【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及太陽能電池制造，尤其涉及一種鈍化接觸太陽能電池及其制備方法。
技術介紹
1、現有的鈍化接觸太陽能電池結構中，為了盡可能提高光電轉化效率，通常采用在發(fā)射極外側制備層疊設置的鈍化層和減反層，以利用不同材料的透射率和厚度搭配，降低反射率。但是現有的鈍化接觸太陽能電池鈍化層和減反層是通過連續(xù)鍍膜工藝實現的，并在鈍化層和減反層制備之后印刷燒結金屬電極，為了實現金屬電極穿透鈍化層以及減反層與發(fā)射極電連接，需要很高的燒結溫度，才能讓金屬漿料穿透硬度較高的減反層。
技術實現思路
1、有鑒于此，本專利技術實施例提供一種鈍化接觸太陽能電池及其制備方法，通過將金屬細柵和金屬主柵進行分層設置，使得金屬細柵只需要嵌于鈍化層內部，在無需穿透硬度較高的減反層的情況下，也可以順利將電流從發(fā)射極導出至設置在鈍化層外側的金屬主柵。而且，利用減反層將金屬細柵完全覆蓋，使得金屬細柵的抗腐蝕性能更強，大大提高了電池的可靠性。
2、為了解決上述技術問題，本專利技術提供以下技術方案：
3、第一方面，本專利技術提供一種鈍化接觸太陽能電池，包括：硅基體、由內至外層疊設置在所述硅基體第一主表面的發(fā)射極和鈍化層、在所述鈍化層上間隔設置的多條金屬細柵、設置于所述鈍化層外側且與多條金屬細柵電連接的金屬主柵以及位于所述鈍化層外側的減反層；其中，所述金屬細柵嵌于所述鈍化層內部，并與所述發(fā)射極電連接；所述減反層覆蓋所述鈍化層中未被所述金屬主柵占據的區(qū)域。
4、可選地，所述金屬細柵的表面粗糙度小于
5、可選地，所述金屬細柵的表面粗糙度為0.1μm~0.8μm；和/或，所述金屬主柵的表面粗糙度為1.5μm~2.2μm。
6、可選地，所述金屬細柵采用高溫金屬漿料制備得到，制備溫度為600℃~1000℃；和/或，所述金屬主柵采用低溫金屬漿料制備得到，制備溫度為160℃~500℃。
7、可選地，所述鈍化層由下述至少一種材料制成：氧化鋁、氧化硅、氧化鎵、氮化硅、氮化鋁、氮氧化硅及氮氧化鋁；和/或，所述減反層包括氟化鎂和/或氟化鋰；和/或，所述減反層的厚度為10?nm～200nm。
8、可選地，還包括：層疊設置在所述硅基體第二主表面的隧穿氧化層、摻雜多晶硅層、以及鈍化減反層；其中，所述摻雜多晶硅層中摻雜元素的摻雜類型與所述發(fā)射極中摻雜元素的摻雜類型相反。
9、可選地，所述隧穿氧化層的厚度為0.5?nm～3?nm；和/或，所述摻雜多晶硅層的厚度為10?nm～200nm；和/或，所述鈍化減反層包括氧化鋁、氧化硅、氧化鎵、氮化硅、氮化鋁、氮氧化硅、氮氧化鋁中的至少一種。
10、第二方面，本專利技術提供一種鈍化接觸太陽能電池的制備方法，包括：
11、步驟1，在硅基體的第一主表面由內至外依次制備發(fā)射極和鈍化層；
12、步驟2，在所述鈍化層上間隔印刷第一金屬漿料，并燒結制備多條金屬細柵，以使所述金屬細柵穿透所述鈍化層與所述發(fā)射極電連接；
13、步驟3，在所述鈍化層上印刷與多條所述金屬細柵交叉的第二金屬漿料，并烘干得到金屬主柵，以使所述金屬主柵與多條所述金屬細柵電連接；
14、步驟4，在所述鈍化層上除所述金屬主柵之外的區(qū)域制備減反層。
15、上述專利技術的第一方面的技術方案具有如下優(yōu)點或有益效果：通過將金屬細柵和金屬主柵進行分層設置，使得金屬細柵只需要嵌于鈍化層內部，在無需穿透硬度較高的減反層的情況下，也可以順利將電流從發(fā)射極導出至設置在鈍化層外側的金屬主柵。而且，利用減反層將金屬細柵完全覆蓋，使得金屬細柵的抗腐蝕性能更強，大大提高了電池的可靠性。
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1.一種鈍化接觸太陽能電池，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的鈍化接觸太陽能電池，其特征在于，
3.根據權利要求1或2所述的鈍化接觸太陽能電池，其特征在于，
4.根據權利要求1或2所述的鈍化接觸太陽能電池，其特征在于，
5.根據權利要求1所述的鈍化接觸太陽能電池，其特征在于，
6.根據權利要求1所述的鈍化接觸太陽能電池，其特征在于，還包括：
7.根據權利要求6所述的鈍化接觸太陽能電池，其特征在于，
8.一種鈍化接觸太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括：
9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，
10.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，還包括：
【技術特征摘要】
1.一種鈍化接觸太陽能電池，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的鈍化接觸太陽能電池，其特征在于，
3.根據權利要求1或2所述的鈍化接觸太陽能電池，其特征在于，
4.根據權利要求1或2所述的鈍化接觸太陽能電池，其特征在于，
5.根據權利要求1所述的鈍化接觸太陽能電池，其特征在于，
...【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：巴重陽，張俊兵，陳斌，
申請(專利權)人：晶澳揚州太陽能科技有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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