【技術實現步驟摘要】
本申請涉及半導體封裝，具體涉及一種導線結構。
技術介紹
1、如圖1a和圖1b，fan-out(扇出型)制程主要是在介電層01上表面形成種子層02，種子層02背離介電層01的一側形成導電跡線03后，再濕蝕刻去除種子層02避免導電跡線03短路，然而在蝕刻中，蝕刻液04去除種子層02同時也會蝕刻種子層02上的導電跡線03，進而減薄了導電跡線03，使得在導電跡線03中較細線路被薄化而導致導電跡線03的抗彎曲強度下降，進而使得在進行封裝時導電跡線03中的較細線路易發生斷路。
技術實現思路
1、本申請的目的是提供一種導線結構。
2、本申請提出了一種導線結構，包括：
3、第一介電層；
4、種子層，設置在所述第一介電層上；
5、導電跡線，設置在所述種子層背離所述第一介電層的上表面上；
6、第二介電層，包覆所述導電跡線，并接觸所述種子層的上表面。
7、本申請提供的一種導線結構，包括第一介電層，在第一介電層的上表面設置有種子層，將導電跡線設置在種子層背離第一介電層的上表面上，為了避免對種子層進行蝕刻時，也會同時對導電跡線進行蝕刻，導致導電跡線被減薄，易出現導電跡線抗彎曲強度降低，甚至斷路的問題，本申請在進行蝕刻前使用光刻膠作為保護層，將導電跡線與蝕刻液隔離開，以保證在對種子層進行蝕刻時，不會對導電跡線進行蝕刻，避免導電跡線被減薄，保證了導電跡線的抗彎曲強度，進而確保整個導線結構的正常工作，而不會出現斷路等問題。在對種子層進行濕蝕刻
8、在一些可選的實施方式中，所述種子層包括第一種子層和第二種子層；
9、所述第一種子層設置在所述第一介電層上，所述第二種子層設置在所述第一種子層背離所述第一介電層的上表面上，所述第二種子層側壁突出于所述導電跡線的側壁。
10、在一些可選的實施方式中，所述第一種子層側壁突出于所述第二種子層的側表面。
11、在一些可選的實施方式中，所述第一種子層側壁包括第一內縮曲面，所述第二種子層側壁包括第二內縮曲面。
12、在一些可選的實施方式中，所述第一種子層側壁包括第一內縮曲面，或所述第二種子層側壁包括第二內縮曲面。
13、在一些可選的實施方式中，所述第二介電層與所述導電跡線的上表面接觸。
14、在一些可選的實施方式中，所述第一種子層在所述第一介電層上的正投影覆蓋所述第二種子層在所述第一介電層上的正投影。
15、在一些可選的實施方式中，所述導電跡線在所述第一介電層上的正投影位于所述第二種子層在所述第一介電層上的正投影內。
16、在一些可選的實施方式中，所述第一種子層側壁距離所述第二種子層側壁為第一距離d1，所述第二種子層側壁距離所述導電跡線側壁為第二距離d2，所述第一距離d1＜所述第二距離d2。
17、在一些可選的實施方式中，所述導電跡線的上表面的寬度與所述導電跡線的下表面的寬度不相等。
18、在一些可選的實施方式中，所述導電跡線的上表面的寬度大于所述導電跡線的下表面的寬度。
19、在一些可選的實施方式中，所述導電跡線的上表面的寬度小于所述導電跡線的下表面的寬度。
20、在一些可選的實施方式中，所述導電跡線的上表面的寬度與所述導電跡線的下表面的寬度相等。
21、在一些可選的實施方式中，所述導電跡線的上表面的寬度范圍為0.5μm-5μm。
22、在一些可選的實施方式中，所述導電跡線的厚度范圍為1μm-5μm。
23、在一些可選的實施方式中，所述第一種子層的厚度范圍為200埃-5000埃。
24、在一些可選的實施方式中，所述第二種子層的厚度范圍為500埃-10000埃。
25、在一些可選的實施方式中，所述導電跡線的上表面的寬度為a，所述導電跡線的下表面的寬度為b，b/a的比值范圍為0.9-1.1。
26、在一些可選的實施方式中，所述第一種子層的材料為ti、ta、w、tin或tan。
27、在一些可選的實施方式中，所述第二種子層的材料為cu或ag。
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1.一種導線結構，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的導線結構，其特征在于，所述種子層包括第一種子層和第二種子層；
3.根據權利要求2所述的導線結構，其特征在于，所述第一種子層側壁突出于所述第二種子層的側表面。
4.根據權利要求3所述的導線結構，其特征在于，所述第一種子層側壁包括第一內縮曲面，所述第二種子層側壁包括第二內縮曲面。
5.根據權利要求3所述的導線結構，其特征在于，所述第一種子層側壁包括第一內縮曲面，或所述第二種子層側壁包括第二內縮曲面。
6.根據權利要求1所述的導線結構，其特征在于，所述第二介電層與所述導電跡線的上表面接觸。
7.根據權利要求2所述的導線結構，其特征在于，所述第一種子層在所述第一介電層上的正投影覆蓋所述第二種子層在所述第一介電層上的正投影。
8.根據權利要求7所述的導線結構，其特征在于，所述導電跡線在所述第一介電層上的正投影位于所述第二種子層在所述第一介電層上的正投影內。
9.根據權利要求2所述的導線結構，其特征在于，所述第一種子層側壁距離所述第二種
10.根據權利要求1-9任一項所述的導線結構，其特征在于，所述導電跡線的上表面的寬度與所述導電跡線的下表面的寬度不相等。
...【技術特征摘要】
1.一種導線結構，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的導線結構，其特征在于，所述種子層包括第一種子層和第二種子層；
3.根據權利要求2所述的導線結構，其特征在于，所述第一種子層側壁突出于所述第二種子層的側表面。
4.根據權利要求3所述的導線結構，其特征在于，所述第一種子層側壁包括第一內縮曲面，所述第二種子層側壁包括第二內縮曲面。
5.根據權利要求3所述的導線結構，其特征在于，所述第一種子層側壁包括第一內縮曲面，或所述第二種子層側壁包括第二內縮曲面。
6.根據權利要求1所述的導線結構，其特征在于，所述第二介電層與所述導電跡線的上表面接觸。
【專利技術屬性】
技術研發人員：陳昭丞，張皇賢，黃敏龍，
申請(專利權)人：日月光半導體制造股份有限公司，
類型：新型
國別省市：
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