【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體真空設備預清潔，具體為一種晶圓預清潔腔室，可以增加預清潔刻蝕均勻性。
技術介紹
1、在半導體生產領域中，在進行物理氣相沉積之前，晶圓通常會先進入預清洗腔體，預清洗腔體采用射頻電源對預清洗腔體內的氬氣電離產生高密度的等離子體，等離子體運動至晶圓表面時，對其表面的氧化層進行轟擊，從而達到去除氧化物的目的。
2、在氣體電離生成等離子體的過程中，電離的氣體分子呈隨機運動狀態，無法控制其有目的的對晶圓表面進行轟擊，因為腔體內部等離子體濃度可能會不均勻，所以會導致晶圓表面氧化物刻蝕深度有差異的問題發生，進而影響到產品的性能和良率，所以有進一步改進的需要。
3、而且，如圖1所示，晶圓基座的下端是與波紋管10固定連接的，波紋管內部是用于穿入射頻(rf)信號線，也就是說，是與外部大氣連通的。波紋管外部與真空腔室內部是不連通的，真空腔室需要保持真空狀態。通過波紋管10升降運動將基座和晶圓抬升至工藝位置，波紋管在長期升降運動后會導致波紋管金屬疲勞，容易產生疲勞破壞，例如裂紋等，產生的裂紋會導致外部大氣與真空腔室內部連通，使得真空腔體壓力泄露，從而破壞了真空腔室的真空環境。
4、有鑒于此，需要一種能夠使得晶圓能夠均勻刻蝕，且能夠可靠保持真空腔室真空狀態的晶圓基座。
技術實現思路
1、【技術問題】
2、為了解決如上所述的問題，本專利技術的目的在于，提供一種晶圓預清潔腔室，通過內外層永磁鐵配合帶動晶圓基座升降及旋轉，可以做到均勻刻蝕。密封保護
3、【技術方案】
4、一種晶圓預清潔腔室，包括：
5、密封保護罩，一端與所述預清潔腔室密封連接，另一端具有開口；
6、磁力驅動部，包括置于所述密封保護罩外的外層永磁鐵和置于所述密封保護罩內的內層永磁鐵，所述內層永磁鐵的內側與晶圓基座通過中空旋轉軸固定連接；
7、射頻信號傳輸部，包括導電滑環、電刷、射頻信號引入桿，所述導電滑環穿入到所述開口內與所述開口固定連接，所述射頻信號引入桿依次穿過所述導電滑環和所述中空旋轉軸內側與所述晶圓基座固定連接，所述電刷固定連接在所述射頻信號引入桿的下部，與所述射頻信號引入桿導電連接，所述電刷的外側與所述導電滑環內側滑動導電連接。
8、可選的，所述晶圓基座的外周還固定連接有屏蔽罩，所述屏蔽罩圍繞所述晶圓基座的下端和側面，該屏蔽罩為導電材料，在所述預清潔腔室的側壁上設置有導電環，所述導電環沿圓周向設置在所述預清潔腔室的側壁上，所述屏蔽罩上還固定連接有纖刷束，所述纖刷束與所述導電環保持導電連接。
9、可選的，所述導電環嵌入在所述預清潔腔室的側壁上。
10、可選的，所述內層永磁鐵和外層永磁鐵是環形，所述內層永磁鐵和外層永磁鐵都是由多個磁鐵沿所述中空旋轉軸的軸向和圓周向堆疊而成，并且，相鄰的磁鐵的磁極相反。
11、可選的，所述外層永磁鐵與旋轉驅動機構連接，所述外層永磁鐵以及旋轉驅動機構都置于升降平臺上，通過升降驅動機構驅動升降平臺升降。
12、可選的，所述升降驅動機構是滾珠絲杠副。
13、可選的，所述導電滑環與所述密封保護罩絕緣。
14、可選的，所述晶圓基座包括鈦盤和石英盤，所述鈦盤嵌入在所述石英盤上端的凹槽內，通過緊固件將鈦盤和石英盤固定連接在所述射頻信號引入桿的上端，在所述鈦盤的上表面具有下沉的晶圓放置槽。
15、可選的，還具有升降銷，所述升降銷為圓周向均勻分布的立桿，在所述晶圓基座上對應的具有多個孔，當所述晶圓基座下降到升降銷插入到孔中后，則晶圓基座受到旋轉約束，當晶圓基座上升到升降銷從所述孔中出來，則不受旋轉約束。
16、可選的，所述電刷導電連接在所述射頻信號引入桿的外圓周上。
17、【有益效果】
