【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本申請涉及濾波，特別是涉及一種抑制橫模的薄膜表面聲波濾波器及其制作方法。
技術介紹
1、隨著移動通信技術的快速發(fā)展，聲表面波（surface?acoustic?wave，saw）濾波器由于其尺寸小，性能好等特點，在射頻前端中占有越來越重要的地位。聲表面波濾波器包括薄膜表面聲波（thin-film?surface?acoustic?wave，tf-saw）濾波器和溫度補償型聲表面波濾波器(temperature?compensated?saw，tc-saw)。在當前主流的薄膜表面聲波（thin-film?surface?acoustic?wave，tf-saw）濾波器中，由于薄膜表面聲波濾波器的結構限制，叉指電極在采用疊層結構的聲表面波濾波器中不可避免會激發(fā)出高階的橫向雜波，反應到導納曲線可以發(fā)現(xiàn)，諧振頻率往高頻方向會出現(xiàn)很多尖刺，導致諧振器或者濾波器的平坦度惡化。
2、為了抑制聲表面波濾波器的橫向雜波，現(xiàn)有的一種橫模抑制方案是在壓電基板的上方形成叉指電極，并在叉指電極的上方沉積鈍化層后形成橫模抑制電極，通過鈍化層將橫模抑制電極和叉指電極隔離開，防止叉指電極發(fā)送短路故障。然而，這種將橫模抑制電極設置在叉指電極上方的布局存在一個問題：橫模抑制電極凹凸不平，抑制效果較差。
3、另外一種橫模抑制方案是在壓電基板上構建橫模抑制電極，隨后覆蓋一層非金屬介質(zhì)層，并最終在此層上設置叉指電極。然而，這一結構設計存在一個問題：叉指電極與壓電基板之間被橫模抑制電極和非金屬介質(zhì)層所隔離，導致叉指電極相對于壓電基板（特別是當壓電基
4、因此，亟需一種能夠在不影響薄膜表面聲波濾波器濾波效果的基礎上提高其抑制橫模能力的技術方案。
技術實現(xiàn)思路
1、本公開的實施例提供了一種抑制橫模的薄膜表面聲波濾波器及其制作方法。
2、根據(jù)本公開實施例的一個方面，提供了一種抑制橫模的薄膜表面聲波濾波器，包括襯底、壓電薄膜層和叉指電極結構；所述壓電薄膜層形成于所述襯底上；所述叉指電極結構設置于所述壓電薄膜層遠離所述襯底的一側，包括電極引出部和沿第一方向延伸且沿與所述第一方向相交的第二方向交替排列的多個叉指電極，所述叉指電極的一端為自由端，所述叉指電極的另一端與所述電極引出部連接；該薄膜表面聲波濾波器還包括橫模抑制電極結構，設置于所述壓電薄膜層和所述襯底之間，并且所述橫模抑制電極結構的至少一部分在垂直于所述壓電薄膜層的主表面的第三方向上與所述多個叉指電極的自由端交疊。
3、可選地，所述多個叉指電極包括沿第一方向延伸且沿與所述第一方向相交的第二方向交替排列的第一叉指電極和第二叉指電極；所述橫模抑制電極結構包括第一橫模抑制電極和第二橫模抑制電極；所述第一橫模抑制電極沿所述第二方向延伸，且所述第一橫模抑制電極的至少一部分在所述第三方向上至少與所述第一叉指電極的自由端交疊；所述第二橫模抑制電極沿所述第二方向延伸，且所述第二橫模抑制電極的至少一部分在所述第三方向上與所述第二叉指電極的自由端交疊。
4、可選地，所述第一橫模抑制電極在所述第三方向上與所述第一叉指電極的自由端交疊，且與所述多個叉指電極中相鄰的叉指電極之間的間隙交疊；以及所述第二橫模抑制電極在所述第三方向上與所述第二叉指電極的自由端交疊，且與所述多個叉指電極的相鄰叉指電極之間的間隙交疊。
