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    一種氣相法鈍化半導(dǎo)體材料的設(shè)備制造技術(shù)

    技術(shù)編號(hào):44491181 閱讀:3 留言:0更新日期:2025-03-04 17:56
    本發(fā)明專利技術(shù)公開了一種氣相法鈍化半導(dǎo)體材料的設(shè)備,本發(fā)明專利技術(shù)涉及半導(dǎo)體材料加工技術(shù)領(lǐng)域。該氣相法鈍化半導(dǎo)體材料的設(shè)備,包括設(shè)備外殼,設(shè)備外殼的頂部設(shè)置有材料升華/蒸發(fā)腔室和反應(yīng)腔室,材料升華/蒸發(fā)腔室和反應(yīng)腔室的內(nèi)部均設(shè)置有熱電偶和勻流板,材料升華/蒸發(fā)腔室的內(nèi)部設(shè)置有第一可加熱樣品臺(tái),第一可加熱樣品臺(tái)的上表面設(shè)置有凹槽,反應(yīng)腔室的內(nèi)部設(shè)置有第二可加熱樣品臺(tái),第二可加熱樣品臺(tái)的內(nèi)部設(shè)置有升降柱,材料升華/蒸發(fā)腔室的外表面設(shè)置有控制蝶閥和保溫板,控制蝶閥遠(yuǎn)離材料升華/蒸發(fā)腔室的一端設(shè)置在反應(yīng)腔室的外表面,保溫板的內(nèi)部設(shè)置有電熱絲,通過該設(shè)備,能夠使整個(gè)加工過程自動(dòng)化程度較高,設(shè)備的工作效率較高。

    【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

    本專利技術(shù)涉及半導(dǎo)體材料加工,具體為一種氣相法鈍化半導(dǎo)體材料的設(shè)備


    技術(shù)介紹

    1、氣相法鈍化是一種在半導(dǎo)體表面涂覆一層能夠防止雜質(zhì)進(jìn)一步擴(kuò)散的物質(zhì),從而提高半導(dǎo)體器件的品質(zhì)和穩(wěn)定性的技術(shù),具體來說,氣相法鈍化通常利用化學(xué)氣相沉積(cvd)技術(shù)來實(shí)現(xiàn),cvd是一種在氣相中通過化學(xué)反應(yīng)來沉積材料的方法,它可以將一種或多種氣體引入反應(yīng)室中,這些氣體在反應(yīng)室中通過化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生固態(tài)薄膜材料,然后沉積在半導(dǎo)體晶片表面,在半導(dǎo)體表面鈍化的過程中,常用的鈍化材料如氧化鎵、硅氧化物等,可以通過cvd方法沉積在半導(dǎo)體表面上,形成一層具有高介電常數(shù)、高絕緣性和化學(xué)穩(wěn)定性的鈍化層。現(xiàn)有的氣相法鈍化半導(dǎo)體材料的設(shè)備實(shí)用性較差,并且在將氣體引入反應(yīng)室時(shí)氣流極易沖擊半導(dǎo)體樣品,影響加工質(zhì)量。


    技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

    1、針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足,本專利技術(shù)提供了一種氣相法鈍化半導(dǎo)體材料的設(shè)備,以解決上述
    技術(shù)介紹
    中提出現(xiàn)有的問題。

