【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種生成晶圓圖的方法、裝置及測(cè)試晶圓的設(shè)備。
技術(shù)介紹
1、晶圓圖（wafer?map）是晶圓測(cè)試過(guò)程中的重要工具，它可以展示晶圓上測(cè)試結(jié)構(gòu)和芯片具體位置信息，依據(jù)這些位置信息可以對(duì)不良芯片進(jìn)行追蹤和回溯。由于測(cè)試結(jié)構(gòu)和芯片的尺寸大小不一，在晶圓上的分布位置也不盡相同，在生成晶圓圖時(shí)，需要工程師逐個(gè)遍歷晶圓上的每個(gè)測(cè)試結(jié)構(gòu)和芯片位置，這一過(guò)程需要手動(dòng)完成。然而在芯片數(shù)量較多的情況下，導(dǎo)致生成晶圓圖的效率極低。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N生成晶圓圖的方法、裝置及測(cè)試晶圓的設(shè)備，用以解決現(xiàn)有的當(dāng)芯片數(shù)量眾多時(shí)，生成包括芯片位置信息的晶圓圖效率極低的問(wèn)題。
2、基于上述問(wèn)題，第一方面，本公開(kāi)實(shí)施例提供的一種生成晶圓圖的方法，包括：
3、提供一晶圓，所述晶圓上包括多組測(cè)試組，其中，每個(gè)所述測(cè)試組包括排布方式相同的測(cè)試結(jié)構(gòu)和芯片；
4、確定所述晶圓上劃分的多組測(cè)試組中的任意一組為預(yù)設(shè)測(cè)試組，確定所述預(yù)設(shè)測(cè)試組上標(biāo)定位置的第一坐標(biāo)以及所述預(yù)設(shè)測(cè)試組內(nèi)測(cè)試結(jié)構(gòu)標(biāo)定位置的第二坐標(biāo)；
5、使測(cè)試組位于觀測(cè)設(shè)備的視野范圍內(nèi)，根據(jù)位于各測(cè)試組內(nèi)同一位置的第一匹配標(biāo)識(shí)的位置，確定測(cè)試組的尺寸；
6、使芯片位于所述觀測(cè)設(shè)備的視野范圍內(nèi)，根據(jù)位于各芯片內(nèi)同一位置的第二匹配標(biāo)識(shí)的位置，確定芯片的尺寸；
7、使所述晶圓的邊緣位于所述觀測(cè)設(shè)備的視野范圍內(nèi)，根據(jù)所述晶圓邊緣的圓弧上的至少三個(gè)點(diǎn)的位置坐標(biāo)，確定所述
8、根據(jù)所述第三坐標(biāo)和所述第一坐標(biāo)，確定所述預(yù)設(shè)測(cè)試組與所述晶圓的第一位置關(guān)系，并根據(jù)測(cè)試組的尺寸和所述第一位置關(guān)系在所述晶圓上對(duì)各測(cè)試組進(jìn)行排布；
9、根據(jù)所述第二坐標(biāo)和所述第一坐標(biāo)，確定測(cè)試結(jié)構(gòu)與所在測(cè)試組的第二位置關(guān)系，根據(jù)所述第二位置關(guān)系對(duì)各測(cè)試組中的測(cè)試結(jié)構(gòu)進(jìn)行排布；
10、根據(jù)所述第一坐標(biāo)、芯片的尺寸以及測(cè)試組的尺寸，對(duì)各測(cè)試組內(nèi)的芯片進(jìn)行排布，生成第一晶圓圖。
11、結(jié)合第一方面，在一種可能的實(shí)施方式中，所述使測(cè)試組位于觀測(cè)設(shè)備的視野范圍內(nèi)，根據(jù)位于各測(cè)試組內(nèi)同一位置的第一匹配標(biāo)識(shí)的位置，確定測(cè)試組的尺寸，包括：
12、使測(cè)試組位于觀測(cè)設(shè)備的視野范圍內(nèi)，確定位于各測(cè)試組內(nèi)同一位置的任一機(jī)構(gòu)為第一匹配標(biāo)識(shí)；
13、根據(jù)橫向相鄰的兩個(gè)所述第一匹配標(biāo)識(shí)預(yù)設(shè)位置之間的距離，確定測(cè)試組的橫向尺寸；其中，測(cè)試組的橫向尺寸包括：測(cè)試組水平邊的邊長(zhǎng)與測(cè)試組之間劃片街區(qū)的寬度之和；
14、根據(jù)縱向相鄰的兩個(gè)所述第一匹配標(biāo)識(shí)預(yù)設(shè)位置之間的距離，確定測(cè)試組的縱向尺寸；其中，測(cè)試組的縱向尺寸包括：測(cè)試組豎直邊的邊長(zhǎng)與測(cè)試組之間劃片街區(qū)的寬度之和。
15、結(jié)合第一方面，在一種可能的實(shí)施方式中，所述使芯片位于所述觀測(cè)設(shè)備的視野范圍內(nèi)，根據(jù)位于各芯片內(nèi)同一位置的第二匹配標(biāo)識(shí)的位置，確定芯片的尺寸，包括：
16、使芯片位于所述觀測(cè)設(shè)備的視野范圍內(nèi)，確定位于各芯片內(nèi)同一位置的任一機(jī)構(gòu)為第二匹配標(biāo)識(shí)；
