【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體設備中的加熱噴淋盤機構，尤其涉及一種半導體背面沉積基座。
技術介紹
1、在現有技術中，有一種需要在晶圓背面沉積薄膜的工藝，其中關鍵機構為帶有噴淋和加熱結構的基座。現有技術中，一般將其整體采用三系鋁材進行旋轉摩擦焊或者eb(電子束焊)焊接的方式固定連接。
2、但是，上述基座機構設計中，為了基座具備一定的剛性，減少長期使用的形變，一般采用三系的鋁合金加工而成，而三系鋁合金在400°環境下長期使用，由于工藝腔體內會通入三氟化氮，三氟化氮會氟化與其接觸的基座，被氟化后很容易產生氟化粉末，該氟化粉末不容易附著在基座上，該氟化粉末會在腔體中擴散并導致腔內環境變得惡劣，影響顆粒度。
技術實現思路
1、本專利技術的目的在于克服現有技術的不足，提供一種半導體背面沉積基座，以解決現有加熱噴淋盤采用三系鋁合金容易被氟化產生粉末影響工藝腔體的技術問題。
2、為實現上述目的，本專利技術采用以下技術方案：
3、本專利技術的實施例提供了一種半導體背面沉積基座，其包括：噴淋面板組件，連接于所述噴淋面板組件底部中心的基柄，嵌設于所述基柄內的進氣管；其中，所述噴淋面板組件內設有進氣腔室，所述進氣腔室內還設有擋板，所述進氣管連通于所述進氣腔室，且所述進氣管的上端部位于所述擋板下方；其中，所述噴淋面板組件包括位于最外層的面板，所述面板采用鎳合金或鈦合金等耐氟化材質制成。
4、其中，所述噴淋面板組件還包括：位于所述面板下方的中間基板和位于所述中間基板下方的
5、其中，所述面板包括：依次焊接固定連接的外層板、中層板和內層板，所述中層板位于所述外層板和所述內層板之間，所述外層板和所述內層板采用一系鋁材質，所述中層板采用六系鋁材質。
6、其中，所述面板包括：依次焊接固定連接的外層板、中層板和內層板，所述中層板位于所述外層板和所述內層板之間，所述外層板和所述內層板采用一系鋁材質，所述中層板采用鎳或鈦材質。
7、其中，所述外層板、中層板和內層板之間采用電子束焊、鎢極氬弧焊、熔化極惰性氣體保護焊、氣焊、激光焊、攪拌摩擦焊、真空釬焊其中之一的方式焊接。
8、其中，所述噴淋面板組件為圓盤結構，所述進氣管為圓形中空管，所述基柄為圓桿結構，所述噴淋面板組件與所述進氣管、所述基柄同軸固定連接。
9、其中，所述外層板、中層板和內層板的圓盤直徑范圍為250-500mm，圓盤厚度范圍為1-100mm。
10、其中，所述擋板與所述中間基板之間采用電子束焊接方式固定連接。
11、其中，所述發熱絲與所述中間基板之間采用釬焊焊接方式固定連接，所述底部基板與所述中間基板之間采用真空釬焊固定連接。
12、其中，所述中間基板和所述底部基板均包括三系鋁材質的基體以及焊接于所述基體表面的一系鋁材質的面層。
13、本專利技術的半導體背面沉積基座，其將噴淋面板組件的各層板采用鎳合金或鈦合金材質或者其結合一系鋁和三系鋁的特性的組合結構設計，一方面避免基座被氟化產生氟化粉末，污染工藝腔體，同時采用不同焊接工藝，提高基座的強度和耐腐蝕。
14、上述說明僅是本專利技術技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本專利技術技術手段，可依照說明書的內容予以實施，并且為了讓本專利技術的上述和其它目的、特征及優點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，詳細說明如下。
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1.一種半導體背面沉積基座，其特征在于，包括：噴淋面板組件，連接于所述噴淋面板組件底部中心的基柄，嵌設于所述基柄內的進氣管；其中，所述噴淋面板組件內設有進氣腔室，所述進氣腔室內還設有擋板，所述進氣管連通于所述進氣腔室，且所述進氣管的上端部位于所述擋板下方；其中，所述噴淋面板組件包括位于最外層的面板，所述面板采用耐氟化材質制成。
2.根據權利要求1所述的半導體背面沉積基座，其特征在于，所述面板采用鎳合金或鈦合金材質制成。
3.根據權利要求1所述的半導體背面沉積基座，其特征在于，所述噴淋面板組件還包括：位于所述面板下方的中間基板和位于所述中間基板下方的底部基板；所述中間基板與所述面板之間圍合成所述進氣腔室，所述中間基板內還嵌設有加熱絲，所述面板上設有若干與所述進氣腔室連通的噴淋孔。
4.根據權利要求3所述的半導體背面沉積基座，其特征在于，所述面板包括：依次焊接固定連接的外層板、中層板和內層板，所述中層板位于所述外層板和所述內層板之間，所述外層板和所述內層板采用一系鋁材質，所述中層板采用六系鋁材質。
5.根據權利要求3所述的半導體背面沉積
6.根據權利要求4或5所述的半導體背面沉積基座，其特征在于，所述外層板、中層板和內層板之間采用電子束焊、鎢極氬弧焊、熔化極惰性氣體保護焊、氣焊、激光焊、攪拌摩擦焊、真空釬焊其中之一的方式焊接。
7.根據權利要求6所述的半導體背面沉積基座，其特征在于，所述外層板、中層板和內層板的圓盤直徑范圍為250-500mm，圓盤厚度范圍為1-100mm。
8.根據權利要求2所述的半導體背面沉積基座，其特征在于，所述擋板與所述中間基板之間采用電子束焊接方式固定連接。
9.根據權利要求2所述的半導體背面沉積基座，其特征在于，所述發熱絲與所述中間基板之間采用釬焊焊接方式固定連接，所述底部基板與所述中間基板之間采用真空釬焊固定連接。
10.根據權利要求2所述的半導體背面沉積基座，其特征在于，所述中間基板和所述底部基板均包括三系鋁材質的基體以及焊接于所述基體表面的一系鋁材質的面層。
...【技術特征摘要】
1.一種半導體背面沉積基座，其特征在于，包括：噴淋面板組件，連接于所述噴淋面板組件底部中心的基柄，嵌設于所述基柄內的進氣管；其中，所述噴淋面板組件內設有進氣腔室，所述進氣腔室內還設有擋板，所述進氣管連通于所述進氣腔室，且所述進氣管的上端部位于所述擋板下方；其中，所述噴淋面板組件包括位于最外層的面板，所述面板采用耐氟化材質制成。
2.根據權利要求1所述的半導體背面沉積基座，其特征在于，所述面板采用鎳合金或鈦合金材質制成。
3.根據權利要求1所述的半導體背面沉積基座，其特征在于，所述噴淋面板組件還包括：位于所述面板下方的中間基板和位于所述中間基板下方的底部基板；所述中間基板與所述面板之間圍合成所述進氣腔室，所述中間基板內還嵌設有加熱絲，所述面板上設有若干與所述進氣腔室連通的噴淋孔。
4.根據權利要求3所述的半導體背面沉積基座，其特征在于，所述面板包括：依次焊接固定連接的外層板、中層板和內層板，所述中層板位于所述外層板和所述內層板之間，所述外層板和所述內層板采用一系鋁材質，所述中層板采用六系鋁材質。
5.根據權利要求3所述的半導體背面沉積基座，其...
【專利技術屬性】
技術研發人員：劉振，方成，
申請(專利權)人：拓荊科技上海有限公司，
類型：發明
國別省市：
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