【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及原子層快速沉積，尤其涉及一種原子層快速沉積設備。
技術介紹
1、原子層沉積(atomic?layer?deposition,ald)，也稱為原子層外延(atomic?layerepitaxy，ale)或者原子層化學氣相沉積(atomie?laver?chemical?vapor?deposition,alcvd)。原子層沉積最初由芬蘭科學家在1974年提出，具有單原子層逐次沉積、沉積層厚度極均勻、三維保形性高的優點，已成為先進半導體工藝技術發展的關鍵環節。
2、在原子層沉積工藝中，新原子層的化學反應直接與之前層關聯。原子層沉積通過將兩種以上的氣相前驅體源交替地通入反應器，并在沉積襯底表面進行化學吸附反應形成沉積薄膜，利用化學鍵交替吸附a、b兩種物質，實現面反應生長。原子層沉積具有自限制的特點，即在每一個脈沖周期內，氣相前驅體都只能在沉積襯底表面的原子成鍵位發生反應，并恰好以飽和量覆蓋村底表面，能夠在非常寬的工藝窗口中逐原子層重復生長。
3、普通的ald設備工藝沉積速率相較于cvd(化學氣相淀積)和pvd(物理氣相沉積)慢很多。以制備氧化鋁為例，ald沉積速率通常只有0.1納米左右每分鐘；以磁控濺射制備刀具涂層為例，pvd沉積速率可達幾百納米每小時；以微波pecvd(等離子體增強化學氣相沉積)為例，cvd速率更可高達十納米每秒鐘。ald雖然在膜厚精度控制上非常好，但是在制備較厚薄膜時需要消耗大量時間。
技術實現思路
1、有鑒于此，本專利技術提供一
2、具體地，本專利技術是通過如下技術方案實現的：
3、根據本專利技術的第一方面，提供一種原子層快速沉積設備，包括：
4、第一氣體輸入組件，用于輸入第一反應氣體；
5、第二氣體輸入組件，用于輸入第二反應氣體；
6、反應組件，用于提供反應空間；所述反應組件分別與所述第一氣體輸入組件和所述第二氣體輸入組件連接；
7、抽取組件，用于抽取所述反應組件中的雜質；所述抽取組件與所述反應組件連接。
8、可選地，所述第一氣體輸入組件包括：第一管道和第一前驅體源瓶，其中，所述第一管道的出氣口與所述反應組件連接，所述第一前驅體源瓶與所述第一管道連接。
9、可選地，所述第一氣體輸入組件還包括：第一調節閥，所述第一調節閥設置于所述第一管道上。
10、可選地，所述第二氣體輸入組件包括：第二管道和第二前驅體源瓶，其中，所述第二管道的出氣口與所述反應組件連接，所述第二前驅體源瓶與所述第二管道連接。
11、可選地，所述第二氣體輸入組件還包括：第二調節閥，所述第二調節閥設置于所述第二管道上。
12、可選地，所述反應組件包括：反應腔室和加熱絲，其中，所述反應腔室分別與所述第一氣體輸入組件中第一管道的出氣口、所述第二氣體輸入組件中第二管道的出氣口和所述抽取組件連接，所述加熱絲埋設于所述反應腔室的內底壁中。
13、可選地，所述反應腔室的頂部設置有第一進氣口、第二進氣口和抽氣口，所述第一進氣口、所述第二進氣口和所述抽氣口分別與所述第一氣體輸入組件中第一管道的出氣口、所述第二氣體輸入組件中第二管道的出氣口和所述抽取組件連接。
14、可選地，所述反應腔室的內側壁上排列設置有調節槽，所述調節槽用于插入隔斷板。
15、可選地，所述反應腔室的內底壁上設置有放置槽，所述放置槽位于所述加熱絲正上方。
16、可選地，所述抽取組件包括：真空泵和排氣管，其中，所述排氣管的兩端分別連接所述反應組件中反應腔室和所述真空泵。
17、本專利技術提供的技術方案至少帶來以下有益效果：