18、本申請通過內外層永磁鐵配合，帶動晶圓基座升降及旋轉，從而可以在晶圓上升至工藝位置后處于旋轉狀態，可以促使等離子體均勻接觸晶圓表面，以達到刻蝕均勻性的目的。
19、本申請通過內外層永磁鐵配合，帶動晶圓基座升降及旋轉，使得密封保護罩與預清潔腔室可以采用靜態密封，所以不會因為運動產生金屬疲勞導致壓力泄露。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種晶圓預清潔腔室，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的晶圓預清潔腔室，其特征在于，所述晶圓基座的外周還固定連接有屏蔽罩，所述屏蔽罩圍繞所述晶圓基座的下端和側面，該屏蔽罩為導電材料，在所述預清潔腔室的側壁上設置有導電環，所述導電環沿圓周向設置在所述預清潔腔室的側壁上，所述屏蔽罩上還固定連接有纖刷束，所述纖刷束與所述導電環保持導電連接。
3.根據權利要求2所述的晶圓預清潔腔室，其特征在于，所述導電環嵌入在所述預清潔腔室的側壁上。
4.根據權利要求1所述的晶圓預清潔腔室，其特征在于，所述內層永磁鐵和外層永磁鐵是環形，所述內層永磁鐵和外層永磁鐵都是由多個磁鐵沿所述中空旋轉軸的軸向和圓周向堆疊而成，并且，相鄰的磁鐵的磁極相反。
5.根據權利要求1所述的晶圓預清潔腔室，其特征在于，所述外層永磁鐵與旋轉驅動機構連接，所述外層永磁鐵以及旋轉驅動機構都置于升降平臺上，通過升降驅動機構驅動升降平臺升降。
6.根據權利要求5所述的晶圓預清潔腔室，其特征在于，所述升降驅動機構是滾珠絲杠副。
7.根據權利要求1所述的晶圓
8.根據權利要求1所述的晶圓預清潔腔室，其特征在于，所述晶圓基座包括鈦盤和石英盤，所述鈦盤嵌入在所述石英盤上端的凹槽內，通過緊固件將鈦盤和石英盤固定連接在所述射頻信號引入桿的上端，在所述鈦盤的上表面具有下沉的晶圓放置槽。
9.根據權利要求8所述的晶圓預清潔腔室，其特征在于，還具有升降銷，所述升降銷為圓周向均勻分布的立桿，在所述晶圓基座上對應的具有多個孔，當所述晶圓基座下降到升降銷插入到孔中后，則晶圓基座受到旋轉約束，當晶圓基座上升到升降銷從所述孔中出來，則不受旋轉約束。
10.根據權利要求1所述的晶圓預清潔腔室，其特征在于，所述電刷導電連接在所述射頻信號引入桿的外圓周上。
...【技術特征摘要】
1.一種晶圓預清潔腔室，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的晶圓預清潔腔室，其特征在于，所述晶圓基座的外周還固定連接有屏蔽罩，所述屏蔽罩圍繞所述晶圓基座的下端和側面，該屏蔽罩為導電材料，在所述預清潔腔室的側壁上設置有導電環，所述導電環沿圓周向設置在所述預清潔腔室的側壁上，所述屏蔽罩上還固定連接有纖刷束，所述纖刷束與所述導電環保持導電連接。
3.根據權利要求2所述的晶圓預清潔腔室，其特征在于，所述導電環嵌入在所述預清潔腔室的側壁上。
4.根據權利要求1所述的晶圓預清潔腔室，其特征在于，所述內層永磁鐵和外層永磁鐵是環形，所述內層永磁鐵和外層永磁鐵都是由多個磁鐵沿所述中空旋轉軸的軸向和圓周向堆疊而成，并且，相鄰的磁鐵的磁極相反。
5.根據權利要求1所述的晶圓預清潔腔室，其特征在于，所述外層永磁鐵與旋轉驅動機構連接，所述外層永磁鐵以及旋轉驅動機構都置于升降平臺上，通過升降驅動...
【專利技術屬性】
技術研發人員：張迎晨，崔凡振，
申請(專利權)人：盛吉盛半導體技術上海有限公司，
類型：發明
國別省市：
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