【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
所公開的實施例大體上涉及利用主體材料中含有的摻雜劑分子作為量子位的非經(jīng)典(例如，量子)計算系統(tǒng)和方法。
技術(shù)介紹
1、非經(jīng)典計算機(例如，量子計算機)通常利用量子力學現(xiàn)象，例如疊加、糾纏和干涉，對數(shù)據(jù)執(zhí)行計算操作。與利用始終具有限定狀態(tài)(0或1)的二進制數(shù)字(位)的經(jīng)典計算機相比，非經(jīng)典計算機利用可以以基本狀態(tài)疊加(即，基本狀態(tài)|0>和基本狀態(tài)|1>的某種線性組合，其中基本狀態(tài)|0>和|1>是正交的)存在的量子位(quantum?bits，簡寫qubits)。非經(jīng)典計算機的各個量子位可以與其他量子位糾纏(即，兩個或更多個量子位的量子態(tài)可以相關(guān)，使得對一個量子位的操作影響糾纏量子位的狀態(tài))。可以執(zhí)行量子操作以引導量子位的狀態(tài)概率性地收斂到特定最終狀態(tài)，所述特定最終狀態(tài)表示某個問題的解決方案。對于某些類別的問題，非經(jīng)典計算機可以比在經(jīng)典計算機上使用任何已知算法可能達到的速度更快地收斂到該解決方案。在一些情況下，這種“量子優(yōu)勢”可以允許非經(jīng)典計算機解決使用任何已知經(jīng)典計算機將棘手的問題。這些問題包含對大的相對質(zhì)數(shù)進行分解(例如，用于破解現(xiàn)代密碼散列函數(shù))，在大量數(shù)據(jù)中搜索特定項目，以及模擬藥物、材料或其他分子的化學行為。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、在一些實施例中，本公開描述了利用主體材料中含有的摻雜劑分子作為量子位的非經(jīng)典(例如，量子)計算系統(tǒng)和方法。
2、應當理解，前面的一般性描述和以下的詳細描述都只是示例性和解釋性的，并不是對如所要求保護的所公開的實施例的限制。
【技術(shù)保護點】
1.一種用于生成非經(jīng)典計算機的方法，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述至少一種可切割部分包括至少一種可光切割部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述至少一種可光切割部分包括至少一種重氮部分、疊氮部分、異氰酸根部分或亞氨基碘烷(iminoiodinane)部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述至少一種切割分子包括至少一種二氮分子、一氧化碳分子或芳基碘化物分子。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的方法，其中切割所述至少一種可切割部分包括將所述至少一種前體暴露于光。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述光具有在約200納米(nm)與約500nm之間的中心波長。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的方法，其中所述至少一種摻雜劑分子包括多種摻雜劑分子。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的方法，其中所述主體材料包括至少一種有機分子。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項所述的方法，其中所述主體材料包括結(jié)晶主體材料、單晶主體材料、多晶主體材料、液晶主體材料、粉末主體材料、非
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項所述的方法，其中所述主體材料包括C4-C20直鏈或支鏈烷烴；芳烴；任選地被亞甲基、腈、羰基、羧酸酯、烷基、氘化烷基、芳基、氘化芳基、雜芳基、氘化雜芳基、硼烷、亞胺、胺、硝基、膦、硫醚、醚、氟、氯、溴、碘或硫代羰基取代的聚芳烴；二芳基酮；萘；蒽；對-三聯(lián)苯；苯甲酸；芴；聯(lián)苯；苯；正己烷；聯(lián)苯烯(biphenylene)；鄰-三聯(lián)苯烯(terphenylene)；間-三聯(lián)苯烯；對-三聯(lián)苯烯；菲；二(萘-2-基)甲酮；二(苯基)甲酮；或其任何部分或完全同位素標記的衍生物。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項所述的方法，其中所述主體材料包括厚度為至多100納米(nm)的薄膜。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項所述的方法，其中所述至少一種摻雜劑分子包括有機分子。
13.根據(jù)權(quán)利要求1至12中任一項所述的方法，其中所述至少一種前體包括碳烯分子的衍生物；氮烯分子的衍生物；碳烯分子的重氮衍生物；氮烯分子的疊氮衍生物；氮烯分子的異氰酸根衍生物；氮烯的亞氨基碘烷(imidoiodinane)衍生物；(重氮亞甲基)二萘；(重氮亞甲基)二苯；4-疊氮苯甲酸；或其任何部分或完全同位素標記的衍生物。
14.根據(jù)權(quán)利要求1至13中任一項所述的方法，其中所述至少一種摻雜劑分子包括碳烯分子；氮烯分子；二(萘-2-基)碳烯分子；二(苯基)碳烯分子；或其任何部分或完全同位素標記的衍生物。
