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    一種金屬清洗液和氣體分配盤的清洗方法技術

    技術編號:44490479 閱讀:3 留言:0更新日期:2025-03-04 17:55
    本發明專利技術涉及一種金屬清洗液和氣體分配盤的清洗方法,具體涉及清洗領域,所述金屬清洗液以重量份計包括:有機酸鹽10?20份、乙二醇正丁醚10?25份、多元醇6?8份、碳酸鹽2?8份、兩性表面活性劑10?22份、磺酸鹽1?5份和溶劑100?150份。本發明專利技術的清洗液,通過對清洗組分進行合理設計,利用各組分的協同效果,實現了工件表面粉塵油污等污漬的高效去除,顯著提升了清洗后工件表面的清潔度,有利于保證工件的使用效果。

    【技術實現步驟摘要】

    本專利技術涉及清洗領域,具體涉及一種金屬清洗液和氣體分配盤的清洗方法


    技術介紹

    1、氣體分配盤是半導體制造過程中的關鍵組件,它在化學氣相沉積(cvd)等工藝中扮演著重要角色。氣體分配盤的設計和性能對半導體制造過程至關重要,直接影響到半導體產品的質量和生產效率。

    2、如wo2021197200a1公開了一種半導體設備中的氣體分配器,其分配器主體內,第一進氣管路的出氣端與氣體分配管路組的進氣口連通,多個第一出氣管路的進氣端一一對應地與氣體分配管路組的多個出氣口連通;上述分配器主體內的氣體分配腔位于氣體分配管路組上方,且環繞第一進氣管路設置,氣體分配腔的高度自靠近第一進氣管路的內周邊緣至遠離第一進氣管路的外周邊緣逐漸減小,第二進氣管路的出氣端與氣體分配腔的進氣口連通,多個第二出氣管路的進氣端一一對應地與氣體分配腔的多個出氣口連通,第一出氣管路和第二出氣管路交錯設置,且二者的出氣端均位于分配器主體的出氣端面上。

    3、cn220556584u公開了一種半導體氣體分配盤。其中包括主體,主體內穿設有氣孔通道,氣孔通道兩側分別設置有進氣孔和出氣孔,主體一側凸起形成有凸臺,凸臺至少設置有兩組,至少一組凸臺上設置有連接柱,出氣孔一側設置有分流板,分流板上形成有通孔,連接柱穿設在通孔內,連接柱直徑小于通孔直徑,連接柱的頂端安裝有第一限位端,第一限位端下側抵接在分流板上,連接柱與通孔內壁之間形成有環形間隙。

    4、上述氣體分配盤在進行加工過程中,通常需要進行機加工,拋光,磨削等加工過程,進而導致氣體分配盤表面會存在粉塵油污等污漬,在進行使用前通常需要進行清洗,而當前針對氣體分配盤表面存在的粉塵油污等污漬進行清洗時仍存在清洗不徹底,表面不達標的要求,無法達到使用要求的缺陷。


    技術實現思路

    1、鑒于現有技術中存在的問題,本專利技術的目的在于提供一種金屬清洗液和氣體分配盤的清洗方法,以解決針對氣體分配盤表面存在的粉塵油污等污漬進行清洗時仍存在清洗不徹底,表面不達標的要求,無法達到使用要求的缺陷。

    2、為達此目的,本專利技術采用以下技術方案:

    3、第一方面,本專利技術提供了一種金屬清洗液,所述金屬清洗液以重量份計包括:

    4、有機酸鹽10-20份、乙二醇正丁醚10-25份、多元醇6-8份、碳酸鹽2-8份、兩性表面活性劑10-22份、磺酸鹽1-5份和溶劑100-150份。

    5、本專利技術的清洗液,通過對清洗組分進行合理設計,利用各組分的協同效果,實現了工件表面粉塵油污等污漬的高效去除,顯著提升了清洗后工件表面的清潔度,有利于保證工件的使用效果。