    2、為實(shí)現(xiàn)以上目的,本專利技術(shù)通過以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn):一種氣相法鈍化半導(dǎo)體材料的設(shè)備,包括設(shè)備外殼,所述設(shè)備外殼的外表面設(shè)置有按鈕開關(guān),所述設(shè)備外殼的內(nèi)部設(shè)置有觸摸屏plc一體機(jī)、抽真空氣動(dòng)擋板閥及電磁閥、破真空氣動(dòng)擋板閥及電磁閥和電動(dòng)絲桿升降機(jī)構(gòu),所述設(shè)備外殼的頂部設(shè)置有材料升華/蒸發(fā)腔室和反應(yīng)腔室,所述材料升華/蒸發(fā)腔室和反應(yīng)腔室的外側(cè)設(shè)置有氣體流量調(diào)節(jié)閥,所述材料升華/蒸發(fā)腔室和反應(yīng)腔室的頂部均鉸接有封蓋,所述材料升華/蒸發(fā)腔室和反應(yīng)腔室的底部均設(shè)置有三通氣管,所述抽真空氣動(dòng)擋板閥及電磁閥的外表面設(shè)置有波紋管及三通管,所述材料升華/蒸發(fā)腔室和反應(yīng)腔室的外表面均設(shè)置有真空規(guī),所述材料升華/蒸發(fā)腔室和反應(yīng)腔室的內(nèi)部均設(shè)置有熱電偶和勻流板,所述材料升華/蒸發(fā)腔室的內(nèi)部設(shè)置有第一可加熱樣品臺(tái),所述第一可加熱樣品臺(tái)的上表面設(shè)置有凹槽,所述反應(yīng)腔室的內(nèi)部設(shè)置有第二可加熱樣品臺(tái),所述第二可加熱樣品臺(tái)的內(nèi)部設(shè)置有升降柱,所述材料升華/蒸發(fā)腔室的外表面設(shè)置有控制蝶閥和保溫板,所述控制蝶閥遠(yuǎn)離材料升華/蒸發(fā)腔室的一端設(shè)置在反應(yīng)腔室的外表面,所述保溫板的內(nèi)部設(shè)置有電熱絲,所述設(shè)備外殼的內(nèi)壁設(shè)置有絲桿升降開關(guān)電源、絲桿驅(qū)動(dòng)器、繼電器、導(dǎo)軌和風(fēng)扇,所述設(shè)備外殼內(nèi)表面的底部設(shè)置有真空表,所述導(dǎo)軌的外表面設(shè)置有溫控表及直流電源。

    3、優(yōu)選的,所述封蓋的下表面設(shè)置有密封玻璃,所述封蓋的上表面設(shè)置有觀察口,所述材料升華/蒸發(fā)腔室和反應(yīng)腔室上表面的邊側(cè)處設(shè)置有蓋撐和密閉把手。

    4、優(yōu)選的,所述抽真空氣動(dòng)擋板閥及電磁閥和破真空氣動(dòng)擋板閥及電磁閥均設(shè)置有兩組,所述三通氣管的端部與抽真空氣動(dòng)擋板閥及電磁閥和破真空氣動(dòng)擋板閥及電磁閥相連接,兩組所述抽真空氣動(dòng)擋板閥及電磁閥通過波紋管及三通管相連通。

    5、優(yōu)選的,所述電動(dòng)絲桿升降機(jī)構(gòu)與升降柱相連接,所述升降柱的數(shù)量為四個(gè),所述反應(yīng)腔室的下表面設(shè)置有膠圈法蘭,所述電動(dòng)絲桿升降機(jī)構(gòu)通過膠圈法蘭與反應(yīng)腔室相連接,所述電動(dòng)絲桿升降機(jī)構(gòu)的底部設(shè)置有電機(jī)。

    6、優(yōu)選的,所述勻流板設(shè)置有三個(gè),三個(gè)所述勻流板分別設(shè)置在控制蝶閥的輸出端、第一可加熱樣品臺(tái)的下方和第二可加熱樣品臺(tái)的下方。

    7、有益效果

    8、本專利技術(shù)提供了一種氣相法鈍化半導(dǎo)體材料的設(shè)備。具備以下有益效果:

    9、(1)、該氣相法鈍化半導(dǎo)體材料的設(shè)備,通過觸摸屏plc一體機(jī)實(shí)現(xiàn)集成控制整個(gè)設(shè)備的工作,設(shè)備自動(dòng)抽真空,固體粉末從材料升華/蒸發(fā)腔室變?yōu)闅怏w后自動(dòng)進(jìn)入反應(yīng)腔室,氣體覆蓋至樣品一定時(shí)間后自動(dòng)破真空,方便取出加工后的樣品,能夠使整個(gè)加工過程自動(dòng)化程度較高,可控制蒸發(fā)/升華室、反應(yīng)腔室內(nèi)的氣氛,大尺寸半導(dǎo)體材料樣品的鈍化更均勻,工藝一致性較高,鈍化效果更好,不僅適合固體材料的蒸發(fā)/升華,還可擴(kuò)展到液體鈍化劑的蒸發(fā)鈍化,并且設(shè)備的工作效率較高。