15.根據(jù)權(quán)利要求1至14中任一項所述的方法，其中所述多種摻雜劑分子布置在偽二維(偽-2D)層中。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述偽-2D層包括自組裝單層(SAM)。
17.根據(jù)權(quán)利要求1至16中任一項所述的方法，其中摻雜劑分子之間的平均距離為至多20nm。
18.根據(jù)權(quán)利要求1至17中任一項所述的方法，其中所述至少一種摻雜劑分子以至少106種摻雜劑分子/立方微米(μm3)的濃度包含在所述至少一種主體材料中。
19.根據(jù)權(quán)利要求1至18中任一項所述的方法，其中：
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中：
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中所述第一FWHM帶寬或所述第二FWHM帶寬為至多100兆赫茲(MHz)。
22.根據(jù)權(quán)利要求19至21中任一項所述的方法，其中所述第一中心波長或所述第二中心波長在200nm與1,000nm之間。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述第一FWHM帶寬或所述第二FWHM帶寬為至多100吉赫茲(GHz)。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中所述第一中心頻率或所述第二中心頻率在1MHz與100GHz之間。
25.根據(jù)權(quán)利要求1至24中任一項所述的方法，其中所述三重電子流形包括基態(tài)三重(GST)電子流形。
26.一種用于執(zhí)行非經(jīng)典計算的系統(tǒng)，包括：
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的系統(tǒng)，其中所述至少一種摻雜劑分子和所述至少一種切割分子是通過切割所述至少一種摻雜劑分子的至少一種前體而生成的，所述至少一種前體包括至少一種可切割部分。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的系統(tǒng)，其中所述至少一種可切割部分包括至少一種可光切割部分。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的系統(tǒng)，其中所述至少一種可光切割部分包括至少一種重氮部分、疊氮部分、異氰酸根部分或亞氨基碘烷部分。
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【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
1.一種用于生成非經(jīng)典計算機的方法，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述至少一種可切割部分包括至少一種可光切割部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述至少一種可光切割部分包括至少一種重氮部分、疊氮部分、異氰酸根部分或亞氨基碘烷(iminoiodinane)部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述至少一種切割分子包括至少一種二氮分子、一氧化碳分子或芳基碘化物分子。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的方法，其中切割所述至少一種可切割部分包括將所述至少一種前體暴露于光。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述光具有在約200納米(nm)與約500nm之間的中心波長。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的方法，其中所述至少一種摻雜劑分子包括多種摻雜劑分子。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的方法，其中所述主體材料包括至少一種有機分子。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項所述的方法，其中所述主體材料包括結(jié)晶主體材料、單晶主體材料、多晶主體材料、液晶主體材料、粉末主體材料、非晶態(tài)主體材料或冷凍溶液主體材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項所述的方法，其中所述主體材料包括c4-c20直鏈或支鏈烷烴；芳烴；任選地被亞甲基、腈、羰基、羧酸酯、烷基、氘化烷基、芳基、氘化芳基、雜芳基、氘化雜芳基、硼烷、亞胺、胺、硝基、膦、硫醚、醚、氟、氯、溴、碘或硫代羰基取代的聚芳烴；二芳基酮；萘；蒽；對-三聯(lián)苯；苯甲酸；芴；聯(lián)苯；苯；正己烷；聯(lián)苯烯(biphenylene)；鄰-三聯(lián)苯烯(terphenylene)；間-三聯(lián)苯烯；對-三聯(lián)苯烯；菲；二(萘-2-基)甲酮；二(苯基)甲酮；或其任何部分或完全同位素標記的衍生物。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項所述的方法，其中所述主體材料包括厚度為至多100納米(nm)的薄膜。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項所述的方法，其中所述至少一種摻雜劑分子包括有機分子。
