【技術實現步驟摘要】
本專利技術一般涉及電容器，尤其涉及鋁電解電容器腐蝕箔及其制備方法。
技術介紹
1、腐蝕箔是由鋁箔經過腐蝕處理形成，腐蝕箔表面在腐蝕處理后會形成有腐蝕孔洞，腐蝕孔洞能夠增加鋁箔的表面積。為了實現腐蝕孔洞的均勻分布，可以通過激光打孔的方式在鋁箔上形成分布均勻的激光孔組，然后再對激光孔組進行腐蝕擴孔。
2、然而，對鋁箔進行激光打孔時，熔體會飛濺至激光孔的外周邊緣并在激光孔的外周邊緣形成堆積，導致腐蝕箔的厚度均勻性較差。
技術實現思路
1、鑒于現有技術中的上述缺陷或不足，期望提供一種鋁電解電容器腐蝕箔及其制備方法。
2、第一方面，本申請提供一種鋁電解電容器用腐蝕箔的制備方法，包括：
3、s100：在鋁箔的表面形成石墨烯層；
4、s200：對鋁箔的表面進行激光打孔以形成均勻分布的激光孔組，激光孔組中的激光孔貫穿石墨烯層且延伸至鋁箔中，激光孔的直徑在1-2μm；
5、s300：對鋁箔進行腐蝕處理，以對激光孔進行腐蝕擴孔，形成腐蝕孔；
6、s400：去除石墨烯層上堆積在腐蝕孔外周沿的凸起部分。
7、進一步地，s400具體包括：
8、s410:在石墨烯層表面形成負性的光刻膠層,且光刻膠層的高度高于凸起部分的高度；
9、s420:對光刻膠層按照預設圖案進行曝光處理以在光刻膠層形成有未曝光的多個設定區域，多個設定區域且每個腐蝕孔一一對應設置，其中在沿曝光方向上，腐蝕孔及其外周沿的凸起部分均位于設
10、s430:對光刻膠層進行顯影處理，以去除設定區域的光刻膠；
11、s440:對位于設定區域的石墨烯層部分進行刻蝕去除處理。
12、進一步地，刻蝕去除處理中的刻蝕工藝為等離子刻蝕工藝。
13、進一步地，設定區域呈圓形。
14、進一步地，鋁箔的厚度在100-150μm，石墨烯層的厚度在400-600nm。
15、第二方面，本申請還提供一種鋁電解電容器用腐蝕箔，基于上述的制備方法制備形成。
16、本申請提供的鋁電解電容器腐蝕箔及其制備方法，通過現在鋁箔表面形成石墨烯層，對鋁箔表面進行激光打孔以形成穿過石墨烯層且均勻分布的激光孔組，接著對鋁箔進行腐蝕處理以形成腐蝕孔，然后去除石墨烯層上堆積在腐蝕孔外周沿的凸起部分，一方面去除了激光打孔中飛濺形成的凸起部分，使得腐蝕箔的表面相對平整，提高腐蝕箔的整體厚度均勻性，另一方面通過在鋁箔表面設置石墨烯層，提高了腐蝕箔的導熱導電性能，且還利用石墨烯層的高耐腐蝕性能使其充當擴孔腐蝕處理中的鋁箔表面保護層，無需額外再設置鋁箔腐蝕保護層，簡化了腐蝕箔的腐蝕工藝步驟，進而提高了腐蝕箔的性能以及降低了制備成本。
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1.一種鋁電解電容器用腐蝕箔的制備方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的鋁電解電容器用腐蝕箔的制備方法，其特征在于，所述S400具體包括：
3.根據權利要求2所述的鋁電解電容器用腐蝕箔的制備方法，其特征在于，所述刻蝕去除處理中的刻蝕工藝為等離子刻蝕工藝。
4.根據權利要求2所述的鋁電解電容器用腐蝕箔的制備方法，其特征在于，所述設定區域呈圓形。
5.根據權利要求1所述的鋁電解電容器用腐蝕箔的制備方法，其特征在于，所述鋁箔的厚度在100-150μm，所述石墨烯層的厚度在400-600nm。
6.一種鋁電解電容器用腐蝕箔，其特征在于，基于權利要求1-5任意一項所述的制備方法制備形成。
【技術特征摘要】
1.一種鋁電解電容器用腐蝕箔的制備方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的鋁電解電容器用腐蝕箔的制備方法，其特征在于，所述s400具體包括：
3.根據權利要求2所述的鋁電解電容器用腐蝕箔的制備方法，其特征在于，所述刻蝕去除處理中的刻蝕工藝為等離子刻蝕工藝。
4.根據權利要求2所述的...
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