17、根據(jù)橫向相鄰的兩個(gè)所述第二匹配標(biāo)識(shí)預(yù)設(shè)位置之間的距離，確定芯片的橫向尺寸；其中，芯片的橫向尺寸包括：芯片水平邊的邊長(zhǎng)與芯片之間劃片街區(qū)的寬度之和；
18、根據(jù)縱向相鄰的兩個(gè)所述第二匹配標(biāo)識(shí)預(yù)設(shè)位置之間的距離，確定芯片的縱向尺寸；其中，芯片的縱向尺寸包括：芯片豎直邊的邊長(zhǎng)與芯片之間劃片街區(qū)的寬度之和。
19、結(jié)合第一方面，在一種可能的實(shí)施方式中，所述使所述晶圓的邊緣位于所述觀測(cè)設(shè)備的視野范圍內(nèi)，根據(jù)所述晶圓邊緣的圓弧上的至少三個(gè)點(diǎn)的位置坐標(biāo)，確定所述晶圓圓心點(diǎn)的第三坐標(biāo)，包括：
20、使所述晶圓的邊緣位于所述觀測(cè)設(shè)備的視野范圍內(nèi)，確定位于所述觀測(cè)設(shè)備視野中心位置的觀測(cè)對(duì)象的第四坐標(biāo)；確定所述第四坐標(biāo)分別與所述晶圓邊緣的圓弧上的多個(gè)任一點(diǎn)的位置之間的第一坐標(biāo)偏差值；根據(jù)所述第四坐標(biāo)與多個(gè)第一坐標(biāo)偏差值，分別確定每個(gè)任一點(diǎn)的位置的第五坐標(biāo)；或者，
21、使所述晶圓的邊緣的多條圓弧依次位于所述觀測(cè)設(shè)備的視野范圍內(nèi)，依次確定位于所述觀測(cè)設(shè)備視野中心位置的觀測(cè)對(duì)象的第四坐標(biāo)；在所述觀測(cè)設(shè)備的視野范圍內(nèi)，分別確定所述第四坐標(biāo)與所述多條圓弧上的任一點(diǎn)的位置之間的第一坐標(biāo)偏差值；根據(jù)多個(gè)第四坐標(biāo)與對(duì)應(yīng)的第一坐標(biāo)偏差值，分別確定每個(gè)任一點(diǎn)的位置的第五坐標(biāo)；
22、基于至少三個(gè)任一點(diǎn)分別對(duì)應(yīng)的第五坐標(biāo)對(duì)所述晶圓的圓心點(diǎn)進(jìn)行擬合，確定所述晶圓圓心點(diǎn)的第三坐標(biāo)。
23、結(jié)合第一方面，在一種可能的實(shí)施方式中，所述根據(jù)所述第一坐標(biāo)、芯片的尺寸以及測(cè)試組的尺寸，對(duì)各測(cè)試組內(nèi)的芯片進(jìn)行排布，生成第一晶圓圖，包括：
24、根據(jù)任一芯片的第二匹配標(biāo)識(shí)預(yù)設(shè)位置的第六坐標(biāo)、芯片的尺寸以及測(cè)試組的尺寸對(duì)測(cè)試組內(nèi)的芯片進(jìn)行初步排布；
25、確定測(cè)試組之間的劃片街區(qū)及其相鄰的測(cè)試結(jié)構(gòu)所形成的相交區(qū)域作為第一區(qū)域；
26、基于所述第一坐標(biāo)，所述第一區(qū)域的橫向?qū)挾群涂v向?qū)挾取⑺龅诹鴺?biāo)與芯片的尺寸確定芯片的位置校正方式，并對(duì)各測(cè)試組中初步排布的芯片位置進(jìn)行校正，生成第一晶圓圖。
27、結(jié)合第一方面，在一種可能的實(shí)施方式中，還包括：
28、使所述第一區(qū)域位于觀測(cè)設(shè)備的視野范圍內(nèi)，確定所述第一區(qū)域的橫向?qū)挾群涂v向?qū)挾龋ǎ?/p>
29、使所述第一區(qū)域位于所述觀測(cè)設(shè)備的視野范圍內(nèi)，輸入四條直線使所述四條直線分別與所述第一區(qū)域的四條邊重合；
30、根據(jù)兩兩平行的所述四條直線之間的距離，確定所述第一區(qū)域的橫向?qū)挾群涂v向?qū)挾取?/p>
31、結(jié)合第一方面，在一種可能的實(shí)施方式中，還包括：使芯片的焊盤(pán)位于所述觀測(cè)設(shè)備的視野范圍內(nèi)，確定芯片內(nèi)的焊盤(pán)的位置坐標(biāo)，基于所述第一晶圓圖生成包括芯片內(nèi)焊盤(pán)位置坐標(biāo)的第二晶圓圖，包括：
32、使芯片的焊盤(pán)位于所述觀測(cè)設(shè)備的視野范圍內(nèi)，確定位于所述觀測(cè)設(shè)備視野中心位置的觀測(cè)對(duì)象的第七坐標(biāo)；
33、確定所述第七坐標(biāo)與所述芯片的焊盤(pán)位置之間的第二坐標(biāo)偏差值；
34、根據(jù)所述第七坐標(biāo)與所述第二坐標(biāo)偏差值作差，確定芯片的焊盤(pán)的第八坐標(biāo)；
35、根據(jù)所述第八坐標(biāo)和所述第一晶圓圖內(nèi)芯片的排布，確定芯片的焊盤(pán)與芯片的第三位置關(guān)系，根據(jù)所述第三位置關(guān)系生成包括芯片內(nèi)焊盤(pán)位置坐標(biāo)的第二晶圓圖。
