【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本公開的各方面總體涉及電容器，并且更特別地涉及芯片上的電容器的布局。
技術介紹
1、電容器可以集成在芯片(即裸片)上。例如，集成電容器可以用作供應軌上的去耦電容器。集成電容器也可以用于例如濾波器、開關電容器電路、模數轉換器、數模轉換器等中。因為硅裸片成本與裸片面積成正比，所以期望在裸片上制造高密度電容器以減小電容器所需的裸片面積。
技術實現思路
1、下面呈現了一個或多個實現方式的簡化概述以便提供對此類實現方式的基本理解。此
技術實現思路
不是所有考慮實現的廣泛綜述并且既不旨在識別所有實現的關鍵或重要元件，也不旨在描繪任何或所有實現方式的范圍。其唯一目的是以簡化的形式呈現一個或多個實現方式的一些概念，作為稍后呈現的更詳細描述的序言。
2、第一方面涉及一種包括第一電容器的芯片。第一電容器包括第一電極，該第一電極由金屬層m0形成，其中第一電極彼此耦合。第一電容器還包括第二電極，該第二電極由金屬層m0形成，其中第二電極彼此耦合。
3、第二方面涉及一種包括電容器的芯片。電容器包括第一電極，其中第一電極彼此耦合，第一電極中的每個第一電極都在第一方向上延伸，第一電極中的第一個第一電極和第一電極中的第二個第一電極在第一方向上由第一間隙分離，并且第一電極中的第三個第一電極和第一電極中的第四個第一電極在第一方向上由第二間隙分離。電容器還包括第二電極，其中第二電極彼此耦合，并且第二電極中的每個第二電極都在第一方向上延伸。
【技術保護點】
1.一種芯片，包括：
2.根據權利要求1所述的芯片，其中所述第一電極和所述第二電極是交錯的。
3.根據權利要求1所述的芯片，其中所述第一電容器在一個或多個晶體管之上。
4.根據權利要求3所述的芯片，其中：
5.根據權利要求1所述的芯片，還包括：
6.根據權利要求1所述的芯片，其中所述第一電極中的每個第一電極和所述第二電極中的每個第二電極都包括相應的金屬線。
7.根據權利要求1所述的芯片，還包括第二電容器，所述第二電容器由金屬層M1形成，其中所述第二電容器與所述第一電容器并聯耦合。
8.根據權利要求1所述的芯片，其中：
9.根據權利要求8所述的芯片，其中：
10.根據權利要求9所述的芯片，其中所述第一電極中的每個第一電極和所述第二電極中的每個第二電極都包括相應的金屬線。
11.根據權利要求9所述的芯片，還包括一個或多個過孔，所述一個或多個過孔被設置在所述第二電極中的所述一個第二電極的第三部分上，其中所述第二電極中的所述一個第二電極的所述第三部分在所述第二電極中的所
12.根據權利要求11所述的芯片，還包括：
13.根據權利要求12所述的芯片，其中所述第一金屬布線、所述第二金屬布線和所述第三金屬布線中的每一者都在第二方向上延伸，并且所述第二方向垂直于所述第一方向。
14.根據權利要求12所述的芯片，還包括第四金屬布線，所述第四金屬布線由金屬層M2形成，其中所述第四金屬布線耦合到所述第一金屬布線和所述第二金屬布線。
15.根據權利要求12所述的芯片，其中：
16.根據權利要求15所述的芯片，其中所述第一金屬布線、所述第二金屬布線、所述第三金屬布線、所述第一柵極和所述第二柵極中的每一者都在第二方向上延伸，并且所述第二方向垂直于所述第一方向。
17.一種芯片，包括：
18.根據權利要求17所述的芯片，其中：
19.根據權利要求18所述的芯片，其中所述第一電極中的每個第一電極和所述第二電極中的每個第二電極都包括相應的金屬線。
20.根據權利要求18所述的芯片，還包括一個或多個過孔，所述一個或多個過孔被設置在所述第二電極中的所述一個第二電極的第三部分上，其中所述第二電極中的所述一個第二電極的所述第三部分在所述第二電極中的所述一個第二電極的所述第一部分與所述第二電極中的所述一個第二電極的所述第二部分之間。
21.根據權利要求20所述的芯片，還包括：
22.根據權利要求21所述的芯片，其中所述第一金屬布線、所述第二金屬布線和所述第三金屬布線中的每一者都在第二方向上延伸，并且所述第二方向垂直于所述第一方向。
23.根據權利要求21所述的芯片，還包括第四金屬布線，其中所述第四金屬布線耦合到所述第一金屬布線和所述第二金屬布線。
24.根據權利要求21所述的芯片，其中：
25.根據權利要求24所述的芯片，其中所述第一金屬布線、所述第二金屬布線、所述第三金屬布線、所述第一柵極和所述第二柵極中的每一者都在第二方向上延伸，并且所述第二方向垂直于所述第一方向。
...【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】
1.一種芯片，包括：
2.根據權利要求1所述的芯片，其中所述第一電極和所述第二電極是交錯的。
3.根據權利要求1所述的芯片，其中所述第一電容器在一個或多個晶體管之上。
4.根據權利要求3所述的芯片，其中：
5.根據權利要求1所述的芯片，還包括：
6.根據權利要求1所述的芯片，其中所述第一電極中的每個第一電極和所述第二電極中的每個第二電極都包括相應的金屬線。
7.根據權利要求1所述的芯片，還包括第二電容器，所述第二電容器由金屬層m1形成，其中所述第二電容器與所述第一電容器并聯耦合。
8.根據權利要求1所述的芯片，其中：
9.根據權利要求8所述的芯片，其中：
10.根據權利要求9所述的芯片，其中所述第一電極中的每個第一電極和所述第二電極中的每個第二電極都包括相應的金屬線。
11.根據權利要求9所述的芯片，還包括一個或多個過孔，所述一個或多個過孔被設置在所述第二電極中的所述一個第二電極的第三部分上，其中所述第二電極中的所述一個第二電極的所述第三部分在所述第二電極中的所述一個第二電極的所述第一部分與所述第二電極中的所述一個第二電極的所述第二部分之間。
12.根據權利要求11所述的芯片，還包括：
13.根據權利要求12所述的芯片，其中所述第一金屬布線、所述第二金屬布線和所述第三金屬布線中的每一者都在第二方向上延伸，并且所述第二方向垂直于所述第一方向。
14.根據權利要求12所述的芯片，還包括第四金屬布線，所述第四金屬布線由金屬層m2形成，其中所述第四金屬...
【專利技術屬性】
技術研發人員：P·拉塔蘇特里帕拉亞姆·帕拉尼薩米，B·李，B·賽·克里什納，B·S·卡瑪塔基，
申請(專利權)人：高通股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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