【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體，具體而言，涉及一種封裝結(jié)構(gòu)的制作方法、封裝結(jié)構(gòu)及電子設(shè)備。
技術(shù)介紹
1、目前，在芯片的封裝過程中，通常會(huì)直接基于玻璃基板加工重布線層及堆積層，再切割成單顆封裝結(jié)構(gòu)。然而，在切割過程中，由于玻璃基板與其它膜層之間的性質(zhì)差異導(dǎo)致應(yīng)力集中問題，可能會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品產(chǎn)生崩邊和裂紋，還可能會(huì)引起分層現(xiàn)象。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、為了至少克服現(xiàn)有技術(shù)中的上述不足，本申請(qǐng)的目的在于提供一種封裝結(jié)構(gòu)的制作方法、封裝結(jié)構(gòu)及電子設(shè)備。
2、第一方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，所述封裝結(jié)構(gòu)的制作方法包括：
3、提供一基板結(jié)構(gòu)；
4、將所述基板結(jié)構(gòu)設(shè)置于第一載板上；
5、對(duì)所述基板結(jié)構(gòu)進(jìn)行塑封，形成第一塑封層；
6、在所述第一塑封層遠(yuǎn)離所述第一載板的一側(cè)形成第一封裝層；
7、移除所述第一載板；
8、在所述基板結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述第一封裝層的一側(cè)形成第二封裝層；
9、其中，在將所述基板結(jié)構(gòu)設(shè)置于第一載板上的步驟之后，且在移除所述第一載板的步驟之前，所述方法還包括：
10、對(duì)所述基板結(jié)構(gòu)或所述第一塑封層或所述第一封裝層進(jìn)行切割。
11、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述第一封裝層的材料包括絕緣樹脂或聚酰亞胺，所述第二封裝層的材料包括絕緣樹脂。
12、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述提供一基板結(jié)構(gòu)的步驟，包括：
13、提供一待處理基板，所述待處理基板包括襯底、貫穿
14、在所述走線層表面形成填充層，得到基板結(jié)構(gòu)。
15、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在所述對(duì)所述基板結(jié)構(gòu)進(jìn)行塑封，形成第一塑封層的步驟之前，所述方法還包括：
16、對(duì)所述填充層進(jìn)行刻蝕，形成暴露出所述走線層的多個(gè)凹槽；
17、在所述凹槽內(nèi)分別形成多個(gè)導(dǎo)電柱，多個(gè)所述導(dǎo)電柱分別與所述走線層電連接。
18、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述在所述第一塑封層遠(yuǎn)離所述第一載板的一側(cè)形成第一封裝層的步驟，包括：
19、對(duì)所述第一塑封層進(jìn)行研磨，暴露出所述導(dǎo)電柱；
20、在所述第一塑封層遠(yuǎn)離所述第一載板的一側(cè)形成第一封裝層，所述第一封裝層與所述導(dǎo)電柱電連接。
21、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述在所述基板結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述第一封裝層的一側(cè)形成第二封裝層的步驟，包括：
22、在所述第一封裝層遠(yuǎn)離所述基板結(jié)構(gòu)的一側(cè)設(shè)置第二載板；
23、在所述基板結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述第一封裝層的一側(cè)形成第二封裝層。
24、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在所述基板結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述第一封裝層的一側(cè)形成第二封裝層的步驟之后，所述方法還包括：
25、在所述第一封裝層遠(yuǎn)離所述基板結(jié)構(gòu)的一側(cè)設(shè)置芯片。
26、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在所述第一封裝層遠(yuǎn)離所述基板結(jié)構(gòu)的一側(cè)設(shè)置芯片的步驟之后，所述方法還包括：
27、在所述芯片遠(yuǎn)離所述基板結(jié)構(gòu)的一側(cè)形成第二塑封層。
28、第二方面，本申請(qǐng)實(shí)施例還提供一種封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)使用上述第一方面所述的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法制成。
29、第三方面，本申請(qǐng)實(shí)施例還提供一種電子設(shè)備，所述電子設(shè)備包括上述第二方面所述的封裝結(jié)構(gòu)。
30、基于上述任意一個(gè)方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法、封裝結(jié)構(gòu)及電子設(shè)備，通過對(duì)基板結(jié)構(gòu)或第一塑封層或第一封裝層進(jìn)行切割，可以有效減少不同膜層之間由于材料特性不同而產(chǎn)生的應(yīng)力，從而避免在完成封裝后再次切割時(shí)產(chǎn)生崩邊、裂紋等問題，確保封裝結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性和可靠性，另外，通過設(shè)置第一塑封層完全包裹住基板結(jié)構(gòu)的表面和側(cè)面，可以降低分層現(xiàn)象的風(fēng)險(xiǎn)，提高產(chǎn)品的整體性能，減小工藝制程的良率損失。
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1.一種封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述第一封裝層的材料包括絕緣樹脂或聚酰亞胺，所述第二封裝層的材料包括絕緣樹脂。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述提供一基板結(jié)構(gòu)的步驟，包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，在所述對(duì)所述基板結(jié)構(gòu)進(jìn)行塑封，形成第一塑封層的步驟之前，所述方法還包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述在所述第一塑封層遠(yuǎn)離所述第一載板的一側(cè)形成第一封裝層的步驟，包括：
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述在所述基板結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述第一封裝層的一側(cè)形成第二封裝層的步驟，包括：
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，在所述基板結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述第一封裝層的一側(cè)形成第二封裝層的步驟之后，所述方法還包括：
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，在所述第一封裝層遠(yuǎn)離所述基板結(jié)構(gòu)的一側(cè)設(shè)置芯片的
9.一種封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝結(jié)構(gòu)使用權(quán)利要求1-8任意一項(xiàng)所述的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法制成。
10.一種電子設(shè)備，其特征在于，所述電子設(shè)備包括權(quán)利要求9所述的封裝結(jié)構(gòu)。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述第一封裝層的材料包括絕緣樹脂或聚酰亞胺，所述第二封裝層的材料包括絕緣樹脂。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述提供一基板結(jié)構(gòu)的步驟，包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，在所述對(duì)所述基板結(jié)構(gòu)進(jìn)行塑封，形成第一塑封層的步驟之前，所述方法還包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述在所述第一塑封層遠(yuǎn)離所述第一載板的一側(cè)形成第一封裝層的步驟，包括：
6.根據(jù)權(quán)...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：佃麗雯，張康，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：成都奕成集成電路有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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