【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體，尤其涉及一種光電異質集成芯片的測試系統及測試方法。
技術介紹
1、芯片制作完成后，需要對其進行測試，一般可包括芯片功能測試、性能測試以及可靠性測試。在芯片測試制程中，通常會將芯片或者包括多個芯片(管芯的晶圓放置在測試系統中，用探針與芯片上的各個觸點耦接實現電信號互聯，通過對芯片進行電信號輸入，再檢測芯片電信號的輸出響應，對輸入值以及輸出值急性比較和分析，達到對芯片各方面技術指標檢測的目的。
2、然而，在集成有電芯片和光芯片的異質集成的光電芯片上，針對不同類型的芯片的性能進行測試，需要采用不同的測試制程分別進行測試，不利于異質集成芯片的大規模測試。
技術實現思路
1、有鑒于此，本申請實施例為提供的光電異質集成芯片的測試系統及測試方法，能夠擴大測試系統的應用場景，提高測試效率和降低測試的成本。
2、為達到上述目的，本申請的技術方案是這樣實現的：
3、一方面，本申請實施例提供了一種光電異質集成芯片的測試系統。光電異質集成芯片的測試系統，包括：承載臺，第一采集裝置，探針組件，夾取組件，第二采集裝置和光耦合模塊。
4、承載臺用于承載待測光電異質集成芯片。所述光電異質集成芯片包括晶圓級芯片，位于所述晶圓級芯片相對兩側表面中的第一表面的多個導電凸點和位于第二表面且與所述導電凸點耦接的電芯片和光芯片。第一采集裝置設置于所述承載臺的一側，用于采集所述第一表面上目標區域內的所述導電凸點的第一位置信息。探針組件用于根據所述第一位置信息
5、在一些示例中，所述光耦合模塊包括：光纖陣列和驅動電機組件。光纖陣列用于獲取的所述光接口傳輸的光信號。驅動電機組件與所述光纖陣列耦接，用于根據獲取的所述光接口傳輸的光信號功率，調節所述光纖陣列與所述光接口之間的相對位置。其中，所述驅動電機組件用于調節所述光纖陣列沿第一方向、第二方向和第三方向移動，所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向兩兩相交。
6、在一些示例中，所述探針組件包括探針卡，和與所述探針卡連接的第一位置調整機構。所述第一位置調整機構包括壓力傳感器和第一機械臂，所述第一機械臂用于根據所述壓力傳感器感測的所述探針卡與所述待測光電異質集成芯片之間的壓力值，調節所述探針卡與所述待測光電異質集成芯片之間的距離；
7、其中，所述探針卡的至少一根探針與所述目標區域內的一個所述導電凸點接觸。
8、在一些示例中，所述待測光電異質集成芯片劃分為多個目標區域。第一采集裝置還用于重新采集所述第一表面上另一個目標區域內的所述導電凸點的第一位置信息。所述夾取組件還包括與所述環狀卡盤連接的第二機械臂，所述第二機械臂用于根據更新后的所述目標區域移動所述待測光電集成芯片。
9、在一些示例中，所述承載臺包括第二位置調整機構和與所述第二位置調整機構連接的承載臺臺面，所述第二位置調整機構用于根據所述目標區域調整所述承載臺臺面的位置。其中，所述承載臺臺面至少覆蓋所述光電異質集成芯片對應所述目標區域的部分，且暴漏所述光接口；所述目標區域的面積表征為所述探針組件的探針卡卡板的面積。
10、在一些示例中，所述第二采集裝置、所述光耦合模塊和所述承載臺位于同一個移動平臺上。所述第二位置調整機構還用于驅動所述移動平臺移動。
11、在一些示例中，所述承載臺臺面上設有多個真空吸附孔；所述多個真空吸附孔的分布密度隨所述承載臺臺面的面積減小而增大。
12、上述光電異質集成芯片的測試系統中，通過環狀卡盤暴露待測光電異質集成芯片的相對的第一表面和第二表面，探針與第一表面的導電凸點耦接，傳輸電信號至電芯片和光芯片；以及，光耦合模塊能夠接收第二表面上的光芯片傳輸的光信號，環狀卡盤不會遮擋第二表面的光芯片出射的光信號。這樣，能夠通過待測光電異質集成芯片一側的探針，和相對另一側的光耦合模塊同步測試光芯片和電芯片，不僅擴大測試不同類型的集成芯片的應用場景，而且提高測試效率，有利于實現大規模測試，降低測試成本。而且，上述光電異質集成芯片的測試系統采用的承載臺，第一采集裝置，探針組件，夾取組件，第二采集裝置和光耦合模塊的組合結構和相互之間的位置關系，有利于提高測試系統的結構緊湊度，且各功能結構的位置可控調節，適用于多種異質集成芯片的測試過程中，提高測試系統的適用范圍。
