【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及晶體加工領(lǐng)域，尤其涉及一種新式sic抗翹曲薄膜沉積工藝方法。
技術(shù)介紹
1、第三代半導(dǎo)體sic擁有更大的禁帶寬度、高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速率以及抗強(qiáng)輻射能力等優(yōu)異特性，以sic為襯底的器件，體積更小、轉(zhuǎn)換效率更高、更節(jié)能，更符合全球科技產(chǎn)業(yè)對于“碳達(dá)峰、碳中和”目標(biāo)共識的未來需求。sic材料及芯片制備主要工藝為單晶生長、襯底切磨拋、外延生長、掩膜沉積、圖形化、刻蝕、注入、熱處理、金屬互連等工藝流程共涉及幾十種關(guān)鍵半導(dǎo)體裝備。
2、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(plasma-enhanced?chemical?vapor?deposition,pecvd)技術(shù)是一種借助外加能量輔助反應(yīng)前驅(qū)體裂解產(chǎn)生等離子體，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)sic薄膜制備的方法。pecvd法沉積的sio2薄膜具有反應(yīng)溫度低、成膜均勻、臺階覆蓋性和工藝重復(fù)性好等優(yōu)點(diǎn)。但對于較薄的sic襯底，在工藝反應(yīng)時易發(fā)生高溫翹曲，這是因?yàn)閟ic襯底的膨脹系數(shù)是sio2的數(shù)倍，在400℃的工藝過程中，sic的膨脹速度明顯快于二氧化硅，這就導(dǎo)致sic襯底會被二氧化硅拉成凹面型，薄膜沉積的均勻性會受到顯著的影響。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、鑒于此，本專利技術(shù)的目的在于，提供一種新式sic抗翹曲薄膜沉積工藝方法，以解決上述
技術(shù)介紹
中提出的問題。
2、為了達(dá)到上述目的，進(jìn)而采取的技術(shù)方案如下：
3、一種新式sic抗翹曲薄膜沉積工藝方法，包括以下步驟：
4、s1：檢查調(diào)用生產(chǎn)工藝程序，設(shè)備自
5、s2：上下料腔完成破真空流程，晶圓裝入上下料腔并關(guān)好門；
6、s3：晶圓完成上料，設(shè)備開始自動化運(yùn)行，上下料腔開始抽真空，晶圓籃具旋轉(zhuǎn)至上料位；
7、s4：掃描晶圓籃具裝片數(shù)量，人工確認(rèn)裝片ok；
8、s5：平邊腔備料，機(jī)器人取料至平邊腔，平邊腔完成晶圓平邊找正；
9、s6：工藝腔進(jìn)行自檢，溫度、真空度合格開始工藝；
10、s7：機(jī)器人取放片至工藝腔，放片完成；
11、s8：加熱臺開啟真空吸附，將晶圓吸附在加熱臺上；
12、s9：檢查真空度，確保加熱臺表面吸附平整，無漏氣；
13、s10：啟動生產(chǎn)工藝流程，調(diào)用工藝配方；
14、s11：工藝運(yùn)行結(jié)束，保持晶圓吸附狀態(tài)；
15、s12：提高加熱臺溫度，釋放晶圓應(yīng)力；
16、s13：應(yīng)力釋放完成，調(diào)節(jié)工藝腔、傳輸腔真空度；
17、s14：機(jī)器人抓取晶圓至冷卻腔進(jìn)行冷卻，等待冷卻完成；
18、s15：晶圓完成冷卻，機(jī)器人抓取晶圓至下料腔；
19、s16：下料腔檢測晶圓籃具是否裝滿，人工取料進(jìn)入下次循環(huán)。
20、優(yōu)選的，步驟s8中，吸盤吸附真空度達(dá)到0.07-0.15pa。
21、優(yōu)選的，步驟s12中，加熱臺溫度提高到390-420℃。
22、優(yōu)選的，步驟s13中，使工藝腔傳輸腔真空匹配，工藝腔真空度由0.3-0.6pa降低至5pa，傳輸腔的真空度為5pa。
23、本專利技術(shù)的有益效果是：
24、在工藝開始階段，會先對晶圓進(jìn)行吸附，并檢查真空度確保晶圓吸附平整無漏吸；在工藝過程中，加熱臺全程進(jìn)行吸附，保證薄膜生長均勻性；在工藝結(jié)束后，增加應(yīng)力釋放環(huán)節(jié)，通過提高加熱臺溫度，對晶圓應(yīng)力進(jìn)行釋放，防止晶圓冷卻后再次翹曲。
25、本專利技術(shù)中抗翹曲薄膜沉積工藝方法，通過修改相應(yīng)結(jié)構(gòu)，在sic襯底工藝過程中，增加底部吸附拉平環(huán)節(jié)，對襯底施加反向作用力，從而保證沉積的薄膜均勻生長在襯底的表面，并通過增加釋放應(yīng)力環(huán)節(jié)，防止工藝結(jié)束后的晶圓再次翹曲，大大提高了晶圓的工藝良率。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種新式SiC抗翹曲薄膜沉積工藝方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新式SiC抗翹曲薄膜沉積工藝方法，其特征在于，步驟S8中，吸盤吸附真空度達(dá)到0.07-0.15Pa。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種新式SiC抗翹曲薄膜沉積工藝方法，其特征在于，步驟S12中，加熱臺溫度提高到390-420℃。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種新式SiC抗翹曲薄膜沉積工藝方法，其特征在于，步驟S13中，使工藝腔傳輸腔真空匹配，工藝腔真空度由0.3-0.6pa降低至5Pa，傳輸腔的真空度為5Pa。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種新式sic抗翹曲薄膜沉積工藝方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新式sic抗翹曲薄膜沉積工藝方法，其特征在于，步驟s8中，吸盤吸附真空度達(dá)到0.07-0.15pa。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種新式sic抗翹曲薄膜...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：陳嘉榮，王敏，康永新，朱江江，張永聰，張磊，張慧俊，黃晉，折飛，薛珺天，
申請(專利權(quán))人：西北電子裝備技術(shù)研究所中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所，
類型：發(fā)明
國別省市：
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