36、結(jié)合第一方面，在一種可能的實(shí)施方式中，在確定所述第一匹配標(biāo)識(shí)之后，還包括：根據(jù)同一行或列至少兩個(gè)所述第一匹配標(biāo)識(shí)預(yù)設(shè)位置的連線所在的直線和水平線之間的夾角，確定所述晶圓旋轉(zhuǎn)的第一角度；根據(jù)所述第一角度旋轉(zhuǎn)所述晶圓，使測(cè)試組在所述觀測(cè)設(shè)備的視野范圍內(nèi)調(diào)整至水平狀態(tài)；或者，
37、在確定所述第二匹配標(biāo)識(shí)之后，還包括：根據(jù)同一行或列至少兩個(gè)所述第二匹配標(biāo)識(shí)預(yù)設(shè)位置的連線所在的直線和水平線之間的夾角，確定所述晶圓旋轉(zhuǎn)的第二角度；根據(jù)所述第二角度本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種生成晶圓圖的方法，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述使測(cè)試組位于觀測(cè)設(shè)備的視野范圍內(nèi)，根據(jù)位于各測(cè)試組內(nèi)同一位置的第一匹配標(biāo)識(shí)的位置，確定測(cè)試組的尺寸，包括：
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述使芯片位于所述觀測(cè)設(shè)備的視野范圍內(nèi)，根據(jù)位于各芯片內(nèi)同一位置的第二匹配標(biāo)識(shí)的位置，確定芯片的尺寸，包括：
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述使所述晶圓的邊緣位于所述觀測(cè)設(shè)備的視野范圍內(nèi)，根據(jù)所述晶圓邊緣的圓弧上的至少三個(gè)點(diǎn)的位置坐標(biāo)，確定所述晶圓圓心點(diǎn)的第三坐標(biāo)，包括：
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述第一坐標(biāo)、芯片的尺寸以及測(cè)試組的尺寸，對(duì)各測(cè)試組內(nèi)的芯片進(jìn)行排布，生成第一晶圓圖，包括：
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，還包括：
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：使芯片的焊盤(pán)位于所述觀測(cè)設(shè)備的視野范圍內(nèi)，確定芯片內(nèi)的焊盤(pán)的位置坐標(biāo)，基于所述第一晶圓圖生成包括芯片內(nèi)焊盤(pán)位置坐標(biāo)的第二晶圓圖，包括：
8.如權(quán)利
9.一種生成晶圓圖的裝置，其特征在于，包括：
10.一種測(cè)試晶圓的設(shè)備，其特征在于，包括如權(quán)利要求9所述的生成晶圓圖的裝置。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種生成晶圓圖的方法，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述使測(cè)試組位于觀測(cè)設(shè)備的視野范圍內(nèi)，根據(jù)位于各測(cè)試組內(nèi)同一位置的第一匹配標(biāo)識(shí)的位置，確定測(cè)試組的尺寸，包括：
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述使芯片位于所述觀測(cè)設(shè)備的視野范圍內(nèi)，根據(jù)位于各芯片內(nèi)同一位置的第二匹配標(biāo)識(shí)的位置，確定芯片的尺寸，包括：
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述使所述晶圓的邊緣位于所述觀測(cè)設(shè)備的視野范圍內(nèi)，根據(jù)所述晶圓邊緣的圓弧上的至少三個(gè)點(diǎn)的位置坐標(biāo)，確定所述晶圓圓心點(diǎn)的第三坐標(biāo)，包括：
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述第一坐標(biāo)、芯片的尺寸以及測(cè)試組的尺寸，對(duì)各測(cè)試組內(nèi)的芯片進(jìn)行排布，生成第一晶圓圖...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：林冠屹，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：蘇州聯(lián)訊儀器股份有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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