【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于半導體制造，特別涉及一種晶圓烘焙裝置。
技術介紹
1、在半導體制造工藝過程中，光刻是一道至關重要的工藝，它利用光化學反應原理把掩模版上的圖形轉印到晶圓上，使選擇性刻蝕和離子注入成為可能。光刻工藝的基本流程大致由晶圓表面預處理、涂膠、曝光前烘焙(簡稱“軟烘”)、曝光、曝光后烘焙(簡稱“后烘”)、顯影和顯影后烘焙(簡稱“堅膜烘焙”)構成。軟烘用于將光刻膠中的溶劑驅趕走，從而實現改善光刻膠的黏性，提高光刻膠的均勻性，以及在刻蝕過程中控制線寬的均勻性。對于化學放大的光刻膠，軟烘還可以一定程度上用來改變光酸的擴散長度，以調整工藝窗口的參數。典型的軟烘溫度的大致范圍在90～100℃左右。后烘的目的是通過加熱的方式使光化學反應得以充分完成，特別是對于化學放大膠，后烘還能產生更多的酸，使光化學反應被放大，因此其對光刻膠的性能影響很大。后烘的溫度是影響線條寬度的均勻性(cdu，cduniformity)的主要因素之一。典型的后烘溫度在80～200℃左右。堅膜烘焙用于將光刻膠在顯影后吸收的過多的水分驅趕出光刻膠，以利于后續刻蝕工藝的進行。
2、所有的烘焙工序都是在勻膠顯影機內的熱板(hot?plate)上進行的。晶圓烘焙的大致過程為：涂好光刻膠的晶圓由機械手傳送到熱板的正上方，利用熱板對晶圓進行烘焙。烘焙的過程中，熱板的溫度均勻性會直接影響到曝光后線條寬度的均勻性(cdu，cduniformity)，因此對任何一道光刻工藝，熱板表面的溫度均勻性都是一個至關重要的技術指標。目前用于晶圓烘焙的傳統熱板是采用電阻絲加熱盤面。電阻
技術實現思路
1、為了提高晶圓烘焙過程中熱板對晶圓加熱的均一性，本專利技術提出了一種晶圓烘焙裝置。
2、本專利技術提出一種晶圓烘焙裝置，包括：
3、熱腔體，具有加熱頂板，且所述熱腔體內填充有液體傳熱介質；
4、加熱單元，用于對所述液體傳熱介質進行加熱，并使所述液體傳熱介質沸騰，并藉由所述液體傳熱介質沸騰產生的熱蒸氣對所述加熱頂板進行傳熱；
5、控壓單元，被配置為調控所述熱腔體內的壓強維持在預設壓強，以使所述液體傳熱介質被加熱時，在所述預設壓強對應的預設沸點下沸騰。
6、根據本申請實施例的一種具體實現方式，所述控壓單元包括氣體輸出口、第一氣體輸送管道、第一閥門、壓強傳感器和控制器；
7、所述氣體輸出口設置于所述熱腔體上，并位于所述液體傳熱介質液位面上方，所述氣體輸出口連接所述第一氣體輸送管道，所述第一氣體輸送管道上設置所述第一閥門；
8、所述壓強傳感器設置于液體傳熱介質上方，用于對所述熱腔體內部壓強進行實時監測，并將壓強檢測值發送至所述控制器；
9、所述控制器被配置為接收所述壓強檢測值，并在所述液體傳熱介質加熱時，根據所述壓強檢測值控制所述第一閥門的開啟或關閉，以使所述熱腔體內的壓強維持在所述預設壓強。
10、根據本申請實施例的一種具體實現方式，所述控壓單元還包括氣體輸入口、第二氣體輸送管道和第二閥門，所述氣體輸入口設置于所述熱腔體上，并位于所述液體傳熱介質液位面上方，所述氣體輸入口連接所述第二氣體輸送管道，所述第二氣體輸送管道上設置所述第二閥門；
11、所述控制器還被配置為控制所述第二閥門的開啟或關閉。
12、根據本申請實施例的一種具體實現方式，所述加熱頂板包括工藝區域和過渡區域；
13、所述工藝區域位于所述加熱頂板中部區域，所述工藝區域的尺寸大于或等于待加熱晶圓的尺寸；
14、所述過渡區域位于所述加熱頂板邊緣區域。
