【技術實現步驟摘要】
本申請涉及功率放大器，具體地，涉及一種適用于功率放大器芯片的控制電路、功率放大器芯片。
技術介紹
1、得益于碳化硅（sic）材料優異的物理特性，sic功率器件已成為極具潛力的高壓、高速開關器件。相較于si基器件，以sic?mosfet為代表的功率器件具有更低的導通電阻和更小的芯片尺寸，上述優勢使得器件可以勝任高壓、大電流、高頻的應用需求。此外，sic材料具有高溫工作優勢，對應器件能夠工作于175°c以上的高溫條件下，其通態壓降隨溫度的升高顯著增加。
2、為了進一步提升sic器件高溫通流能力，溝槽型雙極性sic的igbt器件逐漸成為研究的熱點。圖1為傳統的溝槽型雙極性sic的igbt器件。例如，10kv以上的sic?igbt芯片，其器件結構如圖1所示。其中，1-1是發射極金屬，1-2是發射極n+區，1-3是p型體區，1-4是柵極氧化層，1-5是柵極ploy，1-6是n-漂移區，1-7是集電極p型區（作為襯底），1-8是集電極金屬。圖1中，帶箭頭的虛線為電子路徑，帶箭頭的線為空穴路徑。
3、傳統的sic的igbt器件存在以下問題：
4、問題一：圖1的igbt器件的背面結構為集電極p型區1-7與n-漂移區1-6。導通電流增大有一個過程。圖1的溝槽型雙極性sic的igbt器件導電的是電子和空穴，電子的流動路徑和空穴的流動路徑如圖1所示。
5、一般情況，集電極p型區1-7與n-漂移區1-6形成的pn結的導通電壓為3v以上。這樣，就導致小電流條件下也具有3v以上的通態壓降，導通損耗大。
...【技術保護點】
1.一種雙極性SIC功率器件，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的雙極性SIC功率器件，其特征在于，集電極第一摻雜類型區（11）為條形，所述集電極第二摻雜類型區（12）為條形；
3.根據權利要求2所述的雙極性SIC功率器件，其特征在于，同一個所述集電極第一摻雜類型區（11）：
4.根據權利要求3所述的雙極性SIC功率器件，其特征在于，第一摻雜類型為P型，第二摻雜類型為N型；
5.根據權利要求2至4任一所述的雙極性SIC功率器件，其特征在于，
6.?根據權利要求2至4任一所述的雙極性SIC功率器件，其特征在于，?所述集電極第一摻雜類型區（11）和所述集電極第二摻雜類型區（12）寬度之比的取值范圍為大于等于1:1小于等于10:1。
7.根據權利要求2至4任一所述的雙極性SIC功率器件，其特征在于，所述集電極第一摻雜類型區（11）的長度方向和所述襯底第一摻雜類型區（10-2）的長度方向相交的夾角α的取值范圍為大于等于20度小于等于90度。
8.根據權利要求7所述的雙極性SIC功率器件，其特征在于
9.根據權利要求8所述的雙極性SIC功率器件，其特征在于，
10.根據權利要求8所述的雙極性SIC功率器件，其特征在于，所述集電極第一摻雜類型區（11）和所述集電極第二摻雜類型區（12）的厚度相同，且所述集電極厚度的取值范圍為大于等于0.1μm小于等于1.0μm；
...【技術特征摘要】
1.一種雙極性sic功率器件，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的雙極性sic功率器件，其特征在于，集電極第一摻雜類型區（11）為條形，所述集電極第二摻雜類型區（12）為條形；
3.根據權利要求2所述的雙極性sic功率器件，其特征在于，同一個所述集電極第一摻雜類型區（11）：
4.根據權利要求3所述的雙極性sic功率器件，其特征在于，第一摻雜類型為p型，第二摻雜類型為n型；
5.根據權利要求2至4任一所述的雙極性sic功率器件，其特征在于，
6.?根據權利要求2至4任一所述的雙極性sic功率器件，其特征在于，?所述集電極第一摻雜類型區（11）和所述集電極第二摻雜類型區（12）寬度之比的取值...
【專利技術屬性】
技術研發人員：祁金偉，
申請(專利權)人：蘇州華太電子技術股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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