    10、(2)、該氣相法鈍化半導(dǎo)體材料的設(shè)備,通過設(shè)有的勻流板,可以使進(jìn)入材料升華/蒸發(fā)腔室和反應(yīng)腔室的氣體被分流,氣流均勻分散到腔室內(nèi),防止氣流沖擊樣品,減少了加工過程中氣流沖擊力對(duì)樣品的影響,提高了加工質(zhì)量。

    本文檔來自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

    1.一種氣相法鈍化半導(dǎo)體材料的設(shè)備,包括設(shè)備外殼(1),其特征在于:所述設(shè)備外殼(1)的外表面設(shè)置有按鈕開關(guān)(3),所述設(shè)備外殼(1)的內(nèi)部設(shè)置有觸摸屏PLC一體機(jī)(2)、抽真空氣動(dòng)擋板閥及電磁閥(12)、破真空氣動(dòng)擋板閥及電磁閥(13)和電動(dòng)絲桿升降機(jī)構(gòu)(23),所述設(shè)備外殼(1)的頂部設(shè)置有材料升華/蒸發(fā)腔室(4)和反應(yīng)腔室(5),所述材料升華/蒸發(fā)腔室(4)和反應(yīng)腔室(5)的外側(cè)設(shè)置有氣體流量調(diào)節(jié)閥(10),所述材料升華/蒸發(fā)腔室(4)和反應(yīng)腔室(5)的頂部均鉸接有封蓋(6),所述材料升華/蒸發(fā)腔室(4)和反應(yīng)腔室(5)的底部均設(shè)置有三通氣管(11),所述抽真空氣動(dòng)擋板閥及電磁閥(12)的外表面設(shè)置有波紋管及三通管(14),所述材料升華/蒸發(fā)腔室(4)和反應(yīng)腔室(5)的外表面均設(shè)置有真空規(guī)(15),所述材料升華/蒸發(fā)腔室(4)和反應(yīng)腔室(5)的內(nèi)部均設(shè)置有熱電偶(16)和勻流板(22),所述材料升華/蒸發(fā)腔室(4)的內(nèi)部設(shè)置有第一可加熱樣品臺(tái)(17),所述第一可加熱樣品臺(tái)(17)的上表面設(shè)置有凹槽(19),所述反應(yīng)腔室(5)的內(nèi)部設(shè)置有第二可加熱樣品臺(tái)(18),所述第二可加熱樣品臺(tái)(18)的內(nèi)部設(shè)置有升降柱(20),所述材料升華/蒸發(fā)腔室(4)的外表面設(shè)置有控制蝶閥(21)和保溫板(26),所述控制蝶閥(21)遠(yuǎn)離材料升華/蒸發(fā)腔室(4)的一端設(shè)置在反應(yīng)腔室(5)的外表面,所述保溫板(26)的內(nèi)部設(shè)置有電熱絲(27),所述設(shè)備外殼(1)的內(nèi)壁設(shè)置有絲桿升降開關(guān)電源(28)、絲桿驅(qū)動(dòng)器(29)、繼電器(31)、導(dǎo)軌(32)和風(fēng)扇(34),所述設(shè)備外殼(1)內(nèi)表面的底部設(shè)置有真空表(30),所述導(dǎo)軌(32)的外表面設(shè)置有溫控表及直流電源(33)。

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氣相法鈍化半導(dǎo)體材料的設(shè)備,其特征在于:所述封蓋(6)的下表面設(shè)置有密封玻璃(35),所述封蓋(6)的上表面設(shè)置有觀察口(9),所述材料升華/蒸發(fā)腔室(4)和反應(yīng)腔室(5)上表面的邊側(cè)處設(shè)置有蓋撐(7)和密閉把手(8)。

