷卻水道，所述冷卻水道經過所述座部和所述管部。
2.根據權利要求1所述的等離子體進氣結構，其特征在于，所述管部與所述座部為一體結構。
3.根據權利要求1所述的等離子體進氣結構，其特征在于，所述冷卻水道包括環形水道、下進水口和上出水口，所述環形水道沿所述進氣基座的周向開設于所述管部和所述座部的側壁內部，所述下進水口開設于所述座部的外側壁且與所述環形水道貫通，所述上出水口開設于所述管部的外側壁且與所述環形水道貫通。
4.根據權利要求3所述的等離子體進氣結構，其特征在于，所述管部的外徑與所述座部的外徑相同。
5.根據權利要求3所述的等離子體進氣結構，其特征在于，所述環形水道在所述管部和所述座部的側壁內部沿所述進氣基座的軸向呈上下貫通。
6.根據...
【專利技術屬性】
技術研發人員：于飛洋，李欽波，溫佳星，
申請(專利權)人：拓荊創益沈陽半導體設備有限公司，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。