13、另一方面，本申請實施例提供了一種光電異質集成芯片的測試方法。測試方法包括：環狀卡盤連接待測光電異質集成芯片的邊緣；確定所述待測光電異質集成芯片上的目標區域；所述目標區域內設有與光芯片和電芯片耦接的多個導電凸點。根據所述目標區域的位置信息控制承載臺臺面與所述目標區域內所述待測光電異質集成芯片的部分接觸，且暴露光芯片的光接口。采集所述目標區域內的所述導電凸點的第一位置信息，并根據所述第一位置信息調整探針組件的探針與所述導電凸點接觸。通過所述探針輸入電信號至所述光芯片和所述電芯片。測試所述電芯片，以及，獲取所述光芯片的光接口傳輸的光信號，測試所述光芯片。
14、在一些示例中，所述測試光芯片包括：采集所述光芯片的光接口的第二位置信息，及獲取所述光接口傳輸的光信號功率，調整光耦合模塊內的光纖陣列與所述光接口的相對位置并測試光芯片。
15、在一些示例中，所述測試方法還包括：在所述探針與所述導電凸點接觸的情況下，獲取所述探針組件的探針卡與所述待測光電異質集成芯片之間的第一距離，及所述探針與所述導電凸點之間的壓力值。根據所述探針與所述導電凸點之間的壓力值，調節所述第一距離為第二距離，所述第二距離為滿足探針與所述導電凸點之間的壓力預設值的距離。其中，所述第二距離小于或等于所述第一距離。通過所述探針測試所述目標區域內的電芯片。
16、上述測試方法為驅動光電異質集成芯片的測試系統進行芯片測試的方法，與光電異質集成芯片的測試系統的有益效果相同，在此不再贅述。
17、本申請附加的方面和優點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本申請的實踐了解到。
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1.一種光電異質集成芯片的測試系統，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的測試系統，其特征在于，所述光耦合模塊包括：
3.根據權利要求1所述的測試系統，其特征在于，所述探針組件包括探針卡，和與所述探針卡連接的第一位置調整機構；
4.根據權利要求1所述的測試系統，其特征在于，所述待測光電異質集成芯片劃分為多個目標區域；
5.根據權利要求1所述的測試系統，其特征在于，所述承載臺包括第二位置調整機構和與所述第二位置調整機構連接的承載臺臺面，所述第二位置調整機構用于根據所述目標區域調整所述承載臺臺面的位置；
6.根據權利要求5所述的測試系統，其特征在于，所述第二采集裝置、所述光耦合模塊和所述承載臺位于同一個移動平臺上；
7.根據權利要求5所述的測試系統，其特征在于，所述承載臺臺面上設有多個真空吸附孔；所述多個真空吸附孔的分布密度隨所述承載臺臺面的面積減小而增大。
8.一種光電異質集成芯片的測試方法，其特征在于，包括：
9.根據權利要求8所述的測試方法，其特征在于，所述測試所述光芯片包括：
10.根據權利要求8所述的測試方法，其特征在于，所述測試方法還包括：
...【技術特征摘要】
1.一種光電異質集成芯片的測試系統，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的測試系統，其特征在于，所述光耦合模塊包括：
3.根據權利要求1所述的測試系統，其特征在于，所述探針組件包括探針卡，和與所述探針卡連接的第一位置調整機構；
4.根據權利要求1所述的測試系統，其特征在于，所述待測光電異質集成芯片劃分為多個目標區域；
5.根據權利要求1所述的測試系統，其特征在于，所述承載臺包括第二位置調整機構和與所述第二位置調整機構連接的承載臺臺面，所述第二位置調整機構用于根據所述目標區域調整所述承載臺臺面的位置；
6.根據權利要求5所述的測試系統，...
【專利技術屬性】
技術研發人員：馮朋，高嘉卿，周旭，劉潔，程庚，范雨龍，
申請(專利權)人：武漢光谷信息光電子創新中心有限公司，
類型：發明
國別省市：
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