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    一種模擬光耦的實現方法技術

    技術編號:44490263 閱讀:4 留言:0更新日期:2025-03-04 17:55
    本發明專利技術屬于電子電路技術領域,尤其涉及一種模擬光耦的實現方法,包括模擬光耦仿真器電路,模擬光耦仿真器電路上設有LC振蕩器、TX端的boost電路、隔離變壓器、RX的boost電路、耐高壓開漏NMOS輸出電路和壓控三角波發生電路,先通過LC振蕩器產生穩定的交流信號,然后通過TX端的boost電路對信號升壓處理,升壓后的信號通過隔離變壓器傳遞到RX端,再由RX的boost電路進行再次升壓,最后通過耐高壓開漏NMOS輸出電路將信號轉換為適合后續電路處理的電平,壓控三角波用于電路的調制,該模擬光耦仿真器電路通過電子元件的巧妙組合,實現了對傳統光耦合器功能的模擬;與現有技術相比,本發明專利技術提高傳輸性能、降低功耗和提高隔離能力與抗電磁干擾能力。

    【技術實現步驟摘要】

    本專利技術涉及電子電路,更具體地說,它涉及一種模擬光耦的實現方法


    技術介紹

    1、傳統光耦合器是一種常用的電氣隔離元件,廣泛應用于電子設備的信號傳輸中。它利用led(發光二極管)作為輸入級,當輸入電流通過led時,led會發光,其發出的光通過中間的透明絕緣介質傳輸到接收端的光敏器件上,光敏器件再將光信號轉換為電信號輸出。這種結構具有電氣隔離、抗干擾能力強等優點,但同時也存在一些明顯的缺陷。

    2、首先,傳統光耦合器中的透明絕緣介質,如環氧樹脂等,會隨著時間的推移發生老化現象,使得透明介質隨時間變黃,導致透光性能下降,進而影響光信號的傳輸質量。這種老化現象在長時間使用或高溫環境下尤為明顯,使得光耦合器的傳輸性能逐漸下降,無法滿足一些高可靠性應用場景的需求。

    3、其次,為了彌補透明介質老化導致的傳輸性能下降,傳統光耦合器往往需要增加輸入電流以提高led的發光強度,從而增強光信號的傳輸能力,然而這種會增加光耦合器的功耗,不利于節能降耗和綠色環保的發展趨勢。

    4、此外,傳統光耦合器在設計和制造過程中還存在一些技術瓶頸,如隔離電壓、共模瞬態抗擾度(cmti)等性能指標的提升受到限制,無法滿足一些特殊應用場景的需求。


    技術實現思路

    1、針對現有技術存在的不足,本專利技術的目的在于提供一種提高傳輸性能、降低功耗和提高隔離能力與抗電磁干擾能力的模擬光耦的實現方法。

    2、為實現上述目的,本專利技術提供了如下技術方案:

    3、一種模擬光耦的實現方法,包括模擬光耦仿真器電路,模擬光耦仿真器電路上設有lc振蕩器、tx端的boost電路、隔離變壓器、rx的boost電路、耐高壓開漏nmos輸出電路和壓控三角波發生電路,

    4、lc振蕩器,用于產生高頻載波信號,其諧振頻率由隔離變壓器的線圈電感l和諧振電容ctot共同決定;

    5、tx端的boost電路,tx端的boost電路和rx的boost電路結構一致,tx端的boost電路和rx的boost電路均有輸入電流iin,

    6、tx端的boost電路與lc振蕩器相連,形成一個電流的負反饋回路,限制給到lc振蕩器的電流,以便控制lc振蕩器的振蕩幅度與輸入電流iin成線性關系,通過隔離變壓器耦合到rx的boost電路接收端;

    7、隔離變壓器,用于將tx端的boost電路的信號耦合到rx的boost電路,便于實現電氣隔離;

    8、rx的boost電路,用于將接收到的信號升壓到一定電壓,通過驅動耐高壓開漏nmos輸出電路輸出;

    9、耐高壓開漏nmos輸出電路,用于形成輸出電流iout,該輸出電流iout隨輸入電流iin線性變化的模擬光耦;

    10、壓控三角波發生電路,用來使高頻載波出現小范圍的波動,lc振蕩器利用諧振產生高頻載波,使隔離變壓器的線圈電感為l=2ld。

    11、本專利技術進一步設置為:所述諧振的角頻率為,為總輸入電容,隔離變壓器線圈電感的品質因子為?q,為電阻器,得出電阻。

    12、本專利技術進一步設置為:所述電阻rp上并聯有負電阻-rp,負電阻-rp通過采用全差分交叉耦合結構,全差分交叉耦合結構采用pmos交叉耦合結構或nmos交叉耦合結構,全差分交叉耦合結構的導納gm為翻倍,得出lc振蕩器的負電阻-rp=,負電阻-rp=,則?rp,其中為pmos交叉耦合結構的導納,為nmos交叉耦合結構的導納。

    13、本專利技術進一步設置為:所述導納?gm,k為工藝系數,用于描述或量化工藝因素對電路性能影響的系數,iosc為振蕩電流,其中k=為載流子遷移率,cox為單位面積柵氧電容,wp為動力回路,lp為低通濾波器,為pmos交叉耦合結構負電阻的寬長比。

