【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本揭示內(nèi)容提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
技術(shù)介紹
1、半導(dǎo)體集成電路(ic)產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷指數(shù)級增長。ic材料和設(shè)計方面的技術(shù)進步催生了幾代ic，每一代ic電路都比上一代更小、更復(fù)雜。在ic發(fā)展的過程中，功能密度(即，每個晶片面積的互連裝置的數(shù)量)普遍增加，而幾何尺寸(即，使用制造工藝可創(chuàng)建的最小元件或線)則減小。這種縮小比例的工藝通常通過提高生產(chǎn)效率和降低相關(guān)成本來提供好處。
2、這種縮小也增加了加工和制造ic的復(fù)雜性，為了實現(xiàn)這些進步，ic加工和制造也需要類似的發(fā)展。隨著半導(dǎo)體裝置的不斷縮小，實現(xiàn)所需密度和性能出現(xiàn)了挑戰(zhàn)。例如，柵極隔離結(jié)構(gòu)的形成可以將柵極結(jié)構(gòu)切割成段，以及當兩個相鄰主動區(qū)域之間的間隔距離減小以滿足較小技術(shù)節(jié)點的設(shè)計需求時，形成柵極隔離結(jié)構(gòu)的空間變小，導(dǎo)致柵極結(jié)構(gòu)被柵極隔離結(jié)構(gòu)切割的兩個段之間的寄生電容升高。較高的寄生電容對ic裝置的整體性能不利。在一些示例中，較高的寄生電容可能導(dǎo)致較低的元件速度(例如rc延遲)。因此，雖然現(xiàn)有的柵極隔離結(jié)構(gòu)通常足以隔離柵極結(jié)構(gòu)成多個段，但它們在各個方面都不能令人滿意。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本揭示內(nèi)容提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括基板上的第一半導(dǎo)體鰭及第二半導(dǎo)體鰭、在第一半導(dǎo)體鰭上的第一柵極結(jié)構(gòu)、在第二半導(dǎo)體鰭上的第二柵極結(jié)構(gòu)，以及在第一半導(dǎo)體鰭及第二半導(dǎo)體鰭之間及在第一柵極結(jié)構(gòu)及第二柵極結(jié)構(gòu)之間的柵極隔離結(jié)構(gòu)，其中柵極隔離結(jié)構(gòu)包括位于柵極隔離結(jié)構(gòu)的下部的第一介電層及位于柵極隔離結(jié)構(gòu)的上部的第二介電層，以及第二介電層的寬度大于第一介電層的
2、本揭示內(nèi)容也提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括在基板上的第一鰭狀主動區(qū)及第二鰭狀主動區(qū)、在第一鰭狀主動區(qū)的通道區(qū)域上的第一柵極結(jié)構(gòu)、在第二鰭狀主動區(qū)的通道區(qū)域上的第二柵極結(jié)構(gòu)，以及在第一柵極結(jié)構(gòu)及第二柵極結(jié)構(gòu)之間及在第一鰭狀主動區(qū)及第二鰭狀主動區(qū)之間的柵極隔離結(jié)構(gòu)。第一鰭狀主動區(qū)及第二鰭狀主動區(qū)沿著第一方向縱向延伸。第一柵極結(jié)構(gòu)沿著實質(zhì)上垂直于第一方向的第二方向縱向延伸。第二柵極結(jié)構(gòu)沿著第二方向縱向延伸。柵極隔離結(jié)構(gòu)沿著第一方向縱向延伸，其中在切穿第一鰭狀主動區(qū)、第二鰭狀主動區(qū)、第一柵極結(jié)構(gòu)及第二柵極結(jié)構(gòu)的橫截面中，柵極隔離結(jié)構(gòu)為t形結(jié)構(gòu)。
3、本揭示內(nèi)容也提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括第一晶體管、第二晶體管及柵極隔離結(jié)構(gòu)。第一晶體管包括：第一柵極結(jié)構(gòu)在第一通道區(qū)域上，以及多個第一源極/漏極特征耦合到第一通道區(qū)域并設(shè)置在第一柵極結(jié)構(gòu)附近。第二晶體管包括：第二柵極結(jié)構(gòu)在第二通道區(qū)域上，以及多個第二源極/漏極特征耦合到第二通道區(qū)域并設(shè)置在第二柵極結(jié)構(gòu)附近。柵極隔離結(jié)構(gòu)用于在第一柵極結(jié)構(gòu)及第二柵極結(jié)構(gòu)之間提供隔離并與第一柵極結(jié)構(gòu)及第二柵極結(jié)構(gòu)直接接觸，其中在切穿第一柵極結(jié)構(gòu)、第二柵極結(jié)構(gòu)、第一通道區(qū)域及第二通道區(qū)域的橫截面中，柵極隔離結(jié)構(gòu)的形狀包括t形。
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1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該第一介電層包括：
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括設(shè)置在該第一半導(dǎo)體鰭及該第二半導(dǎo)體鰭的多個底部之間并與該第一半導(dǎo)體鰭及該第二半導(dǎo)體鰭直接接觸的一隔離特征，以及其中該柵極隔離結(jié)構(gòu)延伸到該隔離特征中。
4.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該柵極隔離結(jié)構(gòu)包括位于該柵極隔離結(jié)構(gòu)的一下部的一第一介電結(jié)構(gòu)及位于該柵極隔離結(jié)構(gòu)的一上部的一第二介電結(jié)構(gòu)，該第一介電結(jié)構(gòu)及該第二介電結(jié)構(gòu)中的一者包括一低k介電層及沿著該低k介電層的側(cè)面及底面延伸的一高k介電層。
6.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該第一柵極結(jié)構(gòu)及該第二柵極結(jié)構(gòu)中的每一個包括一高k介電層及設(shè)置在該高k介電層上的一功函數(shù)層。
7.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該柵極隔離結(jié)構(gòu)包括位于該柵極隔離結(jié)構(gòu)的一下部的一第一介電層及位
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該柵極隔離結(jié)構(gòu)的該上部的一底面在該第一通道區(qū)域的一頂面上。
10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該柵極隔離結(jié)構(gòu)的一頂面的一寬度小于該第一通道區(qū)域與該第二通道區(qū)域之間的一距離。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該第一介電層包括：
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括設(shè)置在該第一半導(dǎo)體鰭及該第二半導(dǎo)體鰭的多個底部之間并與該第一半導(dǎo)體鰭及該第二半導(dǎo)體鰭直接接觸的一隔離特征，以及其中該柵極隔離結(jié)構(gòu)延伸到該隔離特征中。
4.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該柵極隔離結(jié)構(gòu)包括位于該柵極隔離結(jié)構(gòu)的一下部的一第一介電結(jié)構(gòu)及位于該柵極隔離結(jié)構(gòu)的一上部的一第二介電結(jié)構(gòu)，該第一介電結(jié)構(gòu)及該第二介電結(jié)構(gòu)中的一者包括一低k介電層及沿著該低k介電層的側(cè)面及底面延伸的一高k介電層。
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【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：李曉菁，
申請(專利權(quán))人：臺灣積體電路制造股份有限公司，
類型：新型
國別省市：
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