【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)涉及半導(dǎo)體晶圓清潔,尤其是指一種半導(dǎo)體晶圓背側(cè)夾持清潔裝置。
技術(shù)介紹
1、在半導(dǎo)體晶圓上制備大規(guī)模集成電路的工藝方法中,干法刻蝕是重要的生產(chǎn)工藝之一。為控制晶圓干法刻蝕加工過程的溫度,流體導(dǎo)熱介質(zhì)常被用做晶圓背部與載盤之間填充劑,以提高低壓下晶圓與載盤間的導(dǎo)熱率,控制干法刻蝕過程中晶圓實際溫度。
2、在完成干法刻蝕后,需要將填充在晶圓背側(cè)的流體導(dǎo)熱介質(zhì)去除,現(xiàn)有技術(shù)對流體導(dǎo)熱介質(zhì)去除的方法多采用濕法浸潤清潔技術(shù),將晶圓進行浸泡清潔,達到去除流體導(dǎo)熱介質(zhì)的目的;但是,采用這種方法在對晶圓進行清潔的時候,會對晶圓的正面的光刻膠產(chǎn)生破壞,在清潔完成后,還需要進行二次光刻工藝,容易造成晶圓上面陣損失,降低半導(dǎo)體晶圓的成品良率。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、為此,本技術(shù)所要解決的技術(shù)問題在于克服現(xiàn)有技術(shù)中采用濕法浸潤清潔技術(shù)去除半導(dǎo)體晶圓背側(cè)的流體導(dǎo)熱介質(zhì)時,容易對半導(dǎo)體晶圓的正面造成破壞的問題,提供一種半導(dǎo)體晶圓背側(cè)夾持清潔裝置,直接清潔晶圓的背側(cè),免除濕法浸潤清潔,可保留半導(dǎo)體晶圓正面的光刻膠,使半導(dǎo)體晶圓能夠直接進行刻蝕后的相關(guān)工藝步驟加工,減少二次光刻工藝造成的半導(dǎo)體晶圓上面陣損失,提高半導(dǎo)體晶圓產(chǎn)品良率。
2、為解決上述技術(shù)問題,本技術(shù)提供了一種半導(dǎo)體晶圓背側(cè)夾持清潔裝置,包括:
3、夾持組件,包括支架和設(shè)置在所述支架上的兩夾持臂,每個所述夾持臂的端部均設(shè)置有卡爪,兩所述卡爪配合夾持支撐半導(dǎo)體晶圓,使所述半導(dǎo)體晶圓水平設(shè)置,且背側(cè)朝下;
5、在本技術(shù)的一個實施例中,所述夾持組件還包括:伸縮連接部,所述伸縮連接部一端與所述支架連接,所述伸縮連接部的另一端與兩所述夾持臂連接,所述伸縮連接部能夠伸縮調(diào)節(jié)長度,從而改變所述卡爪的高度。
6、在本技術(shù)的一個實施例中,兩所述夾持臂通過樞軸轉(zhuǎn)動連接在所述伸縮連接部上,調(diào)節(jié)兩所述夾持臂之間的相對開合角度能夠調(diào)節(jié)兩所述卡爪之間的距離。
7、在本技術(shù)的一個實施例中,所述卡爪為柔性材料制成。
8、在本技術(shù)的一個實施例中,所述卡爪具有多齒牙結(jié)構(gòu),相鄰兩個齒牙之間形成夾持所述半導(dǎo)體晶圓的限位槽。
9、在本技術(shù)的一個實施例中,所述旋轉(zhuǎn)臺包括:旋轉(zhuǎn)驅(qū)動源和與所述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動源的輸出端連接的基座,所述清潔臺固定在所述基座上。
10、在本技術(shù)的一個實施例中,所述基座和所述清潔臺均由不銹鋼材質(zhì)制成。
11、在本技術(shù)的一個實施例中,所述清潔臺一端與所述半導(dǎo)體晶圓的圓心接觸,所述清潔臺的另一端與所述半導(dǎo)體晶圓的邊緣接觸,所述清潔臺在所述旋轉(zhuǎn)臺的帶動下圍繞所述半導(dǎo)體晶圓的圓心公轉(zhuǎn)。
12、在本技術(shù)的一個實施例中,所述清潔貼一面為背膠面,所述清潔貼的另一面為富絨面。
13、在本技術(shù)的一個實施例中,所述清潔貼上與所述半導(dǎo)體晶圓的背側(cè)接觸的一面涂覆有清潔劑。
14、本技術(shù)的上述技術(shù)方案相比現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點:
15、本技術(shù)所述的半導(dǎo)體晶圓背側(cè)夾持清潔裝置,固定半導(dǎo)體晶圓后,直接對半導(dǎo)體晶圓的背側(cè)進行清潔處理,免除濕法浸潤清潔,可保留半導(dǎo)體晶圓正面的光刻膠,使半導(dǎo)體晶圓能夠直接進行刻蝕后的相關(guān)工藝步驟加工,減少二次光刻工藝造成的晶圓上面陣損失,提高半導(dǎo)體晶圓產(chǎn)品良率;
16、并且,本申請的清潔裝置,對半導(dǎo)體晶圓進行夾持固定后,采用公轉(zhuǎn)方式清潔半導(dǎo)體晶圓的背側(cè),確保了背側(cè)清潔的全面性和完整性,有效地防止了因清潔臺轉(zhuǎn)動帶動半導(dǎo)體晶圓自轉(zhuǎn)而可能產(chǎn)生的半導(dǎo)體晶圓相對靜止現(xiàn)象,從而避免了由此導(dǎo)致的半導(dǎo)體晶圓背部清潔不徹底的問題。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護點】
