【技術實現步驟摘要】
本申請涉及半導體，具體而言，本申請涉及一種半導體器件及其制造方法、電子設備。
技術介紹
1、隨著半導體技術的發展，半導體器件中集成的元件數量越來越多。
2、例如，在三維堆疊半導體器件的制造工藝中，對于形成晶體管而言，需要依次形成覆蓋過孔側壁的半導體材料層、介質材料層以及導電材料層，然后通過刻蝕相鄰層之間的半導體材料層，形成相鄰層之間的獨立的晶體管，消除寄生mos(metal-oxide-semiconductor?field-effect?transistor,mosfet，金屬-氧化物半導體場效應晶體管)。
技術實現思路
1、本申請針對現有方式的缺點，提出一種半導體器件及其制造方法、電子設備，至少用以改善
技術介紹
中的不足。
2、本申請實施例提供一種半導體器件的制造方法，包括：
3、在襯底的一側形成多個組合膜層；多個組合膜層在襯底的不同區域周期性間隔分布，不同區域的組合膜層對應不同的存儲單元；每個所述組合膜層包括多層交替堆疊的第一介質層和第一導電層、以及第一過孔；所述第一過孔中貫穿于所述第一介質層的孔為第一孔段，貫穿于所述第一導電層的孔為第二孔段；相鄰組合膜層之間為溝槽，在所述溝槽內填充第三介質層；
4、在所述第一過孔內填充犧牲層，所述犧牲層的材料不同于所述第一介質層的材料；
5、圖案化所述犧牲層，形成與所述第一過孔同軸的第二過孔，使得所述第一孔段內剩余的犧牲層形成環狀的犧牲結構，并使得所述第二孔段內的犧牲層完全去除；沿平
6、在所述第二過孔內依次形成覆蓋所述第二過孔內壁的半導體層、柵極介質層和字線，所述第一介質層對應區域的所述半導體層被所述環狀的犧牲結構環繞；
7、在相鄰組合膜層之間開設過孔使得部分所述犧牲結構露出，去除所述環狀的犧牲結構，使得位于所述第一介質層對應區域的環狀的半導體層露出；
8、去除所述相鄰組合膜層之間露出的所述半導體層。
9、本申請一些實施例中，沿平行于所述襯底的方向，所述第一過孔中貫穿于所述第一導電層的第二孔段的孔徑小于目標孔徑；
10、所述第二過孔的孔徑與所述目標孔徑一致，所述目標孔徑可以使得所述第一導電層斷開為兩部分。
11、本申請一些實施例中，在襯底的一側形成多個組合膜層，包括：
12、在襯底的一側形成多個初始組合膜層，所述初始組合膜層包括多層交疊的第一初始介質層和第一初始導電層；
13、在所述初始組合膜層上形成貫穿所述初始組合膜層的初始過孔；
14、以所述初始過孔的所述第一初始導電層為掩膜，橫向刻蝕所述第一初始介質層，形成所述第一介質層中的所述第一孔段，所述第一孔段的孔徑大于所述初始過孔的孔徑，使得相鄰第一初始導電層之間形成橫向延伸的環形的凹槽；
15、在所述初始過孔內刻蝕所述第一初始導電層，形成所述第一導電層中的第二孔段，使得所述第一初始導電層斷開為兩部分。
16、本申請一些實施例中，所述第三介質層的材料與所述第一介質層的材料相同。
17、本申請一些實施例中，在相鄰組合膜層之間開設過孔使得部分所述犧牲結構露出，去除所述環狀的犧牲結構，使得位于所述第一介質層對應區域的環狀的半導體層露出，包括：
18、在相鄰組合膜層之間的所述第三介質層開設過孔，使得各第一介質層對應區域的犧牲結構的部分區域露出，在所述過孔內通過濕法刻蝕去除各第一介質層對應區域的環狀的犧牲結構，露出所述第一介質層環繞的各區域的環狀的所述半導體層。
19、本申請一些實施例中，去除所述相鄰組合膜層之間露出的環狀的所述半導體層之后，還包括：
20、在相鄰組合膜層之間的過孔填充第二介質層；所述第二介質層的材料與所述第一介質層的材料相同。
21、本申請一些實施例中，包括：
22、所述犧牲層的材料包括硅鍺；所述第一介質層為包含硅的氧化物。
23、本申請一些實施例中，沿平行于所述襯底的方向，貫穿所述初始組合膜層的初始過孔的孔徑為目標孔徑的70％～90％；
24、所述第一過孔中貫穿所述第一介質層的第一孔段的孔徑為所述目標孔徑的110％～130％。
25、本申請一些實施例中，提供一種半導體器件，基于上述制造方法制造得到。
26、本申請一些實施例中，包括：
27、多個存儲單元陣列，相同位置的存儲單元周期性堆疊分布；
28、每個存儲單元包含縱向延伸的柵極，依次環繞柵極側壁的柵絕緣層和半導體層，環繞半導體層位于同層的源電極和漏電極，源電極和漏電極之間的半導體層；
29、不同層相鄰存儲單元的所述半導體層之間、源電極之間、漏電極之間通過第一介質層隔離；
30、相同層相鄰存儲單元的所述半導體層之間、源電極之間、漏電極之間通過第一介質層隔離；
31、所述第一介質層與每個存儲單元的所述源電極和漏電極之間的半導體層接觸，且與相鄰層存儲單元之間的柵極絕緣層接觸。
