【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本申請涉及芯片封裝，更具體的說，涉及一種封裝基板以及芯片封裝結構。
技術介紹
1、隨著科學技術的不斷發(fā)展，越來越多的電子設備被廣泛的應用于人們的日常生活以及工作當中，為人們的日常生活以及工作帶來了巨大的便利，成為當今人們不可或缺的重要工具。
2、電子設備實現(xiàn)各種的功能的核心部件是芯片。為了保護芯片，以及便于芯片和外部電路連接，需要通過封裝基板對芯片進行封裝保護。封裝基板包括多層導電層依次層疊形成的堆疊結構，相鄰導電層之間具有絕緣層。采用現(xiàn)有封裝基板對芯片進行封裝保護時，芯片封裝結構的電源完整性較差。
技術實現(xiàn)思路
1、有鑒于此，本申請?zhí)峁┝艘环N封裝基板以及芯片封裝結構，方案如下：
2、本申請技術方案一方面提供了一種封裝基板，所述封裝基板包括層疊的若干導電層，相鄰導電層之間具有絕緣層，其中，所述若干導電層中至少包括一層作為接地層，所述接地層包括第一區(qū)域金屬層和第二區(qū)域金屬層，所述第二區(qū)域金屬層位于所述第一區(qū)域金屬層的內部鏤空處且與所述第一區(qū)域金屬層之間具有絕緣間隙；
3、所述封裝基板還包括多個縱向電連接不同所述導電層的導電結構；所述導電結構包括：用于接地的第一導電結構；用于連接電源的第二導電結構；
4、其中，在所述接地層，所述第一導電結構均與所述第一區(qū)域金屬層電連接，所述第二區(qū)域金屬層與延伸至所述接地層的多個所述第二導電結構電連接；所述第二區(qū)域金屬層所連接的多個所述第二導電結構中，至少兩個所述第二導電結構之間的間距大于所述第二導電結構的
5、優(yōu)選的，在上述封裝基板中，所述若干導電層在層疊方向上依次為第1導電層至第n導電層，n為大于2的正整數(shù)；所述第n導電層包括電容焊接區(qū)域，用于焊接電容；至少所述第n導電層為所述接地層；
6、所述第n導電層包括位于電容焊接區(qū)域內的第一電容焊盤和第二電容焊盤，所述第一電容焊盤用于連接所述電容的正極引腳，所述第二電容焊盤用于連接所述電容的負極引腳；在距離所述電容焊接區(qū)域的預設范圍內，具有所述第二導電結構，所述第二區(qū)域金屬層連接所述第二導電結構和所述第一電容焊盤。
7、優(yōu)選的，在上述封裝基板中，單個所述電容焊接區(qū)域內具有兩個所述第一電容焊盤和兩個所述第二電容焊盤；
8、其中，兩個所述第二電容焊盤分別設置在兩個所述第一電容焊盤連線的兩側。
9、優(yōu)選的，在上述封裝基板中，對于所述第n導電層，所述第二區(qū)域金屬層具有交叉的第一子區(qū)域和第二子區(qū)域；
10、所述第一子區(qū)域位于交叉區(qū)域兩側的兩個端部均分別連接有至少一個所述第二導電結構；
11、所述第二子區(qū)域位于交叉區(qū)域兩側的兩個端部均分別連接有至少一個所述第二導電結構；
12、其中，所述電容固定連接在所述交叉位置。
13、優(yōu)選的，在上述封裝基板中，在同一所述接地層，間距小于設定閾值的兩個所述第二導電結構之間基于所述第二區(qū)域金屬層電連接。
14、優(yōu)選的，在上述封裝基板中，在同一所述接地層，間距大于設定閾值的兩個所述第二導電結構基于所述第二區(qū)域金屬層連接，且所述第二導電結構的連線路徑上無所述第一導電結構。
15、優(yōu)選的，在上述封裝基板中，所述設定閾值小于或等于所述第二導電結構的橫向尺寸。
16、本申請另一方面還提供了一種芯片封裝結構，包括：
17、封裝基板；所述封裝基板包括層疊的若干導電層，相鄰導電層之間具有絕緣層，其中，所述若干導電層中至少包括一層作為接地層，所述接地層包括第一區(qū)域金屬層和第二區(qū)域金屬層，所述第二區(qū)域金屬層位于所述第一區(qū)域金屬層的內部鏤空處且與所述第一區(qū)域金屬層之間具有絕緣間隙；所述封裝基板還包括多個縱向電連接不同所述導電層的導電結構；所述導電結構包括：用于接地的第一導電結構；用于連接電源的第二導電結構；其中，在所述接地層，所述第一導電結構均與所述第一區(qū)域金屬層電連接，所述第二區(qū)域金屬層與延伸至所述接地層的多個所述第二導電結構電連接；所述第二區(qū)域金屬層所連接的多個所述第二導電結構中，至少兩個所述第二導電結構之間的間距大于所述第二導電結構的橫向尺寸；
18、固定在所述封裝基板一側表面的芯片，所述第一區(qū)域金屬層和第二金屬層電連接至所述芯片內的電源模塊。
19、優(yōu)選的，在上述芯片封裝結構中，所述若干導電層在層疊方向上依次為第1導電層至第n導電層，n為大于2的正整數(shù)，至少所述第n導電層為所述接地層；所述第1導電層焊接固定所述芯片；
20、所述芯片封裝結構還包括電容，固定于所述第n導電層上，具有正極引腳和負極引腳，分別電連接所述n導電層的第二區(qū)域金屬層和第一區(qū)域金屬層。