    14、本專利技術進一步設置為:所述lc振蕩器的幅度?vo=ioscrp=?ioscq,rp為電位器,為電路角頻率。

    15、本專利技術進一步設置為:所述確定,且隔離變壓器的感值l與q值確定,lc振蕩器的幅度vo與iosc成正比,輸入電流iin=?iosc+iboost+ir?,輸入電流iin為總的輸入電流,ir為固定電流,iboost為tx端的boost電路的開漏輸出電流。

    16、本專利技術進一步設置為:所述lc振蕩器輸出端為tx_indp與tx_indn的高頻振蕩信號,諧振電容ctot為tx_indp與tx_indn之間的總等效電容,tx_indp為發送差分信號的正極或非反相信號,tx_indn為發送差分信號的負極或反相信號,其中一路容耦給到couple_p與couple_n,couple_p為tx_indp的耦合電路,couple_n為tx_indn的耦合電路,經過tx端的boost電路升壓到vbst_tx,iboost=(vbst_tx-vth)?,其中為mn4的工藝系數,vbst_tx-用于發送的電壓信號或某種傳輸參數,vth為mn4的閾值電壓。

    17、本專利技術進一步設置為:所述lc振蕩器的幅度和輸出電流iboost得到輸出電流losc,將losc代入輸入電流iin=?iosc+iboost+irr可得iin=losc+lr,

    18、rx的boost電路接收端通過rx的boost電路升壓將電壓升壓到vbst_rx,輸出電流lout=?iosc,輸入電流iin=βiout,為輸入電流iin與輸出電流iout的比。

    19、通過采用上述技術方案,本專利技術的有益效果為:

    20、先通過lc振蕩器產生穩定的交流信號,然后通過tx端的boost電路對信號進行升壓處理。升壓后的信號通過隔離變壓器傳遞到rx的boost電路接收端,再由rx的boost電路進行再次升壓,最后,通過耐高壓開漏nmos輸出電路將信號轉換為適合后續電路處理的電平。同時,壓控三角波發生電路產生電路可以產生三角波信號,用于電路的調制,在調試過程中,可以通過調整各元件的參數來優化電路的性能,

    21、該模擬光耦仿真器電路通過電子元件的巧妙組合,實現了對傳統光耦合器功能的模擬,并克服了其因介質老化導致的性能下降和功耗過大的問題,進而提高傳輸性能、降低功耗和提高隔離能力與抗電磁干擾能力。

    本文檔來自技高網...

    【技術保護點】

    1.一種模擬光耦的實現方法,其特征在于,包括模擬光耦仿真器電路,模擬光耦仿真器電路上設有LC振蕩器、TX端的boost電路、隔離變壓器、RX的boost電路、耐高壓開漏NMOS輸出電路和壓控三角波發生電路,

    2.根據權利要求1所述的一種模擬光耦的實現方法,其特征在于,所述諧振的角頻率為,為總輸入電容,隔離變壓器線圈電感的品質因子為?Q,為電阻器,得電阻?。

    3.根據權利要求2所述的一種模擬光耦的實現方法,其特征在于,所述電阻Rp上并聯有負電阻-Rp,負電阻-Rp通過采用全差分交叉耦合結構,全差分交叉耦合結構采用PMOS交叉耦合結構或NMOS交叉耦合結構,全差分交叉耦合結構的導納gm為翻倍,得出LC振蕩器的負電阻-Rp=,負電阻-Rp=,則?Rp,其中為PMOS交叉耦合結構的導納,為NMOS交叉耦合結構的導納。

    4.根據權利要求3所述的一種模擬光耦的實現方法,其特征在于,

    5.根據權利要求4所述的一種模擬光耦的實現方法,其特征在于,

    6.根據權利要求5所述的一種模擬光耦的實現方法,其特征在于,

    7.根據權利要求6所述的一種模擬光耦的實現方法,其特征在于,所述LC振蕩器輸出端為TX_indp與TX_indn的高頻振蕩信號,諧振電容Ctot為TX_indp與TX_indn之間的總等效電容,

    8.根據權利要求7所述的一種模擬光耦的實現方法,其特征在于,所述LC振蕩器的幅度和輸出電流Iboost得到輸出電流losc,將losc代入輸入電流Iin=?Iosc+Iboost+Irr可得Iin=losc+lr?,

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    【技術特征摘要】

    1.一種模擬光耦的實現方法,其特征在于,包括模擬光耦仿真器電路,模擬光耦仿真器電路上設有lc振蕩器、tx端的boost電路、隔離變壓器、rx的boost電路、耐高壓開漏nmos輸出電路和壓控三角波發生電路,

    2.根據權利要求1所述的一種模擬光耦的實現方法,其特征在于,所述諧振的角頻率為,為總輸入電容,隔離變壓器線圈電感的品質因子為?q,為電阻器,得電阻?。

    3.根據權利要求2所述的一種模擬光耦的實現方法,其特征在于,所述電阻rp上并聯有負電阻-rp,負電阻-rp通過采用全差分交叉耦合結構,全差分交叉耦合結構采用pmos交叉耦合結構或nmos交叉耦合結構,全差分交叉耦合結構的導納gm為翻倍,得出lc振蕩器的負電阻-rp=,負電阻-rp=,則?rp,其中為pmos交叉耦合結...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:唐路平鐘政
    申請(專利權)人:浙江巨磁智能技術有限公司
    類型:發明
    國別省市:

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