32、本申請一些實施例中，所述半導體層僅包含沿著垂直襯底的方向延伸的膜層，不同層相鄰半導體層之間填充有第一介質層，所述第一介質層與所述半導體層的外側壁和端部接觸。
33、本申請一些實施例中，所述半導體層和柵極絕緣層位于所述第二過孔內；
34、半導體層在垂直方向各區域的孔徑相同；
35、柵極絕緣層在垂直方向各區域的孔徑相同。
36、本申請實施例提供了一種電子設備，包括：上述任一實施例所述的半導體器件。
37、本申請實施例提供的技術方案帶來的有益技術效果包括：
38、所述制造方法中，通過在制作第一過孔時形成尺寸不同且交替分布的第一孔段和第二孔段，在孔徑更大的第一孔段內填充滿環繞孔壁的犧牲層并圖案化形成具有第二過孔的環狀犧牲結構后，在第二過孔內形成第一孔段和第二孔段的半導體層。在相鄰組合膜層之間的區域開孔露出第一孔段的犧牲結構，刻蝕去除犧牲結構使得位于第一孔段內的寄生mos的半導體層露出，因第二孔段的導電層以及半導體層沒有犧牲結構，去除第一孔段的半導體層不影響第一孔段的半導體層。本申請實施例能夠消除寄生mos且制作工藝難度較小，容易實現。
39、本申請附加的方面和優點將在下面的描述中部分給出，這些將從下面的描述中變得明顯，或通過本申請的實踐了解到。
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1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述半導體器件的制造方法，其特征在于，沿平行于所述襯底的方向，所述第一過孔中貫穿于所述第一導電層的第二孔段的孔徑小于目標孔徑；
3.根據權利要求1所述半導體器件的制造方法，其特征在于，在襯底的一側形成多個組合膜層，包括：
4.根據權利要求1所述半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第三介質層的材料與所述第一介質層的材料相同。
5.根據權利要求4所述半導體器件的制造方法，其特征在于，在相鄰組合膜層之間開設過孔使得部分所述犧牲結構露出，去除所述環狀的犧牲結構，使得位于所述第一介質層對應區域的環狀的半導體層露出，包括：
6.根據權利要求1所述半導體器件的制造方法，其特征在于，去除所述相鄰組合膜層之間露出的環狀的所述半導體層之后，還包括：
7.根據權利要求1所述半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：
8.根據權利要求3所述半導體器件的制造方法，其特征在于，沿平行于所述襯底的方向，貫穿所述初始組合膜層的初始過孔的孔徑為目標孔徑的70％～9
9.一種半導體器件，其特征在于，基于上述權利要求1-8中任一所述制造方法制造得到。
10.根據權利要求9所述的半導體器件，其特征在于，包括：
11.根據權利要求10所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體層僅包含沿著垂直襯底的方向延伸的膜層，不同層相鄰半導體層之間填充有第一介質層，所述第一介質層與所述半導體層的外側壁和端部接觸。
12.根據權利要求11所述的半導體器件，其特征在于，
13.一種電子設備，其特征在于，包括：如上述權利要求9-12任一所述的半導體器件。
...【技術特征摘要】
1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述半導體器件的制造方法，其特征在于，沿平行于所述襯底的方向，所述第一過孔中貫穿于所述第一導電層的第二孔段的孔徑小于目標孔徑；
3.根據權利要求1所述半導體器件的制造方法，其特征在于，在襯底的一側形成多個組合膜層，包括：
4.根據權利要求1所述半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第三介質層的材料與所述第一介質層的材料相同。
5.根據權利要求4所述半導體器件的制造方法，其特征在于，在相鄰組合膜層之間開設過孔使得部分所述犧牲結構露出，去除所述環狀的犧牲結構，使得位于所述第一介質層對應區域的環狀的半導體層露出，包括：
6.根據權利要求1所述半導體器件的制造方法，其特征在于，去除所述相鄰組合膜層之間露出的環狀的所述半導體層之后，還包括：...
【專利技術屬性】
技術研發人員：王耐征，田超，賈禮賓，平延磊，周俊，
申請(專利權)人：北京超弦存儲器研究院，
類型：發明
國別省市：
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