15、根據本申請實施例的一種具體實現方式，所述加熱頂板下表面涂覆有疏液涂層。
16、根據本申請實施例的一種具體實現方式，所述熱腔體內部設置有液位檢測器，用于檢測所述熱腔體內部的液體傳熱介質的液位。
17、根據本申請實施例的一種具體實現方式，還包括：
18、液體外循環單元，與所述熱腔體相連通，被配置為調節所述熱腔體內的液體傳熱介質液位處于預設范圍內。
19、根據本申請實施例的一種具體實現方式，所述液體外循環單元包括儲液罐和液體輸送管路，所述儲液罐通過所述液體輸送管路與所述熱腔體相連通。
20、根據本申請實施例的一種具體實現方式，所述液體外循環單元包括動力輸送單元；
21、所述控制器被配置為：控制所述動力輸送單元的啟動或關閉以調控液體傳熱介質通過所述液體輸送管路進入或流出所述儲液罐。
22、根據本申請實施例的一種具體實現方式，所述第一氣體輸送管道與所述儲液罐連通。
23、根據本申請實施例的一種具體實現方式，所述儲液罐外部套設有冷卻套，所述冷卻套內側壁與所述儲液罐外側壁共同形成冷卻腔，所述冷卻套上設置有冷卻液進液口和冷卻液出液口，冷卻液經過所述冷卻液進液口進入所述冷卻腔對所述儲液罐內部的液體傳熱介質進行冷卻，然后經由所述冷卻液出液口流出。
24、本專利技術的晶圓烘焙裝置利用液體沸點與外部壓強的關系，通過控壓單元調控熱腔體內的壓強，以使液體傳熱介質被加熱時，在預設壓強對應的預設沸點下沸騰，并藉由液體傳熱介質沸騰產生的熱蒸氣接觸加熱頂板盤面，達到熱傳導的目的，取得更好的加熱溫度均一性。
25、另外，本專利技術的晶圓烘焙裝置對烘焙過程中的加熱頂板進行了分區域設計，使工藝過程中的熱量損失集中于過渡區域，從而使工藝過程中的晶圓所受的熱量較為均勻，進一步保障了晶圓的加熱溫度均一性。
26、此外，本專利技術還設置了液體外循環單元，不僅可以實現對熱腔體內部的液體傳熱介質的量進行調整，還可以回收控壓單元所排出的液體傳熱介質蒸氣，使其能夠進一步回收利用，達到節省資源、降低成本的效果。
27、本專利技術的其它特征和優點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本專利技術而了解。本專利技術的目的和其他優點可通過在說明書以及附圖中所指出的結構來實現和獲得。
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1.一種晶圓烘焙裝置，其特征在于，
2.根據權利要求1所述的晶圓烘焙裝置，其特征在于，所述控壓單元包括氣體輸出口、第一氣體輸送管道、第一閥門、壓強傳感器和控制器；
3.根據權利要求2所述的晶圓烘焙裝置，其特征在于，所述控壓單元還包括氣體輸入口、第二氣體輸送管道和第二閥門，所述氣體輸入口設置于所述熱腔體上，并位于所述液體傳熱介質液位面上方，所述氣體輸入口連接所述第二氣體輸送管道，所述第二氣體輸送管道上設置所述第二閥門；
4.根據權利要求1所述的晶圓烘焙裝置，其特征在于，所述加熱頂板包括工藝區域和過渡區域；
5.根據權利要求1所述的晶圓烘焙裝置，其特征在于，所述加熱頂板下表面涂覆有疏液涂層。
6.根據權利要求2所述的晶圓烘焙裝置，其特征在于，所述熱腔體內部設置有液位檢測器，用于檢測所述熱腔體內部的液體傳熱介質的液位。
7.根據權利要求6所述的晶圓烘焙裝置，其特征在于，還包括：
8.根據權利要求7所述的晶圓烘焙裝置，其特征在于，
9.根據權利要求8所述的晶圓烘焙裝置，其特征在于，
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