13.根據(jù)權(quán)利要求1至12中任一項所述的方法，其中所述至少一種前體包括碳烯分子的衍生物；氮烯分子的衍生物；碳烯分子的重氮衍生物；氮烯分子的疊氮衍生物；氮烯分子的異氰酸根衍生物；氮烯的亞氨基碘烷(imidoiodinane)衍生物；(重氮亞甲基)二萘；(重氮亞甲基)二苯；4-疊氮苯甲酸；或其任何部分或完全同位素標記的衍生物。
14.根據(jù)權(quán)利要求1至13中任一項所述的方法，其中所述至少一種摻雜劑分子包括碳烯分子；氮烯分子；二(萘-2-基)碳烯分子；二(苯基)碳烯分子；或其任何部分或完全同位素標記的衍生物。
15.根據(jù)權(quán)利要求1至14中任一項所述的方法，其中所述多種摻雜劑分子布置在偽二維(偽-2d)層中。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述偽-2d層包括自組裝單層(sam)。
17.根據(jù)權(quán)利要求1至16中任一項所述的方法，其中摻雜劑分子之間的平均距離為至多20nm。
18.根據(jù)權(quán)利要求1至17中任一項所述的方法，其中所述至少一種摻雜劑分子以至少106種摻雜劑分子/立方微米(μm3)的濃度包含在所述至少一種主體材料中。
19.根據(jù)權(quán)利要求1至18中任一項所述的方法，其中：
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中：
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中所述第一fwhm帶寬或所述第二fwhm帶寬為至多100兆赫茲(mhz)。
22.根據(jù)權(quán)利要求19至21中任一項所述的方法，其中所述第一中心波長或所述第二中心波長在200nm與1,000nm之間。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述第一fwhm帶寬或所述第二fwhm帶寬為至多100吉赫茲(ghz)。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中所述第一中心頻率或所述第二中心頻率在1mhz與100ghz之間。
25.根據(jù)權(quán)利要求1至24中任一項所述的方法，其中所述三重電子流形包括基態(tài)三重(gst)電子流形。
26.一種用于執(zhí)行非經(jīng)典計算的系統(tǒng)，包括：
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的系統(tǒng)，其中所述至少一種摻雜劑分子和所述至少一種切割分子是通過切割所述至少一種摻雜劑分子的至少一種前體而生成的，所述至少一種前體包括至少一種可切割部分。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的系統(tǒng)，其中所述至少一種可切割部分包括至少一種可光切割部分。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的系統(tǒng)，其中所述至少一種可光切割部分包括至少一種重氮部分、疊氮部分、異氰酸根部分或亞氨基碘烷部分。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的系統(tǒng)，其中所述切割分子包括至少一種二氮分子、一氧化碳分子或芳基碘化物分子。
31.根據(jù)權(quán)利要求27至30中任一項所述的系統(tǒng)，其中切割所述至少一種前體包括將所述至少一種前體暴露于光。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的系統(tǒng)，其中所述光具有在約200納米(nm)與約500nm之間的中心波長。
33.根據(jù)權(quán)利要求26至32中任一項所述的系統(tǒng)，其中所述至少一種摻雜劑分子包括多種摻雜劑分子。
34.根據(jù)權(quán)利要求26至33中任一項所述的系統(tǒng)，其中所述主體材料包括至少一種有機分子。
35.根據(jù)權(quán)利要求26至34中任一項所述的系統(tǒng)，其中所述主體材料包括結(jié)晶主體材料、單晶主體材料、多晶主體材料、液晶主體材料、粉末主體材料、非晶態(tài)主體材料或冷凍溶液主體材料。
36.根據(jù)權(quán)利要求26至35中任一項所述的系統(tǒng)，其中所述主體材料包括c4-c20直鏈或支鏈烷烴；芳烴；任選地被亞甲基、腈、羰基、羧酸酯、烷基、氘化烷基、芳基、氘化芳基、雜芳基、氘化雜芳基、硼烷、亞胺、胺、硝基、膦、硫醚、醚、氟、氯、溴、碘或硫代羰基取代的聚芳烴；二芳基酮；萘；蒽；對-...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：I·施瓦茨，T·紹布，T·艾希霍恩，
申請(專利權(quán))人：預視成像科技有限責任公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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