21、優(yōu)選的，在上述芯片封裝結構中，所述第n導電層包括位于電容焊接區(qū)域內的第一電容焊盤和第二電容焊盤；
22、所述第一電容焊盤用于連接所述電容的正極引腳，所述第二電容焊盤用于連接所述電容的負極引腳；在距離所述電容焊接區(qū)域的預設范圍內，具有所述第二導電結構，所述第二區(qū)域金屬層連接所述第二導電結構和所述第一電容焊盤。
23、通過上述描述可知，本申請技術方案提供的封裝基板以及芯片封裝結構中，接地層包括第一區(qū)域金屬層和第二區(qū)域金屬層，第二區(qū)域金屬層位于第一區(qū)域金屬層的內部鏤空處且與第一區(qū)域金屬層之間具有絕緣間隙；封裝基板還包括多個縱向電連接不同導電層的導電結構；導電結構包括：用于接地的第一導電結構；用于連接電源的第二導電結構；其中，在接地層，第一導電結構均與第一區(qū)域金屬層電連接，第二區(qū)域金屬層與延伸至接地層的多個第二導電結構電連接；第二區(qū)域金屬層所連接的多個第二導電結構中，至少兩個第二導電結構之間的間距大于第二導電結構的橫向尺寸。本申請技術方案封裝基板能夠提高芯片封裝結構的電源完整性。
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1.一種封裝基板，其特征在于，所述封裝基板包括層疊的若干導電層，相鄰導電層之間具有絕緣層，其中，所述若干導電層中至少包括一層作為接地層，所述接地層包括第一區(qū)域金屬層和第二區(qū)域金屬層，所述第二區(qū)域金屬層位于所述第一區(qū)域金屬層的內部鏤空處且與所述第一區(qū)域金屬層之間具有絕緣間隙；
2.根據(jù)權利要求1所述的封裝基板，其特征在于，所述若干導電層在層疊方向上依次為第1導電層至第N導電層，N為大于2的正整數(shù)；所述第N導電層包括電容焊接區(qū)域，用于焊接電容；至少所述第N導電層為所述接地層；
3.根據(jù)權利要求2所述的封裝基板，其特征在于，單個所述電容焊接區(qū)域內具有兩個所述第一電容焊盤和兩個所述第二電容焊盤；
4.根據(jù)權利要求2或3所述的封裝基板，其特征在于，對于所述第N導電層，所述第二區(qū)域金屬層具有交叉的第一子區(qū)域和第二子區(qū)域；
5.根據(jù)權利要求1所述的封裝基板，其特征在于，在同一所述接地層，間距小于設定閾值的兩個所述第二導電結構之間基于所述第二區(qū)域金屬層電連接。
6.根據(jù)權利要求1所述的封裝基板，其特征在于，在同一所述接地層，間距大于設定
7.根據(jù)權利要求5或6所述的封裝基板，其特征在于，所述設定閾值小于或等于所述第二導電結構的橫向尺寸。
8.一種芯片封裝結構，其特征在于，包括：
9.根據(jù)權利要求8所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述若干導電層在層疊方向上依次為第1導電層至第N導電層，N為大于2的正整數(shù)，至少所述第N導電層為所述接地層；所述第1導電層焊接固定所述芯片；
10.根據(jù)權利要求9所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述第N導電層包括位于電容焊接區(qū)域內的第一電容焊盤和第二電容焊盤；
...【技術特征摘要】
1.一種封裝基板，其特征在于，所述封裝基板包括層疊的若干導電層，相鄰導電層之間具有絕緣層，其中，所述若干導電層中至少包括一層作為接地層，所述接地層包括第一區(qū)域金屬層和第二區(qū)域金屬層，所述第二區(qū)域金屬層位于所述第一區(qū)域金屬層的內部鏤空處且與所述第一區(qū)域金屬層之間具有絕緣間隙；
2.根據(jù)權利要求1所述的封裝基板，其特征在于，所述若干導電層在層疊方向上依次為第1導電層至第n導電層，n為大于2的正整數(shù)；所述第n導電層包括電容焊接區(qū)域，用于焊接電容；至少所述第n導電層為所述接地層；
3.根據(jù)權利要求2所述的封裝基板，其特征在于，單個所述電容焊接區(qū)域內具有兩個所述第一電容焊盤和兩個所述第二電容焊盤；
4.根據(jù)權利要求2或3所述的封裝基板，其特征在于，對于所述第n導電層，所述第二區(qū)域金屬層具有交叉的第一子區(qū)域和第二子區(qū)域；
5.根據(jù)權利要求1所述的封裝基板，...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：饒佳佳，楊曉瑞，林威志，洪健圣，
申請(專利權)人：鼎道智芯上海半導體有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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