    3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氣相法鈍化半導(dǎo)體材料的設(shè)備,其特征在于:所述抽真空氣動(dòng)擋板閥及電磁閥(12)和破真空氣動(dòng)擋板閥及電磁閥(13)均設(shè)置有兩組,所述三通氣管(11)的端部與抽真空氣動(dòng)擋板閥及電磁閥(12)和破真空氣動(dòng)擋板閥及電磁閥(13)相連接,兩組所述抽真空氣動(dòng)擋板閥及電磁閥(12)通過波紋管及三通管(14)相連通。

    4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氣相法鈍化半導(dǎo)體材料的設(shè)備,其特征在于:所述電動(dòng)絲桿升降機(jī)構(gòu)(23)與升降柱(20)相連接,所述升降柱(20)的數(shù)量為四個(gè),所述反應(yīng)腔室(5)的下表面設(shè)置有膠圈法蘭(24),所述電動(dòng)絲桿升降機(jī)構(gòu)(23)通過膠圈法蘭(24)與反應(yīng)腔室(5)相連接,所述電動(dòng)絲桿升降機(jī)構(gòu)(23)的底部設(shè)置有電機(jī)(25)。

    5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氣相法鈍化半導(dǎo)體材料的設(shè)備,其特征在于:所述勻流板(22)設(shè)置有三個(gè),三個(gè)所述勻流板(22)分別設(shè)置在控制蝶閥(21)的輸出端、第一可加熱樣品臺(tái)(17)的下方和第二可加熱樣品臺(tái)(18)的下方。

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    【技術(shù)特征摘要】

    1.一種氣相法鈍化半導(dǎo)體材料的設(shè)備,包括設(shè)備外殼(1),其特征在于:所述設(shè)備外殼(1)的外表面設(shè)置有按鈕開關(guān)(3),所述設(shè)備外殼(1)的內(nèi)部設(shè)置有觸摸屏plc一體機(jī)(2)、抽真空氣動(dòng)擋板閥及電磁閥(12)、破真空氣動(dòng)擋板閥及電磁閥(13)和電動(dòng)絲桿升降機(jī)構(gòu)(23),所述設(shè)備外殼(1)的頂部設(shè)置有材料升華/蒸發(fā)腔室(4)和反應(yīng)腔室(5),所述材料升華/蒸發(fā)腔室(4)和反應(yīng)腔室(5)的外側(cè)設(shè)置有氣體流量調(diào)節(jié)閥(10),所述材料升華/蒸發(fā)腔室(4)和反應(yīng)腔室(5)的頂部均鉸接有封蓋(6),所述材料升華/蒸發(fā)腔室(4)和反應(yīng)腔室(5)的底部均設(shè)置有三通氣管(11),所述抽真空氣動(dòng)擋板閥及電磁閥(12)的外表面設(shè)置有波紋管及三通管(14),所述材料升華/蒸發(fā)腔室(4)和反應(yīng)腔室(5)的外表面均設(shè)置有真空規(guī)(15),所述材料升華/蒸發(fā)腔室(4)和反應(yīng)腔室(5)的內(nèi)部均設(shè)置有熱電偶(16)和勻流板(22),所述材料升華/蒸發(fā)腔室(4)的內(nèi)部設(shè)置有第一可加熱樣品臺(tái)(17),所述第一可加熱樣品臺(tái)(17)的上表面設(shè)置有凹槽(19),所述反應(yīng)腔室(5)的內(nèi)部設(shè)置有第二可加熱樣品臺(tái)(18),所述第二可加熱樣品臺(tái)(18)的內(nèi)部設(shè)置有升降柱(20),所述材料升華/蒸發(fā)腔室(4)的外表面設(shè)置有控制蝶閥(21)和保溫板(26),所述控制蝶閥(21)遠(yuǎn)離材料升華/蒸發(fā)腔室(4)的一端設(shè)置在反應(yīng)腔室(5)的外表面,所述保溫板(26)的內(nèi)部設(shè)置有電熱絲(27),所述設(shè)備外殼(1)的內(nèi)壁設(shè)置有絲桿升降開關(guān)電源(28)、絲桿驅(qū)動(dòng)器(29)、繼電器...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:請(qǐng)求不公布姓名
    申請(qǐng)(專利權(quán))人:深圳市鑄安安全技術(shù)有限公司
    類型:發(fā)明
    國別省市:

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