18、本申請提供的一種原子層快速沉積設備提高了有效吸附效率，又可以在工藝端大大減少前驅體的進源和吹掃時間，從而整體上速度大大加快；在經濟上也能延長一瓶前驅體源的使用次數，節省成本。
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1.一種原子層快速沉積設備，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的原子層快速沉積設備，其特征在于，所述第一氣體輸入組件包括：第一管道和第一前驅體源瓶，其中，所述第一管道的出氣口與所述反應組件連接，所述第一前驅體源瓶與所述第一管道連接。
3.根據權利要求2所述的原子層快速沉積設備，其特征在于，所述第一氣體輸入組件還包括：第一調節閥，所述第一調節閥設置于所述第一管道上。
4.根據權利要求1所述的粉末原子層沉積設備，其特征在于，所述第二氣體輸入組件包括：第二管道和第二前驅體源瓶，其中，所述第二管道的出氣口與所述反應組件連接，所述第二前驅體源瓶與所述第二管道連接。
5.根據權利要求4所述的粉末原子層沉積設備，其特征在于，所述第二氣體輸入組件還包括：第二調節閥，所述第二調節閥設置于所述第二管道上。
6.根據權利要求1所述的粉末原子層沉積設備，其特征在于，所述反應組件包括：反應腔室和加熱絲，其中，所述反應腔室分別與所述第一氣體輸入組件中第一管道的出氣口、所述第二氣體輸入組件中第二管道的出氣口和所述抽取組件連接，所述加熱絲埋設于
7.根據權利要求6所述的粉末原子層沉積設備，其特征在于，所述反應腔室的頂部設置有第一進氣口、第二進氣口和抽氣口，所述第一進氣口、所述第二進氣口和所述抽氣口分別與所述第一氣體輸入組件中第一管道的出氣口、所述第二氣體輸入組件中第二管道的出氣口和所述抽取組件連接。
8.根據權利要求6所述的粉末原子層沉積設備，其特征在于，所述反應腔室的內側壁上排列設置有調節槽，所述調節槽用于插入隔斷板。
9.根據權利要求6所述的粉末原子層沉積設備，其特征在于，所述反應腔室的內底壁上設置有放置槽，所述放置槽位于所述加熱絲正上方。
10.根據權利要求1所述的粉末原子層沉積設備，其特征在于，所述抽取組件包括：真空泵和排氣管，其中，所述排氣管的兩端分別連接所述反應組件中反應腔室和所述真空泵。
...【技術特征摘要】
1.一種原子層快速沉積設備，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的原子層快速沉積設備，其特征在于，所述第一氣體輸入組件包括：第一管道和第一前驅體源瓶，其中，所述第一管道的出氣口與所述反應組件連接，所述第一前驅體源瓶與所述第一管道連接。
3.根據權利要求2所述的原子層快速沉積設備，其特征在于，所述第一氣體輸入組件還包括：第一調節閥，所述第一調節閥設置于所述第一管道上。
4.根據權利要求1所述的粉末原子層沉積設備，其特征在于，所述第二氣體輸入組件包括：第二管道和第二前驅體源瓶，其中，所述第二管道的出氣口與所述反應組件連接，所述第二前驅體源瓶與所述第二管道連接。
5.根據權利要求4所述的粉末原子層沉積設備，其特征在于，所述第二氣體輸入組件還包括：第二調節閥，所述第二調節閥設置于所述第二管道上。
6.根據權利要求1所述的粉末原子層沉積設備，其特征在于，所述反應組件包括：反應腔室和加熱絲，其中，所述反...
【專利技術屬性】
技術研發人員：戴昕童，明帥強，李明，王浙加，張亦哲，李國慶，聞夢瑤，
申請(專利權)人：嘉興中科微電子儀器與設備工程中心，
類型：發明
國別省市：
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