5、可選地，所述第一橫模抑制電極上設置有若干個第一分隔間隙，所述第一分隔間隙將所述第一橫模抑制電極分隔成若干個間隔排列的第一橫模抑制塊，所述第一橫模抑制塊在所述第三方向上與所述第一叉指電極的自由端交疊；以及所述第二橫模抑制電極上設置有若干個第二分隔間隙，所述第二分隔間隙將所述第二橫模抑制電極分隔成若干個間隔排列的第二橫模抑制塊，所述第二橫模抑制塊在所述第三方向上與所述第二叉指電極的自由端交疊。
6、可選地，薄膜表面聲波濾波器還包括介質(zhì)層；所述介質(zhì)層位于所述襯底和所述壓電薄膜層之間，并且掩埋所述橫模抑制電極結構；其中所述橫模抑制電極結構與所述襯底和所述壓電薄膜層不接觸；或者所述橫模抑制電極結構靠近所述壓電薄膜層的一側與所述壓電薄膜層接觸，所述橫模抑制電極結構遠離所述壓電薄膜層的一側與所述襯底不接觸；或者所述橫模抑制電極結構靠近所述壓電薄膜層的一側與所述壓電薄膜層不接觸，所述橫模抑制電極結構遠離所述壓電薄膜層的一側與所述襯底接觸。
7、可選地，所述介質(zhì)層的材料為sio2。
8、可選地，所述薄膜表面聲波濾波器還包括在所述第二方向上設置在所述叉指電極結構相對兩側的第一反射柵和第二反射柵，其中每個反射柵包括多個反射電極以及匯流條，所述多個反射電極沿所述第一方向延伸，且沿所述第二方向間隔排列，所述匯流條沿所述第二方向延伸，并與所述多個反射電極連接；所述第一橫模抑制電極在所述第三方向上還與每個所述反射柵的多個反射電極交疊；以及所述第二橫模抑制電極在所述第三方向上還與每個所述反射柵的多個反射電極交疊。
9、可選地，所述電極引出部包括相對設置且沿所述第二方向延伸的第一電極引出部和第二電極引出部，所述第一電極引出部與所述第一叉指電極連接，所述第二電極引出部與所述第二叉指電極連接。
10、根據(jù)本公開實施例的另一個方面，還提供了一種抑制橫模的薄膜表面聲波濾波器的制作方法，包括：提供襯底；在所述襯底的一側形成橫模抑制電極結構；在所述橫模抑制電極結構遠離所述襯底的一側形成壓電薄膜層；以及在所述壓電薄膜層遠離所述襯底的一側形成叉指電極結構，所述叉指電極結構包括電極引出部和沿第一方向延伸且沿與所述第一方向相交的第二方向交替排列的多個叉指電極，所述叉指電極的一端為自由端，所述叉指電極的另一端與所述電極引出部連接；其中，所述橫模抑制電極結構的至少一部分在垂直于所述壓電薄膜層的主表面的第三方向上與所述多個叉指電極的自由端交疊。
11、可選地，所述多個叉指電極包括沿第一方向延伸且沿與所述第一方向相交的第二方向交替排列的第一叉指電極和第二叉指電極；所述橫模抑制電極結構包括第一橫模抑制電極和第二橫模抑制電極；所述第一橫模抑制電極沿所述第二方向延伸，且所述第一橫模抑制電極的至少一部分在所述第三方向上至少與所述第一叉指電極的自由端交疊；所述第二橫模抑制電極沿所述第二方向延伸，且所述第二橫模抑制電極的至少一部分在所述第三方向上與所述第二叉指電極的自由端交疊。
12、可選地，所述第一橫模抑制電極在所述第三方向上與所述第一叉指電極的自由端交疊，且與所述多個叉指電極中相鄰的叉指電極之間的間隙交疊；以及所述第二橫模抑制電極在所述第三方向上與所述第二叉指電極的自由端交疊，且與所述多個叉指電極的相鄰叉指電極之間的間隙交疊。
13、可選地，所述第一橫模抑制電極上設置有若干個第一分隔間隙，所述第一分隔間隙將所述第一橫模抑制電極分隔成若干個間隔排列的第一本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術保護點】
