【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及聲波諧振領域，特別是涉及一種西沙瓦波聲表面波諧振器、裸芯片及通信組件。
技術介紹
1、隨著通信技術的不斷發展，越來越多的設備需要與其他設備進行信息交換，而設備的小型化成了必然的發展目標，這也對移動通信設備提出了更高的要求。
2、在同一通信設備中采用多種濾波器技術不可避免的增加器件的尺寸，怎樣降低器件的尺寸已經成為急需解決的問題。傳統結構中，saw（聲表面波）濾波器一般采用鈮酸鋰、鉭酸鋰、甚至氧化鋅作為壓電層，而baw（體聲波）濾波器一般采用氮化鋁或摻鈧氮化鋁作為壓電層。壓電材料的不同限制了將saw和baw濾波器在同一片晶圓上同時制作，分開制作的saw和baw濾波器在最終使用時的尺寸必然大于將saw和baw濾波器制作在同一片晶圓上的結構。因此迫切需求一種更高性能的諧振器能與saw或baw濾波器高度集成，如在同一片晶圓上制備。
3、因此，如何在不阻礙濾波器小型化的同時，改善諧振器的結構以實現濾波器的小型化，并同時改善濾波器的性能是本領域技術人員亟待解決的問題。
技術實現思路
1、本專利技術的目的是提供一種西沙瓦波聲表面波諧振器、裸芯片及通信組件，以解決現有技術中不能在不阻礙諧振器小型化的同時，提升諧振器的性能的問題。
2、為解決上述技術問題，本專利技術提供一種西沙瓦波聲表面波諧振器，從下到上依次包括襯底、定向導能結構、第一壓電層、圖形化的第二壓電層及叉指電極；
3、所述第一壓電層和/或所述第二壓電層包括鉭酸鋰層、鈮酸鋰層、氮
4、所述定向導能結構包括空腔和/或布拉格結構層。
5、可選地，在所述的西沙瓦波聲表面波諧振器中，定向導能結構僅包括所述空腔；
6、所述襯底與所述第一壓電層的接觸面包括凹槽，所述凹槽與所述第一壓電層圍成所述空腔。
7、可選地，在所述的西沙瓦波聲表面波諧振器中，所述布拉格結構層包括多個交替設置的第一聲阻抗層與第二聲阻抗層；所述第一聲阻抗層的聲阻抗高于所述第二聲阻抗層的聲阻抗；
8、所述布拉格結構層包括的聲阻抗層的層數范圍為2層至12層，包括端點值。
9、可選地，在所述的西沙瓦波聲表面波諧振器中，還包括諧振導電層；
10、所述諧振導電層設置于所述定向導能結構及所述第一壓電層之間。
11、可選地，在所述的西沙瓦波聲表面波諧振器中，所述第二壓電層及所述叉指電極在所述襯底上的正投影完全重疊或部分重疊。
12、可選地，在所述的西沙瓦波聲表面波諧振器中，還包括反射柵；
13、所述反射柵沿第一方向設置于所述叉指電極的兩側；
14、所述第一方向為所述叉指電極的排列方向。
15、可選地，在所述的西沙瓦波聲表面波諧振器中，還包括二氧化硅層，所述二氧化硅層設置于所述襯底與所述定向導能結構之間。
16、可選地，在所述的西沙瓦波聲表面波諧振器中，所述第一壓電層與所述第二壓電層為相同的材料層。
17、一種裸芯片，所述裸芯片包括體聲波諧振器及如上述任一種所述的西沙瓦波聲表面波諧振器。
18、一種通信組件，所述通信組件包括如上述任一種所述的裸芯片。
19、本專利技術所提供的西沙瓦波聲表面波諧振器，從下到上依次包括襯底、定向導能結構、第一壓電層、圖形化的第二壓電層及叉指電極；所述第一壓電層和/或所述第二壓電層包括鉭酸鋰層、鈮酸鋰層、氮化鋁層、摻鈧氮化鋁層、氧化鋅層及壓電陶瓷層中的至少一種；所述定向導能結構包括空腔和/或布拉格結構層。本專利技術通過第一壓電層、第二壓電層及叉指電極激發西沙瓦波的聲表面波，同時限定兩壓電層材料，使西沙瓦波聲表面波諧振器可以與其他體聲波諧振器直接集成在同一裸芯片上，并在所述第一壓電層下方插入定向導能結構，降低了了西沙瓦波的能量向襯底的方向的泄漏，將更多的西沙瓦波能量集中到諧振器的有效區，從而在大大減小聲表面波諧振器與體聲波諧振器組成的復合諧振器的空間占用的同時，提升了諧振器的機電耦合系數，增加了諧振器的輸出功率。本專利技術同時還提供了一種具有上述有益效果的裸芯片及通信組件。
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1.一種西沙瓦波聲表面波諧振器，其特征在于，從下到上依次包括襯底、定向導能結構、第一壓電層、圖形化的第二壓電層及叉指電極；
2.如權利要求1所述的西沙瓦波聲表面波諧振器，其特征在于，定向導能結構僅包括所述空腔；
3.如權利要求1所述的西沙瓦波聲表面波諧振器，其特征在于，所述布拉格結構層包括多個交替設置的第一聲阻抗層與第二聲阻抗層；所述第一聲阻抗層的聲阻抗高于所述第二聲阻抗層的聲阻抗；
4.如權利要求1所述的西沙瓦波聲表面波諧振器，其特征在于，還包括諧振導電層；
5.如權利要求1所述的西沙瓦波聲表面波諧振器，其特征在于，所述第二壓電層及所述叉指電極在所述襯底上的正投影完全重疊或部分重疊。
6.如權利要求1所述的西沙瓦波聲表面波諧振器，其特征在于，還包括反射柵；
7.如權利要求1所述的西沙瓦波聲表面波諧振器，其特征在于，還包括二氧化硅層，所述二氧化硅層設置于所述襯底與所述定向導能結構之間。
8.如權利要求1所述的西沙瓦波聲表面波諧振器，其特征在于，所述第一壓電層與所述第二壓電層為相同的材料層。
...【技術特征摘要】
1.一種西沙瓦波聲表面波諧振器，其特征在于，從下到上依次包括襯底、定向導能結構、第一壓電層、圖形化的第二壓電層及叉指電極；
2.如權利要求1所述的西沙瓦波聲表面波諧振器，其特征在于，定向導能結構僅包括所述空腔；
3.如權利要求1所述的西沙瓦波聲表面波諧振器，其特征在于，所述布拉格結構層包括多個交替設置的第一聲阻抗層與第二聲阻抗層；所述第一聲阻抗層的聲阻抗高于所述第二聲阻抗層的聲阻抗；
4.如權利要求1所述的西沙瓦波聲表面波諧振器，其特征在于，還包括諧振導電層；
5.如權利要求1所述的西沙瓦波聲表面波諧振器，其特征在于，所述第二壓電層及所述叉指電極在所...
【專利技術屬性】
技術研發人員：張標，陳高鵬，
申請(專利權)人：睿思微系統煙臺有限公司，
類型：發明
國別省市：
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