【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及單晶硅制造，尤其涉及一種基于ta-w坩堝直拉單晶的拉晶方法。
技術介紹
1、太陽能單晶硅行業中，隨著多年技術發展迭代，市場逐漸淘汰落后產能，在市場激烈競爭中，產品品質要求也越來越來，提升拉晶效率、提高硅料有效產出，已成為行業破切需求。現拉晶使用石英坩堝，因其在高溫條件下軟化、形變這一特性，極大制約了化料速率向上突破，rcz技術也受限于其使用壽命＜600h，無法進行連續加料，且其在高溫下會析出大量的氧原子，影響產品品質，進一步影響在電池工藝中形成同心圓缺陷，造成品質浪費。
技術實現思路
1、本專利技術目的就是為了解決現有拉晶化料時間長、石英坩堝壽命短、單晶毛棒氧含量高及拉晶工藝窗口窄的問題，提供了一種基于ta-w坩堝直拉單晶的拉晶方法，可以提升拉晶效率，改善拉晶品質，降低拉晶成本，擴寬拉晶工藝窗口。
2、為了實現上述目的，本專利技術采用了如下技術方案：
3、一種基于ta-w坩堝直拉單晶的拉晶方法，包括：
4、（1）將石英材質坩堝替換成ta-w合金坩堝，爐臺清理完成后，將ta-w坩堝放入單晶爐熱場堝托上；
5、（2）爐臺抽空后，熔料功率總和給至300kw熔料，熔料堝轉設置1轉，氬氣流量設為100slpm，爐壓設為15torr；料筒加料時復投硅料無需等待硅液全熔，料筒連續加料，加料爐壓設為25torr，氬氣流量設為150slpm；
6、（3）調溫熔接階段，堝轉設置5變10堝轉，爐壓設為15torr，氬氣流量設為10
7、（4）單次拉晶完成后，按300kw熔料功率復投，單次拉晶設置留堝率即剩料重量/總投料量的值小于1%，拉出比≥99%；
8、（5）拉晶時間達到900h停爐，停爐前需將硅料拉干，爐臺停爐時間10h后拆爐，ta-w坩堝拆爐放置在專用車上，送清洗車間敲掉坩堝底部附著晶硅，坩堝內壁采用試劑清洗后烘干進行下次投爐使用。
9、進一步地，所述步驟（1）中，坩堝安裝時不加裝堝幫。
10、進一步地，所述單段拉晶留堝率＜總投料量*1。
11、進一步地，所述調溫堝轉變化5個，全程拉晶使用堝轉≥10堝轉，爐壓≥15torr，運行時間達到＞900h拉晶。
12、本專利技術中，采用ta-w坩堝可實現高溫熔硅：（1）熔料功率由現階段的200kw提升至300kw；（2）硅熔體與ta-w坩堝不會發生反應，拉晶過程坩堝不析出氧原子，降低晶棒頭氧含量，提升產品核心競爭力；（3）ta-w坩堝在2000℃高溫下長時間運行，材料無形變，可減除現使用坩堝護件堝幫，節省拉晶成本，可延長拉晶時間，為rcz技術提供有利支持；（4）拉晶時使用大堝轉，高爐壓擴寬工藝窗口，改善成晶。
13、與現有技術相比，本專利技術的技術方案的優點具體在于：
14、（1）本專利技術采用ta-w材料，因其熔點＞2000℃且在高溫條件下不易變形，可很好地適用于拉晶坩堝領域，擴寬拉晶工藝窗口，提升拉晶效率；
15、（2）單月拉晶效率單爐單產提升30kg/d；
16、（3）降低晶棒頭部氧含量至5ppma以內，晶棒頭部氧返刀占比將至0%；
17、（4）本專利技術打破了傳統石英坩堝運行＜600小時的極限，實現了900小時運行，對比現階段一月兩次拆裝改為兩月一次拆裝，實現工時有效利用，降低拉晶非硅成本；
18、（5）本專利技術的坩堝無堝幫護件，降低了熱場成本；
19、（6）本專利技術的坩堝可直接受熱，無堝幫傳熱損耗，可降低拉晶功耗；
20、（7）同拉晶熱場，坩堝直徑可直接增大1英寸，投料量可提升；
21、（8）本專利技術的坩堝對比常規石英坩堝，ta-w坩堝底部厚度可與側壁一致，不加厚，投料量可提升。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種基于Ta-W坩堝直拉單晶的拉晶方法，其特征在于：
2.根據權利要求1所述的基于Ta-W坩堝直拉單晶的拉晶方法，其特征在于：
3.根據權利要求1或2所述的基于Ta-W坩堝直拉單晶的拉晶方法，其特征在于：
4.根據權利要求1或2所述的基于Ta-W坩堝直拉單晶的拉晶方法，其特征在于：
【技術特征摘要】
1.一種基于ta-w坩堝直拉單晶的拉晶方法，其特征在于：
2.根據權利要求1所述的基于ta-w坩堝直拉單晶的拉晶方法，其特征在于：
3.根...
【專利技術屬性】
技術研發人員：左寶飛，
申請(專利權)人：云南美科新能源發展有限公司，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。