1.一種抑制橫模的薄膜表面聲波濾波器，包括襯底、壓電薄膜層和叉指電極結構；所述壓電薄膜層形成于所述襯底上；所述叉指電極結構設置于所述壓電薄膜層遠離所述襯底的一側，包括電極引出部和沿第一方向延伸且沿與所述第一方向相交的第二方向交替排列的多個叉指電極，所述叉指電極的一端為自由端，所述叉指電極的另一端與所述電極引出部連接；其特征在于：
2.根據(jù)權利要求1所述的薄膜表面聲波濾波器，所述多個叉指電極包括沿第一方向延伸且沿與所述第一方向相交的第二方向交替排列的第一叉指電極和第二叉指電極；其特征在于，所述橫模抑制電極結構包括第一橫模抑制電極和第二橫模抑制電極；所述第一橫模抑制電極沿所述第二方向延伸，且所述第一橫模抑制電極的至少一部分在所述第三方向上至少與所述第一叉指電極的自由端交疊；所述第二橫模抑制電極沿所述第二方向延伸，且所述第二橫模抑制電極的至少一部分在所述第三方向上與所述第二叉指電極的自由端交疊。
3.根據(jù)權利要求2所述的薄膜表面聲波濾波器，其特征在于，所述第一橫模抑制電極在所述第三方向上與所述第一叉指電極的自由端交疊，且與所述多個叉指電極中相鄰的叉指電極之間的間
4.根據(jù)權利要求2所述的薄膜表面聲波濾波器，其特征在于，所述第一橫模抑制電極上設置有若干個第一分隔間隙，所述第一分隔間隙將所述第一橫模抑制電極分隔成若干個間隔排列的第一橫模抑制塊，所述第一橫模抑制塊在所述第三方向上與所述第一叉指電極的自由端交疊；以及
5.根據(jù)權利要求1所述的薄膜表面聲波濾波器，其特征在于，還包括介質(zhì)層；所述介質(zhì)層位于所述襯底和所述壓電薄膜層之間，并且掩埋所述橫模抑制電極結構；其中
6.根據(jù)權利要求5所述的薄膜表面聲波濾波器，其特征在于，所述介質(zhì)層的材料為SiO2。
7.根據(jù)權利要求3或者4所述的薄膜表面聲波濾波器，所述薄膜表面聲波濾波器還包括在所述第二方向上設置在所述叉指電極結構相對兩側的第一反射柵和第二反射柵，其中每個反射柵包括多個反射電極以及匯流條，所述多個反射電極沿所述第一方向延伸，且沿所述第二方向間隔排列，所述匯流條沿所述第二方向延伸，并與所述多個反射電極連接；其特征在于：
8.根據(jù)權利要求2所述的表面聲波濾波器，其特征在于，所述電極引出部包括相對設置且沿所述第二方向延伸的第一電極引出部和第二電極引出部，所述第一電極引出部與所述第一叉指電極連接，所述第二電極引出部與所述第二叉指電極連接。
9.一種抑制橫模的薄膜表面聲波濾波器的制作方法，其特征在于，包括：
10.根據(jù)權利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述多個叉指電極包括沿第一方向延伸且沿與所述第一方向相交的第二方向交替排列的第一叉指電極和第二叉指電極；所述橫模抑制電極結構包括第一橫模抑制電極和第二橫模抑制電極；所述第一橫模抑制電極沿所述第二方向延伸，且所述第一橫模抑制電極的至少一部分在所述第三方向上至少與所述第一叉指電極的自由端交疊；所述第二橫模抑制電極沿所述第二方向延伸，且所述第二橫模抑制電極的至少一部分在所述第三方向上與所述第二叉指電極的自由端交疊；
11.根據(jù)權利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法還包括：制作介質(zhì)層；所述介質(zhì)層位于所述襯底和所述壓電薄膜層之間，并且掩埋所述橫模抑制電極結構；其中所述橫模抑制電極結構與所述襯底和所述壓電薄膜層不接觸；或者所述橫模抑制電極結構靠近所述壓電薄膜層的一側與所述壓電薄膜層接觸，所述橫模抑制電極結構遠離所述壓電薄膜層的一側與所述襯底不接觸；或者所述橫模抑制電極結構靠近所述壓電薄膜層的一側與所述壓電薄膜層不接觸，所述橫模抑制電極結構遠離所述壓電薄膜層的一側與所述襯底接觸；其中，所述介質(zhì)層的材料為SiO2。
