【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及顯示，具體涉及掩膜構件以及掩膜版。
技術介紹
1、有機發光二極管(organic?light-emitting?diode，oled)具有功耗低、響應速度快、清晰度高、更輕薄、更大的可視角度等諸多優點，是目前可實現量產的最新一代顯示技術。oled中的發光材料主要依靠蒸鍍技術進行制備，這一過程需要設置掩膜版，使蒸鍍材料蒸鍍在需要蒸鍍的地方。其中，掩膜版包括掩膜框和掩膜構件。掩膜構件通常可以包括對準掩膜條和遮擋掩膜條，對準掩膜條與掩膜框貼合，用于對位標記。遮擋掩膜條與掩膜框貼合，起到加強掩膜框支撐能力等作用。
2、然而，由于這些貼合區域中，由于貼合不牢，會存在縫隙，這樣，在完成蒸鍍，往往會殘留藥液，不易清洗干凈，容易造成顯示面板的顯示異常。
技術實現思路
1、為了解決上述問題，提出了本專利技術，以提供解決或至少部分地解決掩膜版的貼合區域中，因殘留藥液，不易清洗，造成顯示面板的顯示異常的技術問題的掩膜構件以及掩膜版。
2、第一方面，本專利技術提供一種掩膜構件，與掩膜框配合形成掩膜版，所述掩膜框包括：
3、框本體，由沿第一方向延伸的第一邊框和沿與所述第一方向正交的第二方向延伸的第二邊框組成；和
4、在由所述框本體包圍的范圍內分別沿所述第一方向延伸的第一支撐條和沿所述第二方向延伸的第二支撐條，其中所述第一支撐條和所述第二支撐條交疊形成網格結構，其特征在于，所述掩膜構件包括：
5、構件本體，其中，在所述掩膜構件作為遮擋掩
6、漏液區，包括漏液孔，設置在所述構件本體上，用于使所述掩膜版被使用后在縫隙處殘留的液體排除。
7、進一步地，上述所述的掩膜構件中，所述漏液區為多個，所述多個漏液區包括多個第一類漏液區，所述第一類漏液區被配置為：
8、至少部分所述第一支撐條和第二支撐條交疊的區域與所述多個第一類漏液區對準。
9、進一步地，上述所述的掩膜構件中，所述漏液區為多個，所述多個漏液區包括多個第二類漏液區，所述多個第二類漏液區被配置為：
10、至少部分所述構件本體在所述網格結構上的投影區域內設置有所述多個第二類漏液區投影區域。
11、進一步地，上述所述的掩膜構件中，所述漏液區在所述掩膜構件上均勻排布，所述漏液區整體呈矩形、菱形或圓形。
12、進一步地，上述所述的掩膜構件中，所述漏液孔為陣列排布，所述漏液孔的形狀為圓形、橢圓形、矩形、菱形或者帶倒角的矩形。
13、進一步地，上述所述的掩膜構件中，所述掩膜構件包括遮擋掩膜條，所述遮擋掩膜條還包括第一對位孔，所述第一對位孔在所述遮擋掩膜條與對應的支撐條貼合時進行對位；
14、和/或，所述掩膜構件包括對準掩膜條，所述對準掩膜條還包括，第二對位孔，所述第二對位孔在所述對準掩膜條與對應的邊框貼合時進行對位。
15、進一步地，上述所述的掩膜構件中，所述第二對位孔包括：
16、沿所述對準掩膜條的延伸方向分別設置在一端的第一子對位孔和設置在另一端的第二子對位孔，其中第一子對位孔相較于所述漏液區更靠近所述一端，第二子對位孔相較于所述漏液區更靠近所述另一端；
17、設置在第一子對位孔和第二子對位孔之間區域的第三子對位孔和第四子對位孔，所述第三子對位孔到所述對準掩膜條的延伸方向的中軸線的距離與所述第四子到所述對準掩膜條的延伸方向的中軸線的距離相同。
18、進一步地，上述所述的掩膜構件，還包括：
19、半刻蝕線，用于在所述掩膜構件用作遮擋掩膜條時，將掩膜構件成型成所需的形狀；
20、其中，所述半刻蝕線沿所述掩膜構件的延伸方向從一端延伸至另一端，或所述半刻蝕線位于所述掩膜構件的兩端，且所述半刻蝕線包括第一部和第二部，在與所述掩膜構件的延伸方向垂直的方向上，所述第一部和第二部分對稱設于掩膜構件的對位孔的兩側。
21、進一步地，上述所述的掩膜構件中，所述半刻蝕線位于所述掩膜構件的兩端；
22、所述第一部和第二部均為折線形狀，其中所述折線的夾角為直角或鈍角。
23、第二方面，本專利技術提供一種掩膜版，其包括：
24、掩膜框和上述任一項所述的掩膜構件，其中所述掩膜構件作為遮擋掩膜條和/或對準掩膜條。
25、本專利技術上述一個或多個技術方案，至少具有如下一種或多種有益效果：
26、在實施本專利技術的技術方案時，通過在構件本體上設置有漏液區，在漏液區中設置漏液孔，這樣，即使構件本體與掩膜框貼合時貼合不牢形成了縫隙，也可以在清洗時，使縫隙中殘留的液體從漏液孔中流出，從而減少了藥液殘留，提高了顯示面板的顯示性能。
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1.一種掩膜構件，與掩膜框配合形成掩膜版，所述掩膜框包括：
2.根據權利要1所述的掩膜構件，其特征在于，
3.根據權利要求1或2所述的掩膜構件，其特征在于，
4.根據權利要3所述的掩膜構件，其特征在于，所述漏液區在所述掩膜構件上均勻排布，所述漏液區整體呈矩形、菱形或圓形。
5.根據權利要4所述的掩膜構件，其特征在于，
6.根據權利要3所述的掩膜構件，其特征在于，
7.根據權利要求6所述的掩膜構件，其特征在于，所述第二對位孔包括：
8.根據權利要求7所述的掩膜構件，其特征在于，還包括：
9.根據權利要求8所述的掩膜構件，其特征在于，
10.一種掩膜版，其特征在于，包括：
【技術特征摘要】
1.一種掩膜構件，與掩膜框配合形成掩膜版，所述掩膜框包括：
2.根據權利要1所述的掩膜構件，其特征在于，
3.根據權利要求1或2所述的掩膜構件，其特征在于，
4.根據權利要3所述的掩膜構件，其特征在于，所述漏液區在所述掩膜構件上均勻排布，所述漏液區整體呈矩形、菱形或圓形。
5.根據權利要4所述...
【專利技術屬性】
技術研發人員：全文磊，黃琰，周洋，徐鴻飛，曾建，蘭代江，
申請(專利權)人：京東方科技集團股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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