    6、作為本專利技術優選的技術方案,所述有機酸鹽包括草酸鹽、檸檬酸鹽、酒石酸鹽或蘋果酸鹽中的一種或至少兩種的組合。

    7、作為本專利技術優選的技術方案,所述多元醇包括乙二醇、丙三醇或丙二醇中的一種或至少兩種的組合。

    8、作為本專利技術優選的技術方案,所述碳酸鹽包括碳酸鈉、碳酸鉀、碳酸氫鈉或碳酸氫鉀中的一種或至少兩種的組合。

    9、作為本專利技術優選的技術方案,所述兩性表面活性劑包括質量比為1:(0.2-0.5)的油酰胺丙基甜菜堿和磺基甜菜堿。

    10、作為本專利技術優選的技術方案,所述磺酸鹽包括磺酸鈉、磺酸鈣、磺酸鎂或磺酸鋇中的一種或至少兩種的組合。

    11、第二方面,本專利技術提供了一種氣體分配盤的清洗方法,所述清洗方法包括:

    12、采用第一方面所述的金屬清洗液對氣體分配盤進行清洗。

    13、作為本專利技術優選的技術方案,所述清洗中輔以超聲。

    14、作為本專利技術優選的技術方案,所述超聲的頻率為25-50khz。

    15、作為本專利技術優選的技術方案,所述超聲的功率為500-1000w。

    16、與現有技術方案相比,本專利技術具有以下有益效果:

    17、本專利技術提供的清洗劑,通過利用特定配置體系并借助復配的質量比為1:(0.2-0.5)的油酰胺丙基甜菜堿和磺基甜菜堿的兩性表面活性劑來提高增溶洗脫效率,實現對氣體分配盤加工過程中表面附著的污物有良好的去除效果,除垢率≥98.5%,洗凈率≥98.6%,油含量≤15.2mg/m2。

    本文檔來自技高網...

    【技術保護點】

    1.一種金屬清洗液,其特征在于,所述金屬清洗液以重量份計包括:

    2.如權利要求1所述的金屬清洗液,其特征在于,所述有機酸鹽包括草酸鹽、檸檬酸鹽、酒石酸鹽或蘋果酸鹽中的一種或至少兩種的組合。

    3.如權利要求1所述的金屬清洗液,其特征在于,所述多元醇包括乙二醇、丙三醇或丙二醇中的一種或至少兩種的組合。

    4.如權利要求1所述的金屬清洗液,其特征在于,所述碳酸鹽包括碳酸鈉、碳酸鉀、碳酸氫鈉或碳酸氫鉀中的一種或至少兩種的組合。

    5.如權利要求1所述的金屬清洗液,其特征在于,所述兩性表面活性劑包括質量比為1:(0.2-0.5)的油酰胺丙基甜菜堿和磺基甜菜堿。

    6.如權利要求1所述的金屬清洗液,其特征在于,所述磺酸鹽包括磺酸鈉、磺酸鈣、磺酸鎂或磺酸鋇中的一種或至少兩種的組合。

    7.一種氣體分配盤的清洗方法,其特征在于,所述清洗方法包括:

    8.如權利要求7所述的清洗方法,其特征在于,所述清洗中輔以超聲。

    9.如權利要求8所述的清洗方法,其特征在于,所述超聲的頻率為25-50kHz。

    10.如權利要求8所述的清洗方法,其特征在于,所述超聲的功率為500-1000W。

    ...

    【技術特征摘要】

    1.一種金屬清洗液,其特征在于,所述金屬清洗液以重量份計包括:

    2.如權利要求1所述的金屬清洗液,其特征在于,所述有機酸鹽包括草酸鹽、檸檬酸鹽、酒石酸鹽或蘋果酸鹽中的一種或至少兩種的組合。

    3.如權利要求1所述的金屬清洗液,其特征在于,所述多元醇包括乙二醇、丙三醇或丙二醇中的一種或至少兩種的組合。

    4.如權利要求1所述的金屬清洗液,其特征在于,所述碳酸鹽包括碳酸鈉、碳酸鉀、碳酸氫鈉或碳酸氫鉀中的一種或至少兩種的組合。

    5.如權利要求1所述的金屬清洗液,其特征在于,所述兩性表面活性劑包...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:邊逸軍姚力軍方鋼峰
    申請(專利權)人:寧波江豐芯創科技有限公司
    類型:發明
    國別省市:

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