【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及光電探測器，特別涉及一種雪崩二極管和探測器。
技術介紹
1、單光子雪崩二極管(spad，single?photon?avalanche?diode)是一種具有單光子探測靈敏度的半導體光電探測器，它利用pn結工作在反向擊穿電壓之上會發生雪崩效應的特點，可以將吸收光產生的載流子進行倍增，產生一個大電流被外部電路檢測到，從而實現光電探測的過程。
2、現有的光電二極管結構中，需要在下表面設置p區，并且通常需要用背面離子注入工藝制備，兩側的p區，同樣也需要用到高能離子注入或者深槽注入工藝，導致單光子雪崩二極管的工藝復雜，不易于制備。
技術實現思路
1、本專利技術的主要目的是提供一種雪崩二極管，旨在通過實現邊緣擊穿提高器件的探測效率。
2、為實現上述目的，本專利技術提出的雪崩二極管包括：
3、襯底；
4、第一電極，具有第一摻雜類型，所述第一電極由所述襯底的一表面延伸至所述襯底中設置；
5、第二電極，具有第二摻雜類型，所述第二電極由所述襯底的一表面延伸至所述襯底中設置，并與所述第一電極間隔設置；以及
6、導流結構，環設于所述第一電極的外周緣，所述導流結構由所述第一表面延伸至所述襯底中設置。
7、在本申請可能的一實施例中，所述導流結構的深度大于所述第一電極的深度。
8、在本申請可能的一實施例中，所述雪崩二極管還包括第一半導體區，所述第一半導體區具有所述第二摻雜類型，并在背離所述第一電極的方
9、在本申請可能的一實施例中，所述導流結構為深溝槽隔離結構或者為淺槽隔離結構。
10、在本申請可能的一實施例中，所述雪崩二極管還包括第二半導體區，所述第二半導體區具有所述第二摻雜類型，并在背離所述第二電極的方向上延伸至所述襯底中設置。
11、在本申請可能的一實施例中，所述襯底具有相對的第一表面和第二表面；
12、所述雪崩二極管還包括隔離結構，所述隔離結構由所述第一表面貫穿延伸至所述第二表面，所述隔離結構環設于所述第二電極與所述第二半導體區的外周緣，并與所述第二電極及所述第二半導體相鄰設置。
13、在本申請可能的一實施例中，所述導流結構在靠近所述第一電極的一側內壁面形成有鈍化層；
14、且/或，所述隔離結構與所述襯底之間的接觸表面形成有鈍化層。
15、在本申請可能的一實施例中，所述第二電極呈環狀設置，所述第二電極環設于所述第一半導體區的外周緣。
16、在本申請可能的一實施例中，所述第一摻雜類型為n型，所述第二摻雜類型為p型；
17、或者，所述第一摻雜類型為p型，所述第二摻雜類型為n型。
18、本專利技術還提出一種探測器，包括如上所述的雪崩二極管。
19、本專利技術的雪崩二極管包括襯底、第一電極、第二電極，以及導流結構，作為一種示例，襯底形成有相對的第一表面和第二表面，第一電極和第二電極用于起到歐姆接觸的作用，利用導流結構做阻擋，在導流結構的強迫作用下，迫使光生電荷匯聚時流經雪崩區，而不是流經非雪崩區，從而可以提高光生載流子觸發雪崩的效率。本專利技術雪崩二極管在導流結構的作用下，可以減小第一電極與第二電極之間的間距，可以減小第一電極與第二電極之間的間距。如此，通過減小兩個電極之間的間距，從而可以在器件尺寸更小時，也能夠保持較高的探測性能，有利于器件小型化。
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1.一種雪崩二極管，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的雪崩二極管，其特征在于，所述導流結構的深度大于所述第一電極的深度。
3.如權利要求1所述的雪崩二極管，其特征在于，所述雪崩二極管還包括第一半導體區，所述第一半導體區具有所述第二摻雜類型，并在背離所述第一電極的方向上延伸至所述襯底中設置。
4.如權利要求1所述的雪崩二極管，其特征在于，所述導流結構為深溝槽隔離結構或者為淺槽隔離結構。
5.如權利要求1至4中任一項所述的雪崩二極管，其特征在于，所述雪崩二極管還包括第二半導體區，所述第二半導體區具有所述第二摻雜類型，并在背離所述第二電極的方向上延伸至所述襯底中設置。
6.如權利要求5所述的雪崩二極管，其特征在于，所述襯底具有相對的第一表面和第二表面；
7.如權利要求6所述的雪崩二極管，其特征在于，所述導流結構在靠近所述第一電極的一側內壁面形成有鈍化層；
8.如權利要求1至4中任一項所述的雪崩二極管，其特征在于，所述第二電極呈環狀設置，所述第二電極環設于所述第一半導體區的外周緣。
9
10.一種探測器，其特征在于，包括如權利要求1至9中任一項所述的雪崩二極管。
...【技術特征摘要】
1.一種雪崩二極管，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的雪崩二極管，其特征在于，所述導流結構的深度大于所述第一電極的深度。
3.如權利要求1所述的雪崩二極管，其特征在于，所述雪崩二極管還包括第一半導體區，所述第一半導體區具有所述第二摻雜類型，并在背離所述第一電極的方向上延伸至所述襯底中設置。
4.如權利要求1所述的雪崩二極管，其特征在于，所述導流結構為深溝槽隔離結構或者為淺槽隔離結構。
5.如權利要求1至4中任一項所述的雪崩二極管，其特征在于，所述雪崩二極管還包括第二半導體區，所述第二半導體區具有所述第二摻雜類型，并在背離所述第...
【專利技術屬性】
技術研發人員：方磊，
申請(專利權)人：杭州海康威視數字技術股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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