1.一種半導(dǎo)體晶圓背側(cè)夾持清潔裝置,其特征在于,包括:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶圓背側(cè)夾持清潔裝置,其特征在于:所述夾持組件還包括:伸縮連接部,所述伸縮連接部一端與所述支架連接,所述伸縮連接部的另一端與兩所述夾持臂連接,所述伸縮連接部能夠伸縮調(diào)節(jié)長度,從而改變所述卡爪的高度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體晶圓背側(cè)夾持清潔裝置,其特征在于:兩所述夾持臂通過樞軸轉(zhuǎn)動連接在所述伸縮連接部上,調(diào)節(jié)兩所述夾持臂之間的相對開合角度能夠調(diào)節(jié)兩所述卡爪之間的距離。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶圓背側(cè)夾持清潔裝置,其特征在于:所述卡爪為柔性材料制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶圓背側(cè)夾持清潔裝置,其特征在于:所述卡爪具有多齒牙結(jié)構(gòu),相鄰兩個齒牙之間形成夾持所述半導(dǎo)體晶圓的限位槽。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶圓背側(cè)夾持清潔裝置,其特征在于:所述旋轉(zhuǎn)臺包括:旋轉(zhuǎn)驅(qū)動源和與所述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動源的輸出端連接的基座,所述清潔臺固定在所述基座上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體晶圓背側(cè)夾持清潔裝置,其特征在于:所述基座
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶圓背側(cè)夾持清潔裝置,其特征在于:所述清潔臺一端與所述半導(dǎo)體晶圓的圓心接觸,所述清潔臺的另一端與所述半導(dǎo)體晶圓的邊緣接觸,所述清潔臺在所述旋轉(zhuǎn)臺的帶動下圍繞所述半導(dǎo)體晶圓的圓心公轉(zhuǎn)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶圓背側(cè)夾持清潔裝置,其特征在于:所述清潔貼一面為背膠面,所述清潔貼的另一面為富絨面。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶圓背側(cè)夾持清潔裝置,其特征在于:所述清潔貼上與所述半導(dǎo)體晶圓的背側(cè)接觸的一面涂覆有清潔劑。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種半導(dǎo)體晶圓背側(cè)夾持清潔裝置,其特征在于,包括:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶圓背側(cè)夾持清潔裝置,其特征在于:所述夾持組件還包括:伸縮連接部,所述伸縮連接部一端與所述支架連接,所述伸縮連接部的另一端與兩所述夾持臂連接,所述伸縮連接部能夠伸縮調(diào)節(jié)長度,從而改變所述卡爪的高度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體晶圓背側(cè)夾持清潔裝置,其特征在于:兩所述夾持臂通過樞軸轉(zhuǎn)動連接在所述伸縮連接部上,調(diào)節(jié)兩所述夾持臂之間的相對開合角度能夠調(diào)節(jié)兩所述卡爪之間的距離。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶圓背側(cè)夾持清潔裝置,其特征在于:所述卡爪為柔性材料制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶圓背側(cè)夾持清潔裝置,其特征在于:所述卡爪具有多齒牙結(jié)構(gòu),相鄰兩個齒牙之間形成夾持所述半導(dǎo)體晶圓的限位槽。
6.根據(jù)...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員:張智,張傳杰,雷華偉,劉志方,
申請(專利權(quán))人:浙江拓感科技有限公司,
類型:新型
國別省市:
還沒有人留言評論。發(fā)表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。