12.根據(jù)權利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法還包括：在所述壓電薄膜層遠離所述襯底的一側形成第一反射柵和第二反射柵，所述第一反射柵和所述第二反射柵在所述第二方向上設置在所述叉指電極結構相對兩側，其中每個反射柵包括多個反射電極以及匯流條，所述多個反射電極沿所述第一方向延伸，且沿所述第二方向間隔排列，所述匯流條沿所述第二方向延伸，并與所述多個反射電極連接；其中，所述第一橫模抑制電極在所述第三方向上還與每個所述反射柵的多個反射電極交疊；以及所述第二橫模抑制電極在所述第三方向上還與每個所述反射柵的多個反射電極交疊；以及
...【技術特征摘要】
1.一種抑制橫模的薄膜表面聲波濾波器，包括襯底、壓電薄膜層和叉指電極結構；所述壓電薄膜層形成于所述襯底上；所述叉指電極結構設置于所述壓電薄膜層遠離所述襯底的一側，包括電極引出部和沿第一方向延伸且沿與所述第一方向相交的第二方向交替排列的多個叉指電極，所述叉指電極的一端為自由端，所述叉指電極的另一端與所述電極引出部連接；其特征在于：
2.根據(jù)權利要求1所述的薄膜表面聲波濾波器，所述多個叉指電極包括沿第一方向延伸且沿與所述第一方向相交的第二方向交替排列的第一叉指電極和第二叉指電極；其特征在于，所述橫模抑制電極結構包括第一橫模抑制電極和第二橫模抑制電極；所述第一橫模抑制電極沿所述第二方向延伸，且所述第一橫模抑制電極的至少一部分在所述第三方向上至少與所述第一叉指電極的自由端交疊；所述第二橫模抑制電極沿所述第二方向延伸，且所述第二橫模抑制電極的至少一部分在所述第三方向上與所述第二叉指電極的自由端交疊。
3.根據(jù)權利要求2所述的薄膜表面聲波濾波器，其特征在于，所述第一橫模抑制電極在所述第三方向上與所述第一叉指電極的自由端交疊，且與所述多個叉指電極中相鄰的叉指電極之間的間隙交疊；以及
4.根據(jù)權利要求2所述的薄膜表面聲波濾波器，其特征在于，所述第一橫模抑制電極上設置有若干個第一分隔間隙，所述第一分隔間隙將所述第一橫模抑制電極分隔成若干個間隔排列的第一橫模抑制塊，所述第一橫模抑制塊在所述第三方向上與所述第一叉指電極的自由端交疊；以及
5.根據(jù)權利要求1所述的薄膜表面聲波濾波器，其特征在于，還包括介質(zhì)層；所述介質(zhì)層位于所述襯底和所述壓電薄膜層之間，并且掩埋所述橫模抑制電極結構；其中
6.根據(jù)權利要求5所述的薄膜表面聲波濾波器，其特征在于，所述介質(zhì)層的材料為sio2。
7.根據(jù)權利要求3或者4所述的薄膜表面聲波濾波器，所述薄膜表面聲波濾波器還包括在所述第二方向上設置在所述叉指電極結構相對兩側的第一反射柵和第二反射柵，其中每個反射柵包括多個反射電極以及匯流條，所述多個反射電極沿所述第一方向延伸，且沿所述第二方向間隔排列，所述匯流條沿所述第二方向延伸，并與所述多個反射電極連接；其特征在...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：梁驥，鄒潔，馮端，高海婷，張琪，
申請(專利權)人：深圳新聲半導體有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
還沒有人留言評論。發(fā)表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。